Распиновка оперативной памяти ddr4 ноутбука

Обновлено: 06.07.2024

Будем рассматривать память стандарта DIMM, про SIMM забудем, она уже совсем старая.

SIMM (англ. Single In-line Memory Module , односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы.

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR (она же DDR1), DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

DDR SDRAM (англ. double-data-rate synchronous dynamic random access memory) — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных).

Вот этот чип:

Смотрим в описании материнской платы свой тип памяти (и максимальный поддерживаемый размер), покупаем, устанавливаем. Так? Не совсем, здесь тоже есть подводные камни.

Как подобрать оперативную память к материнской плате?

Этап 3.
Если есть на руках (или хочется купить) планку памяти, которой нет в 1-м и в 2-м этапе -> идем на этап 3. Заходим на сайт производителя оперативной памяти и смотрим, с какими материнскими платами тестировалась данная память.

Этап 4.
Для DDR3 / DDR4 выбранная память должна еще поддерживаться процессором, т.к. контроллер памяти теперь там. Грубо говоря, Вы купили DDR3 1600 Мгц, материнская плата ее поддерживает, а процессоре заявлена поддержка только 1333 Мгу = память заработает на частоте 1333 Мгц.

Все нужно проверять.

1. ВАЖНО: оперативная память для AMD и остальных платформ не совпадает, несмотря на одинаковые названия и размеры!

В чем же различие? Интегрированный контроллер памяти процессоров AMD поддерживает адресацию с использованием 11-разрядных столбцов и размером страницы 16 Кбит. Стандартные контроллеры памяти, встречающиеся в составе других платформ, используют 10-разрядные столбцы и размер страницы 8 Кбит. При такой организации доступа к памяти каждая страница размером 16 Кбит может содержать 2048 точек входа. Это позволяет контроллеру памяти процессоров в исполнении Socket AM2/AM2+/AM3 оставаться на одной странице в два раза дольше по сравнению со «стандартным» контроллером памяти.

2. Китайская контрафактная память (т.е. непонятный производитель и этикетка от официального производителя)

Теперь смотрим на то, что продается

3. Китайский производитель NONAME

Виды памяти

Тип памяти	Число контактов	Напряжение питания, В	Частоты работы памяти, Мгц
DDR1	184 pin	2,5 В (старые мат.платы)	200 266 333 400
DDR1	184 pin	2,6 В	200 266 333 400
DDR2	240 pin	1,8 В	400 533 667 800 1066
DDR3	240 pin (не совместимы с DDR2)	1,5 В	800 1066 1333 1600 1866 2133 2400 на одинаковых частотах с DDR2 память DDR3 медленнее
DDR3L	240 pin (не совместимы с DDR2)	1,35 В (low voltage)
DDR4	288 pin	1,2 В	1600 1866 2133 2400 3200 3400

В настоящее время память DDR4 поддерживается только на материнских платах с socket 1151 / 2011-3 при использовании процессоров Intel шестого поколения. Контроллер памяти (управление памятью) также встроено в процессор. Для socket 1151 поддерживается двухканальный режим, для socket 2011-3 поддерживается четырехканальный режим работы памяти.

Частота шины памяти, Мгц	Частота памяти, Мгц	Стандарт	Название модуля	Мбит/сек (теоретическая)
100	200 DDR1	PC 1600
133	266 DDR1	JEDEC	PC 2100
150	300 DDR1	PC 2400
166	333 DDR1	JEDEC	PC 2700
200	400 DDR1	JEDEC	PC 3200
217	433 DDR1	O.C.
233	466 DDR1	O.C.
250	500 DDR1	O.C.
275	550 DDR1	O.C.
300	600 DDR1	O.C.
200	400 DDR2	JEDEC
266	533 DDR2	JEDEC	PC 4200
333	667 DDR2	JEDEC	PC 5300
400	800 DDR2	JEDEC	PC 6400	6400
500	1000 DDR2	O.C.
533	1066 DDR2	O.C.	PC 8500	8533
556	1111 DDR2	O.C.
571	1142 DDR2	O.C.
625	1250 DDR2	O.C.
400	800 DDR3
533	1066 DDR3	JEDEC
667	1333 DDR3	JEDEC	PC 10667	10667
800	1600 DDR3	JEDEC	PC 12800	12800
900	1800 DDR3	JEDEC
933	1866 DDR3	O.C.	PC 14900	14933
1000	2000 DDR3	JEDEC
1066	2133 DDR3	O.C.	PC 17000	17066
1200	2400 DDR3	O.C.	PC 19200	19200
800	1600 DDR4	JEDEC	PC 12800	12800
933	1866 DDR4	JEDEC	PC 14900	14933
1066	2133 DDR4	JEDEC	PC 17000	17066
1200	2400 DDR4	O.C.	PC 19200	19200
1600	3200 DDR4	O.C.	PC4 25600	25600
1700	3400 DDR4	O.C.	PC4 27200	27200

JEDEC (англ. Solid State Technology Association, известная как Joint Electron Device Engineering Council, или Сообщество (Комитет) Инженеров, специализирующихся в области электронных устройств) — комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (EIA), промышленной ассоциации, представляющей все отрасли электронной индустрии.

xtreme Memory Profiles (сокр. англ. XMP, рус. экстремальные профили памяти) — расширение стандарта SPD для хранения и передачи расширенной информации о модулях памяти DDR3 SDRAM, разработанное фирмой Intel в качестве альтернативы представленного ранее аналогичного расширения Nvidia — Enhanced Performance Profiles (сокр. англ. EPP).

Технология XMP служит упрощению разгона памяти с использованием заранее заготовленных настроек (профилей SPD, расширенных относительно стандартных профилей JEDEC) с понижением задержек (англ. low latency) или повышением частоты (англ. high frequency). При считывании расширенных данных SPD из модуля памяти, может производиться автоматическая настройка на указанные в расширенном профиле параметры, избавляя конечного пользователя от ручной настройки (для опытных пользователей оставлена возможность изменять параметры принудительно). В случае нестабильности работы памяти, являющейся следствием работы в режиме, близком к предельному, XMP предоставляет возможность безопасной загрузки (англ. fail-safe default boot), при этом все параметры устанавливаются по стандарту JEDEC.

В socket 1151 только двух-канальная память.

Ниже фото типичного слота для 4-х планок оперативной памяти для двухканального режима работы.

Хорошо видно, что слоты 1-3 и 2-4 разного цвета.

Если всё установлено правильно, включится режим dual-channel, проверить результат можно в программе CPU-Z.

Видно тип памяти, ее параметры (латентность / тайминги), общий объем и режим работы.

Латентность (англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией. Мера таймингов — такт шины памяти. Таким образом, каждая цифра означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти.

Cycle Time (tRAS) = 18 тактов = Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на T_RCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

Для каждой планки памяти обычно указывается в виде последовательности четырех цифр: 5-6-6-18. Естественно, для разных частот работы эти цифры будут разные, можно посмотреть через программу Everest, что именно поддерживает данная планка памяти (раздел SPD).

Как раз видно, что память на частоте шины 400 Мгц (800 Мгц для самой памяти) будет работать с таймингами 5-6-6-18 и эти цифры совпадают с данными из программы CPU-Z.

И снова про беспощадный маркетинг.

Окончательный перевод на язык здравого смысла:

Серверная память.

Сервер отличается от бытового ПК прежде всего отказоустойчивостью. Большая ценность хранимой информации и критические ошибки BSOD недопустимы.

При сбое обычной памяти получаем BSOD (приятный синий экран) и необходимость перезагрузки системы. Использование памяти ECC (англ. error-correcting code , код коррекции ошибок) позволяет продолжить работу системы, исключив сбойный участок памяти.

Память ECC-память в свою очередь бывает регистровая и не регистровая (иначе буферизированная и не буферизированная).
Регистровая память (англ. Registered Memory, RDIMM, иногда buffered memory) — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Регистровая память является более дорогой из-за меньшего объема производства и наличия дополнительных микросхем.

Конечно. данный вид памяти должен поддерживаться материнской платой (контроллером памяти) и BIOS. Физические размеры слотов и параметры электропитания одинаковые.

Хотя большая часть модулей памяти для серверов является регистровой и использует ECC, существуют и модули с ECC но без регистров (UDIMM ECC), они так же в большинстве случаев работоспособны и в десктопных системах. Можно обратить внимание, что в спецификации бытовой материнской платы написано non ECC, а в списке поддерживаемой памяти есть модули с ECC.
Регистровых модулей без ECC не существует.

Из-за использования регистров возникает дополнительная задержка при работе с памятью. Каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память считается на один такт более медленной, чем нерегистровая (UDIMM, unregistered DRAM)

Вы можете сохранить ссылку на эту страницу себе на компьютер в виде htm файла

Из этой статьи вы узнаете, какими же преимуществами обладают «мозги» нового поколения, и как полученные изменения повлияют на производительность памяти. Однако для начала — небольшой экскурс в историю.

Начало новой эпохи, эпохи DDR4

О стандарте SDRAM и модулях памяти

Первые модули SDRAM появились еще в 1993 году. Их выпустила компания Samsung. А уже к 2000 году память SDRAM за счет производственных мощностей корейского гиганта полностью вытеснила с рынка стандарт DRAM.

Аббревиатура SDRAM расшифровывается как Synchronous Dynamic Random Access Memory. Дословно это можно перевести как «синхронная динамическая память с произвольным доступом». Поясним значение каждой характеристики. Динамической память является потому, что в силу малой емкости конденсаторов она постоянно требует обновления. К слову, кроме динамической, также существует и статическая память, которая не требует постоянного обновления данных (SRAM). SRAM, например, лежит в основе кэш-памяти. Помимо динамической, память также является синхронной, в отличие от асинхронной DRAM. Синхронность заключается в том, что память выполняет каждую операцию известное число времени (или тактов). Например, при запросе каких-либо данных контроллер памяти точно знает, сколько времени они будут до него добираться. Свойство синхронности позволяет управлять потоком данных и выстраивать их в очередь. Ну и пару слов о «памяти с произвольным доступом» (RAM). Это означает, что единовременно можно получить доступ к любой ячейке по ее адресу на чтение или запись, причем всегда за одно и то же время вне зависимости от расположения.

Модуль памяти SDRAM

Если говорить непосредственно о конструкции памяти, то ее ячейками являются конденсаторы. Если заряд в конденсаторе есть, то процессор расценивает его как логическую единицу. Если заряда нет — как логический ноль. Такие ячейки памяти имеют плоскую структуру, а адрес каждой из них определяется как номер строки и столбца таблицы.

В каждом чипе находится несколько независимых массивов памяти, которые представляют собой таблицы. Их называют банками. В единицу времени можно работать только с одной ячейкой в банке, однако существует возможность работы сразу с несколькими банками. Записываемая информация необязательно должна храниться в одном массиве. Зачастую она разбивается на несколько частей и записывается в разные банки, причем процессор продолжает считать эти данные единым целым. Такой способ записи называется interleaving. В теории, чем больше в памяти таких банков, тем лучше. На практике модули с плотностью до 64 Мбит имеют два банка. С плотностью от 64 Мбит до 1 Гбит — четыре, а с плотностью 1 Гбит и выше — уже восемь.

Что такое банк памяти

И несколько слов о строении модуля памяти. Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Как правило, в продаже можно встретить устройства, выполненные в форм-факторах DIMM (Dual In-line Memory Module) или SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module). Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Например, решение SDRAM имеет 144 пина для подключения к материнской плате, DDR — 184, DDR2 — 214 пинов, DDR3 — 240, а DDR4 — уже 288 штук. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров. Например, модуль памяти DDR4 SO-DIMM подключается к «материнке» за счет 256 пинов.

Модуль DDR (внизу) имеет больше пинов, чем SDRAM (вверху)

Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью (или, проще говоря, объемом). К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит. Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит. Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. При этом нужно отметить, что также существуют 72-битные модули памяти, в которых «лишние» 8 бит отведены для технологии коррекции ошибок ECC (Error Checking & Correction). Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти. То есть, если шина модуля памяти является 64-битной и на планке распаяно восемь чипов, то ширина шины памяти каждого чипа равна 64/8=8 бит.

Чтобы рассчитать теоретическую пропускную способность модуля памяти, можно воспользоваться следующей формулой: A * 64/8=ПС, где «А» — это скорость передачи данных, а «ПС» — искомая пропускная способность. В качестве примера можно взять модуль памяти типа DDR3 с частотой 2400 МГц. В таком случае пропускная способность будет равняться 2400 * 64/8=19200 Мбайт/с. Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200.

Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку (Row), а уже затем считывается информация из нужного столбца (Column). Информация считывается в так называемый усилитель (Sense Amplifiers) — механизм подзарядки конденсаторов. В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных (Burst) с каждого бита шины. Соответственно, при записи каждые 64 бита (8 байт) делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных (Burst Length). Если эта длина равна 8, то за один раз передается сразу 8 * 64=512 бит.

Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация (Memory Organization). Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Например, чип с плотностью 512 Мбит и разрядностью (шириной) 4 имеет глубину чипа 512/4=128М. В свою очередь, 128М=32М * 4 банка. 32М — это матрица, содержащая 16000 строк и 2000 столбцов. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность.

На маркировке без труда можно найти значения таймингов

Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги (задержки). В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше. Самыми важными являются следующие задержки:

TRCD (RAS to CAS Delay) — время, которое необходимо для активации строки банка. Минимальное время между командой активации и командой чтения/записи;
CL (CAS Latency) — время между подачей команды чтения и началом передачи данных;
TRAS (Active to Precharge) — время активности строки. Минимальное время между активацией строки и командой закрытия строки;
TRP (Row Precharge) — время, необходимое для закрытия строки;
TRC (Row Cycle time, Activate to Activate/Refresh time) — время между активацией строк одного и того же банка;
TRPD (Active bank A to Active bank B) — время между командами активации для разных банков;
TWR (Write Recovery time) — время между окончанием записи и подачей команды закрытия строки банка;
TWTR (Internal Write to Read Command Delay) — время между окончанием записи и командой чтения.

Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Например, при параметрах 11-13-13-31 тайминг CL равен 11, TRCD и TRP — 13, а TRAS — 31 такту.

Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR.1

Пришествие DDR

Разработка стандарта DDR (Double Data Rate) началась еще в 1996 году и закончилась официальной презентацией в июне 2000 года. С приходом DDR уходящую в прошлое память SDRAM стали называть попросту SDR. Чем же стандарт DDR отличается от SDR?

После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея. Поэтому в ассоциации производителей JEDEC пошли иным путем. Было решено вдвое увеличить шину внутри чипа, а передачу данных осуществлять также на вдвое повышенной частоте. Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Отсюда и берет свое начало аббревиатура DDR — Double Data Rate.

Модуль памяти DDR производства Kingston

С приходом стандарта DDR появились такие понятия, как реальная и эффективная частота памяти. К примеру, многие модули памяти DDR работали на скорости 200 МГц. Эта частота называется реальной. Но из-за того, что передача данных осуществлялась по обоим фронтам тактового сигнала, производители в маркетинговых целях умножали эту цифру на 2 и получали якобы эффективную частоту 400 МГц, которую и указывали в маркировке (в данном случае — DDR-400). При этом в спецификациях JEDEC указано, что использовать термин «мегагерц» для характеристики уровня производительности памяти и вовсе некорректно! Вместо него необходимо использовать «миллионы передач в секунду через один выход данных». Однако маркетинг — дело серьезное, указанные в стандарте JEDEC рекомендации мало кому были интересны. Поэтому новый термин так и не прижился.

Четыре модуля памяти работают в двухканальном режиме

Еще одним нововведением в DDR стало наличие сигнала QDS. Он располагается на печатной плате вместе с линиями данных. QDS был полезен при использовании двух и более модулей памяти. В таком случае данные приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до них. Это создает проблемы при выборе синхросигнала для считывания данных, которые успешно решает как раз QDS.

Как уже говорилось выше, модули памяти DDR выполнялись в форм-факторах DIMM и SO-DIMM. В случае DIMM количество пинов составляло 184 штуки. Для того чтобы модули DDR и SDRAM были физически несовместимы, у решений DDR ключ (разрез в области контактной площадки) располагался в ином месте. Кроме этого, модули памяти DDR работали с напряжением 2,5 В, тогда как устройства SDRAM использовали напряжение 3,3 В. Соответственно, DDR обладала меньшим энергопотреблением и тепловыделением в сравнении с предшественником. Максимальная частота модулей DDR составляла 350 МГц (DDR-700), хотя спецификациями JEDEC предусматривалась лишь частота 200 МГц (DDR-400).

Память DDR2 и DDR3

Первые модули типа DDR2 появились в продаже во втором квартале 2003 года. В сравнении с DDR, оперативная память второго поколения не получила существенных изменений. DDR2 использовала всю ту же архитектуру 2 n -prefetch. Если раньше внутренняя шина данных была вдвое больше, чем внешняя, то теперь она стала шире в четыре раза. При этом возросшую производительность чипа стали передавать по внешней шине с удвоенной частотой. Именно частотой, но не удвоенной скоростью передачи. В итоге мы получили, что если у DDR-400 чип работал на реальной частоте 200 МГц, то в случае DDR2-400 он функционировал со скоростью 100 МГц, но с вдвое большей внутренней шиной.

Также DDR2-модули получили большее количество контактов для присоединения к материнской плате, а ключ был перенесен в другое место для физической несовместимости с планками SDRAM и DDR. Вновь было снижено рабочее напряжение. Если модули DDR работали при напряжении 2,5 В, то решения DDR2 функционировали при разности потенциалов 1,8 В.

По большому счету, на этом все отличия DDR2 от DDR заканчиваются. Первое время модули DDR2 в отрицательную сторону отличались высокими задержками, из-за чего проигрывали в производительности планкам DDR с одинаковой частотой. Однако вскоре ситуация вернулась на круги своя: производители снижали задержки и выпускали более быстрые наборы оперативной памяти. Максимальная частота DDR2 достигала отметки эффективных 1300 МГц.

Различное положение ключа у модулей DDR, DDR2 и DDR3

Конечно, чипы DDR3 получили поддержку некоторых новых технологий: например, автоматическую калибровку сигнала и динамическое терминирование сигналов. Однако в целом все изменения носят преимущественно количественный характер.

DDR4 — очередная эволюция

Наконец, мы добрались до совершенно новой памяти типа DDR4. Ассоциация JEDEC начала разработку стандарта еще в 2005 году, однако лишь весной этого года первые устройства появились в продаже. Как говорится в пресс-релизе JEDEC, при разработке инженеры пытались достичь наибольшей производительности и надежности, увеличив при этом энергоэффективность новых модулей. Что ж, такое мы слышим каждый раз. Давайте посмотрим, какие конкретно изменения получила память DDR4 в сравнении с DDR3.

Знаю ответ, но ты в него не поверишь.
Неправильный, но официальный ответ - чтобы снизить сопротивление при вставке модуля. Чтобы сначала разгибались средние контакты, а потом крайние, и таким образом не требовалось усилие чтобы разогнуть все сразу.

Правильный ответ - чтобы очередную никому ненужную хрень, с дорогущим патентом, загнать в стандарт, и драть бабло со всех кто хочет производить разъём под эту память. В действительности всё равно планку памяти будут вставлять начиная с края, а этот изгиб как раз и окажет дополнительное сопротивление. В результате, даже если вставили криво, это не заставит человека задуматься. Инстинктивно, он просто приложит большее усилие. Особенно индус, которому поставили план по сборке, и у него нет лишней секунды разглядывать разъёмы.

Если кратко - затем же, зачем у Айфона разъём наушников убрали.

Для более лёгкой установки.

Защита от дурака? Чтобы в прошлые разъемы не воткнуть

This is to help with insertion. From www.kingston.com:
"Curved edge DDR4 modules feature a curved edge to help with insertion and alleviate stress on the PCB during memory installation."

туда напруга подаётся чаще

модуль должен жить дольше

(для того, что бы помер быстрее придуманы менее видимые "закладки")

Хороший отец

Китай откажется от Windows в госсекторе через три года. Ее замена почти готова

Власти Китая инициировали разработку новой системы Unity Operating System в рамках постепенного отказа от иностранного ПО, в частности, ОС Windows. Система создается в версиях для ПК и серверов и базируется на китайском Linux-дистрибутиве, в основе которого лежит Debian. Стабильная версия UOS вышла в январе 2020 г. Вместе с UOS и Deepin Китай разрабатывает еще несколько национальных систем – Kylin, NeoKylin Linux и Ubuntu Kylin.

Китайский ответ Microsoft

В Китае начался постепенный отказ от зарубежных компьютеров ПО в госсекторе. Как пишет портал Softpedia, Стратегия разработана сроком на три года – к концу 2022 г. импортозамещение ПО и электроники в в этой области должно быть стопроцентным.

Для выполнения этого плана в Китае ведется разработка операционной системы Unity Operating System (UOS), которая должна стать полноценной заменой ОС семейства Windows. Создание ОС поручено властями КНР компании Union Tech.

По информации Softpedia, переход на UOS может начаться в течение 2020 г., поскольку система, первая бета-версия которой появилась в конце 2019 г., очень быстро эволюционирует и развивается. Точные сроки начала отказа от Windows ресурс не называет.

Что такое UOS

Unity Operating System разрабатывается в двух модификациях – настольной для домашних и офисных ПК и серверной. Первую публичную бета-версию девелоперы опубликовали 19 декабря 2019 г., а релиз первой стабильной версии состоялся 14 января 2020 г.

Основу UOS составляет Deepin – дистрибутив Linux, разработка которого изначально (с 2004 г.) велась китайскими специалистами. Первое время проект носил название Hiweed Linux. Создаваемый китайскими разработчиками, в 2011 г. он перешел под контроль компании Wuhan Deepin Technology и сменил название на актуальное, а спустя еще три года он стал международным проектом, присоединившись к Linux Foundation.

В основе Deepin Linux находится дистрибутив Debian Linux. OC располагает собственным интерфейсом и широким спектром предустановленных утилит – их количество достигает 30 и включает файловый менеджер Deepin File Manager и видеоплеер DMovie. Также в наличии центр установки программ Deepin Software Center, а программам сторонних разработчиков относится, в частности, пакет офисных приложений WPS Office. Что из этого достанется в итоге UOS, пока неизвестно.

KaiXian KX-6000 и KaiSheng KH-30000 – одни из самых актуальных на момент публикации материала процессоров Zhaoxin. Это х86-совместимые чипы, выполненные по 16-нанометровому техпроцессу, в них присутствуют до восьми ядер с базовой частотой до 3 ГГц, а сама Zhaoxin – это совместное предприятие, образованное в 2013 г. властями Шанхая (Китай) и компании Via, давнего конкурента Intel и AMD.

Многочисленные китайские ОС

В распоряжении Китая есть несколько операционных систем собственной разработки, помимо UOS и Deepin. Последний, отметим, в настоящее время устанавливается на ряд ноутбуков компании Huawei, выбравшей его вместо Windows.

Huawei владеет собственной программной платформой Harmony OS, дебютировавшей в августе 2019 г. В отличие от UOS, Deepin и нижеперечисленных систем, ориентированных на серверы, настольные ПК, ноутбуки и встраиваемые системы и заменяющих Windows, Harmony OS позиционируется как замена мобильной ОС Android.

Многочисленные китайские ОС

В список национальных операционных систем Китая также входит Kylin – первая отечественная китайская ОС. Она существует с 2001 г., и поначалу ее создавали специалисты Оборонного научно-технического университета Народно-освободительной армии Китая (НОАК). В настоящее время над ней работает крупный китайский софт-девелопер Tianjin Kylin Information (TKC).

Изначально Kylin основывалась на FreeBSD, но эта версия системы была признана неудачной и развития, как и широкого распространения, не получила. Она использовалась лишь в нескольких китайских военных сетях. Сейчас в основе системы лежит ядро Linux.

Существует и операционная система Ubuntu Kylin – национальная китайская ОС, основанная на дистрибутиве Ubuntu Linux и созданная в рамках сотрудничества с компанией Canonical (она занимается развитием Ubuntu). Первая версия системы вышла весной 2013 г.

«Что продали — тем и пользуйся и никуда не лезь!» Именно под таким девизом собирается значительная часть современных ноутбуков и, в особенности, ультрабуков. Они крайне сложно поддаются апгрейду, если вообще поддаются.

Возможно, причиной тому послужили и сами потребители, которым совершенно не интересно разбираться в «железе», какой сокет материнской платы к какому процу подходит и с какой DDR это всё сочетается. В какой то момент, перейдя на «мак», я тоже перестал задумываться об этом и понял насколько удобно просто достать ноутбук из коробки и получить полностью рабочий инструмент без всяких танцев с бубном.

Но вернёмся к теме распаянной оперативной памяти. Я ещё понимаю, когда производитель борется за каждый дополнительный миллиметр толщины ультрабука, тогда ещё есть хоть какое-то оправдание «приколоченных гвоздями» к материнской плате комплектующих. Но ведь это вошло в моду и для самых бюджетных моделей, где места внутри корпуса вагон, а вот сами комплектующие оставляют желать лучшего, но установлены «на века».

Ярким примером такой неудачной модели может выступить всё тот же многострадальный нетбук ASUS Eee PC 1011px. У него на плате распаяно всего 1 ГБ оперативной памяти и нет абсолютно никакой возможности её расширить. Некоторую надежду может вселять заглушка на задней крышке корпуса, по размеру и форме явно намекающей, что под ней должен скрываться слот для установки оперативной памяти. Надежды рухнут когда вы её снимете и увидите просто часть материнской платы без дополнительного слота (он имеется в другой версии данного ноутбука).

Для владельцев Macbook такое не в диковинку, на «яблочных» ноутбуках память уже давно распаивается на матери (начиная с 2014 года) и не предусмотрено слотов расширения. По этому пути пошла и ASUS с ноутбуками Х-серии (Х501, Х200) и вышеупомянутые Eee PC.

Реально ли перепаять память?

Многих интересует вопрос, если оперативка распаяна на плате, можно ли перепаять чипы памяти и увеличить её объём? В сети можно найти редкие примеры такой модернизации, вот только процесс этот крайне затратный и явно того не стоит.

Даже если вам удасться перепаять сами чипы памяти, заменив их более ёмкими с подходящей планки памяти, ноутбук скорее всего их не увидит. Одной лишь аппаратной заменой тут не обойтись, потребуется модифицировать BIOS.

Дело в том, что на любом модуле памяти присутствует специальный чип SPD (Serial Presence Detect), в котором производителем записывается информация о рабочих частотах и соответствующих задержках чипов памяти, необходимых для обеспечения нормальной работы модуля. Данная информация считывается BIOS-ом материнской платы до загрузки операционной системы на этапе самотестирования компьютера.

Насколько мне известно, микросхему SPD на материнских платах не распаивают и вся информация о памяти, расположенной на плате ноутбука, хранится в BIOS. Таким образом без модификации прошивки у нас ничего не получится, даже если мы физически заменили чипы. Теперь прикидываем стоимость такой работы и благополучно забываем о затее с перепайкой, ведь работа обойдётся дороже чем сам ноутбук.

Так что, приобретая новый ноутбук (особенное это касается бюджетных моделей), не поленитесь уточнить наличие дополнительного слота памяти или берите модель, где точно уверены что её вам будет достаточно.

Яндекс.Дзен и узнавайте первыми о новых материалах, опубликованных на сайте.

Если считаете статью полезной,
не ленитесь ставить лайки и делиться с друзьями.

Инструменты сисадмина. Загрузочная флешка SonyaPE USB Пропал звук в играх на iPad Как удалить обновление Windows 10, которое не удаляется Обход блокировок. Как без проблем скачивать фильмы с Рутрекера У электриков со стажем "бомбануло" от статьи про выбор "автоматов" Что бьёт и убивает – ток или напряжение?

Комментариев: 10

Ну и о чем статья? Лишь бы буковки в Интернет выплюнуть.

Кто хоть что-нибудь понимает в этом - и так знает, а кто не понимает - тому бестолку.

Павел, Я увлекаюсь темой компьютеров полтора года и эта статья - первая, которая рассказывает об этом. Так что не для всех это элементарно

Павел, когда я брал свой комп, я тоже этим всем не увлекался, да и интернета не было, а сейчас я свой дряхлый комп прокачал, на сколько смог с помощью "гугл в помощь". До этой статьи я и не знал, что ОЗУ начали впаивать в платы и это очень плохой знак. А что если все производители решат всё впаивать в плату, то все апгрейды кончатся, устарел комп - выбрасывай/продай/сдай/отдай и иди покупать новый. (так произошло с машинами в которых двигатели миллионники были, теперь тысячники (ведь выГАДно делать быстроломающиеся машины и электронику, чтоб производство не стояло и люди всегда покупали, а что насчёт тех, у кого денег нет часто покупать, ИХ ПРОБЛЕМЫ и всем насрать)).

Практически любую память можно перепаять, удвоить объём. Кроме разве что совсем уже устаревшей. И то лишь потому что её будет сложно (или уже невозможно) достать. На счёт стоимости работ. ну это от жадности мастера зависит. Как правило всегда можно договорится. Кто ищет тот находит. А кто искать не умеет, тот бежит тратить кучу денег на якобы новое. Собственно статья похоже, именно об этом. Не надо мол искать варианты, надо срочно бежать за новым. Ну как то так. :)

Sergey, статья как раз для тех, которые считают что всё можно быстренько переделать за копейки. Попробуйте, для начала, найти тех кто согласится взяться за данный апгрейд, а потом огласите ценник.

Видно что вы не очень знакомы с темой и весьма смутно представляете техническую сложность такой замены. Достать чипы памяти в этом деле — самое простое.

Ну и модель Вы нашли. Обычно было 2Гб . с 1 гб надо было еще постараться найти. Ее уже лет 9 как не выпускают. А в те времена ( 2010-2012 гг) , 1 Гб для хватало ходить в инет. А если смотреть реально, то если у человека не хватило мозгов попросить помочь ( друга, сына, соседа . ) знающего пользователя, то ему и гига много.

Мне видеопроцессор перепаивали, вместе с обвязкой и мост меняли (уже не помню какой). На коленке это не делается разумеется, нужна оснастка, при чем по месту. Т.е. её один раз используют а дальше можно выкидывать. Ну или тупо годами ждать такой же не гарантийный случай. ) А дальше ещё надо было базовый биос менять, под конкретную графику и заставить его работать совместно с основным. Вся эта работа, уж поверьте, заметно сложнее, примитивной перепайки оперативки. Сложность не в самой работе, а в том что, профессионалов способных с ней справится, можно по пальцам перечесть. Перепаивают в ноутах даже центральные процессоры, хоть это и считается невыполнимым. Умельцы есть.

Ценник за работу озвучивать не буду и адреса не дам. Но полная замена ноутбука влетела бы в копеечку, а так вполне адекватный ценник был. Не дёшево но сносно. Менять плату целиком, так же равносильно покупке нового ноутбука. К тому же заменить плату я и сам могу, "спецы" мне для этого не требуются.

Интерес был именно в возможности замены, на уровне элементной базы. Ценник иной, заметно ниже. ) Так что уважаемый, лечите другого, меня не надо. ) И нет я не продвинутый электронщик, просто кое что умею.

Sergey, "Вся эта работа, уж поверьте, заметно сложнее, примитивной перепайки оперативки" - нет. замена мостов, видеочипов - простейшая по сути операция. снял старый - поставил новый. с оперативной памятью такое не пройдет. как и с памятью ссд диска, или видеокарты или телефона. об этом и написал автор в статье.

не скажу, что это совсем не возможно - возможно, теоретически. Но практически за это никто не возьмется. полностью написать новый биос именно под этот ноутбук и именно для той памяти, которую поставили. кто это умеет?

я знаю, что китайцы на коленке практически и не дорого в айфонах память легко меняют с 64 на 128 или 256 и тут же прямо в мастерской перепрограммируют всё, что нужно для того, чтобы процессор и остальное железо адекватно воспринимало новое количество памяти - они наверное также легко и в ноуте это сделают. Но мы не в китае.

Если бы это работало так легко, как замена проца/видеокарты/моста - у нас бы уже каждый увеличивал память на всех устройствах - телефонах, видеокартах, ссд, ноутах.

Блог Электроника, да таким Сергеям доказывать что-то бесполезно, пусть живут в своём выдуманном мире. Почитав что ему «перепаивали», дешевле было другую материнскую плату найти, ибо ремонтировать уже нецелесообразно.

Или другой вариант, что погореть могла мелочёвка, а раз человек не разбирается, то наговорить можно что угодно.

Читайте также: