Самая большая оперативная память ddr2

Обновлено: 03.07.2024

Впрочем, чтобы разобраться во всех этих нюансах и выяснить, что такое латентность и почему эта характеристика более важна, чем тактовая частота, нам надлежит сначала понять, как работает оперативная память.

Что такое оперативная память

Поскольку элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор элементарных ячеек, каждая из которых способна хранить один информационный бит.

Поскольку элементарной единицей информации для современных компьютеров является байт (восемь бит), то для простоты можно считать, что элементарная ячейка памяти, которая может адресоваться, хранит не бит, а байт информации. Таким образом, доступ в памяти производится не побитно, а побайтно.

Микросхемы памяти организованы в виде матрицы, напоминающий лист бумаги в клетку, причем пересечение столбца и строки матрицы задает одну из элементарных ячеек. Кроме того, современные чипы памяти имеют несколько банков, каждый из которых можно рассматривать как отдельную матрицу со своими столбцами и строками.

Рис. 1. Упрощенная схема чипа памяти

При обращении к той или иной ячейке памяти следует задать адрес нужной строки и столбца.

Сигнал CS позволяет выбрать требуемый чип памяти. Когда сигнал активен, возможен доступ к чипу памяти, то есть чип активируется. В противном случае чип памяти недоступен.

Сигналы BA0 и BA1 позволяют адресовать один из четырех банков памяти. Учитывая, что каждый сигнал может принимать одно из двух значений: 0 или 1, комбинации 00, 01, 10 и 11 позволяют задать адрес четырех банков памяти.

Когда выбраны чип и банк памяти, можно получить доступ к требуемой ячейке памяти, задав адрес столбца и строки. Адрес строки и столбца передается по специальной мультиплексированной шине адреса MA (Multiplexed Address).

Для считывания адреса строки на входы матрицы памяти подается специальный стробирующий импульс RAS (Row Address Strobe). Если точнее, то этот импульс представляет собой изменение уровня сигнала с высокого на низкий, то есть при переходе сигнала RAS с высокого уровня на низкий возможно считывание адреса строки.

При этом отметим, что само считывание адреса строки происходит не в момент изменения RAS-сигнала, а синхронизовано с положительным фронтом тактирующего импульса.

Кстати, заметим, что, поскольку все события памяти (считывание адреса строки и столбца, выдача или запись данных) синхронизованы с фронтами тактирующего импульса, память называется синхронной.

После того как все данные записаны или считаны с ячеек активной сроки, необходимо выполнить команду Precharge, которая закрывает активную строку и позволяет активировать следующую строку. Команды, используемые для записи или чтения, и соответствующие им состояния стробирующих импульсов представлены в табл. 1 и на рис. 2.

Таблица 1. Команды, используемые для записи или чтения ячеек памяти

Рис. 2. Диаграмма команд RAM-памяти

Характеристики памяти

ак известно, главной характеристикой памяти является ее пропускная способность, то есть максимальное количество данных, которое можно считать из памяти или записать в память в единицу времени. Именно эта характеристика прямо или косвенно отражается в названии типа памяти.

К примеру, память DDR400 имеет пропускную способность 400 МГц x 8 байт = 3,2 Гбайт/с. Если память работает в двухканальном режиме, то теоретическая пропускная способность памяти удваивается, то есть для памяти DDR400 в двухканальном режиме она составляет 6,4 Гбайт/с. Теоретическая пропускная способность для различных типов памяти отображена в табл. 2.

Таблица 2. Соответствие типа памяти и теоретической пропускной способности

С учетом того, что типичной ситуацией является использование памяти в двухканальном режиме, память DDR2-533 вполне обеспечивает сбалансированное решение.

Рис. 3. Блок-схема последовательности команд RAM-памяти

После команды чтения (записи) данных и до выдачи первого элемента данных на шину (записи данных в ячейку памяти) проходит промежуток времени, который называется CAS Latency. Эта задержка измеряется в тактах системной шины и обозначается tCL. Каждый последующий элемент данных появляется на шине данных в очередном такте.

Завершение цикла обращения к банку памяти осуществляется подачей команды PRECHARGE, приводящей к закрытию строки памяти. После команды PRECHARGE и до поступления новой команды активации строки памяти должен пройти промежуток времени (tRP), называемый Row Precharge.

Понятно, что чем меньше тайминги, тем более быстродействующей является память. Поэтому если сравнивать память с таймингом 3-3-3-5-(1T) и память с таймингом 3-2-2-5-(1T), то последняя оказывается более быстродействующей.

Память SDR

азобравшись с такими важными характеристиками памяти, как ее тайминги, можно перейти непосредственно к принципам работы памяти. Несмотря на то что данная статья посвящена современной памяти DDR2, рассмотрение принципов работы памяти мы начнем с синхронной SDRAM-памяти типа SDR (Single Data Rate).

В SDR SDRAM-памяти обеспечивается синхронизация всех входных и выходных сигналов с положительными фронтами импульсов тактового генератора. Весь массив памяти SDRAM-модуля разделен на два независимых банка. Такое решение позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть одновременно иметь две открытые страницы. Доступ к этим страницам чередуется (bank interleaving), и соответственно устраняются задержки, что обеспечивает создание непрерывного потока данных.

Наиболее распространенными типами SDRAM-памяти до недавнего времени являлись PC100 и PC133. Цифры 100 и 133 определяют частоту системной шины в мегагерцах (МГц), которую поддерживает эта память. По внутренней архитектуре, способам управления и внешнему дизайну модули памяти PC100 и PC133 полностью идентичны.

В SDRAM-памяти организована пакетная обработка данных, что позволяет производить обращение по новому адресу столбца ячейки памяти на каждом тактовом цикле. В микросхеме SDRAM имеется счетчик для наращивания адресов столбцов ячеек памяти, чтобы обеспечить быстрый доступ к ним.

В SDRAM-памяти ядро и буферы обмена работают в синхронном режиме на одной и той же частоте (100 или 133 МГц). Передача каждого бита из буфера происходит с каждым тактом работы ядра памяти.

Временная диаграмма работы памяти SDR SDRAM показана на рис. 4.

Рис. 4. Временная диаграмма работы SDR SDRAM-памяти

Память DDR

амять DDR SDRAM, которая пришла на смену памяти SDR, обеспечивает в два раза большую пропускную способность. Аббревиатура DDR (Double Data Rate) в названии памяти означает удвоенную скорость передачи данных. В DDR-памяти каждый буфер ввода-вывода передает два бита за один такт, то есть фактически работает на удвоенной тактовой частоте, оставаясь при этом полностью синхронизированным с ядром памяти. Такой режим работы возможен в случае, если эти два бита доступны буферу ввода-вывода на каждом такте работы памяти. Для этого требуется, чтобы каждая команда чтения приводила к передаче из ядра памяти в буфер сразу двух бит. С этой целью используются две независимые линии передачи от ядра памяти к буферам ввода-вывода, откуда биты поступают на шину данных в требуемом порядке.

Поскольку при таком способе организации работы памяти происходит предвыборка двух бит перед передачей их на шину данных, его также называют Pre-fetch 2 (предвыборка 2).

Для того чтобы осуществить синхронизацию работы ядра памяти и буферов ввода-вывода, используется одна и та же тактовая частота (одни и те же тактирующие импульсы). Только если в самом ядре памяти синхронизация осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, то в буфере ввода-вывода для синхронизации используется как положительный, так и отрицательный фронт тактирующего импульса (рис. 5). Таким образом, передача двух бит в буфер ввода-вывода по двум раздельным линиям осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, а их выдача на шину данных происходит как по положительному, так и по отрицательному фронту тактирующего импульса. Это обеспечивает в два раза более высокую скорость работы буфера и соответственно вдвое большую пропускную способность памяти (см. рис. 5).

Рис. 5. Временная диаграмма работы DDR SDRAM-памяти

Все остальные принципиальные характеристики DDR-памяти не изменились: структура нескольких независимых банков позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть можно одновременно иметь две открытые страницы. Доступ к этим страницам чередуется (bank interleaving), что приводит к устранению задержек и обеспечивает создание непрерывного потока данных.

Память DDR2

сли следовать терминологии SDR (Single Data Rate), DDR (Double Data Rate), то память DDR2 было бы логично назвать QDR (Quadra Data Rate), поскольку этот стандарт подразумевает в четыре раза большую скорость передачи, то есть в стандарте DDR2 при пакетном режиме доступа данные передаются четыре раза за один такт. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода работал на учетверенной частоте по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по четырем независимым линиям в буфер ввода-вывода передаются четыре бита информации (выборка четырех битов за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на удвоенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту этой частоты. Иными словами, с приходом положительного и отрицательного фронтов происходит передача битов в мультиплексном режиме на шину данных (рис. 6). Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать четыре бита на шину данных, то есть вчетверо повысить пропускную способность памяти.

Рис. 6. Временная диаграмма работы памяти DDR2 SDRAM

От теории к практике: память DDR2-667 Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS

зучив теоретические аспекты функционирования современной памяти DDR2, перейдем от теории к практике. В качестве примера мы рассмотрим новую память SDRAM DDR2-667 компании Kingmax. Стенд для тестирования имел следующую конфигурацию:

процессор: Intel Pentium 4 570 (тактовая частота 3,8 ГГц, кэш L2 1 Мбайт);
частота FSB: 800 МГц;
материнская плата: MSI P4N Diamond;
чипсет: NVIDIA nForce4 SLI Intel Edition;
память: два модуля DDR2-667 Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS объемом по 1 Гбайт каждый (двухканальный режим работы);
видеокарта: MSI NX6800 Ultra-T2D512E.

К сожалению, технической информации о модулях Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS на сайте производителя маловато. Единственное, что удалось узнать, так это об организации модуля (8Ѕ128 Мбайт) и о значении параметра CAS Latency, которое составляет 5 тактов.

Для тестирования памяти мы использовали тестовый пакет RightMark Memory Analyzer v 3.55 и набор игровых бенчмарков: Half-Life 2, DOOM 3, FarCry 1.3, Unreal Tournament 2004 и 3DMark 2003. С целью увеличения нагрузки на процессор и память при тестировании использовалось разрешение 640Ѕ480 точек, а драйвер видеокарты настраивался на максимальную производительность.

Как выяснилось в процессе тестирования, модули памяти KLCD48F-A8EB5-ECAS имеют тайминги по умолчанию (by SPD) и составляют последовательность 5-5-5-13-(2T). Таким образом:

Для того чтобы оценить потенциальные возможности модулей памяти по разгону (но без ущерба для стабильности), мы также провели тестирование в режиме с наименьшими таймингами, которые были определены методом проб и ошибок. Как выяснилось, минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули памяти на тактовой частоте 667 МГц, составляют последовательность 4-3-3-5-(2T). Кроме того, мы провели разгон памяти по тактовой частоте, чтобы оценить максимально возможную тактовую частоту, поддерживаемую данными модулями при работе в двухканальном режиме.

Для тестирования с использованием тестового пакета RightMark Memory Analyzer v 3.55 использовались встроенные в бенчмарк пресеты:

• RAM Performance Stream;

• Average Memory Bandwidth, SSE2;

• Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2;

• Average RAM Latency;

• Minimal RAM Latency, 16 Mbyte Block, L1 Cache line.

Результаты тестирования с использованием тестового пакета RightMark Memory Analyzer v 3.55 представлены в табл. 3.

Таблица 3. Результаты тестирования модулей KLCD48F-A8EB5-ECAS в двухканальном режиме
с использованием тестового пакета RightMark Memory Analyzer v 3.55

Как следует из результатов тестирования, тайминги по умолчанию (by SPD) являются сильно завышенными. Уменьшение таймингов не оказывает влияния на стабильность работы модулей памяти, однако приводит к значительному увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при таймингах 5-5-5-13-(2T) составляет 5967,3 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 4-3-3-5-(2T) пропускная способность увеличивается до 6294,9 Мбайт/с, то есть на 5,5%. Отметим, что значение 6294,9 Мбайт/с близко к теоретическому пределу пропускной способности процессорной шины, которая в данном случае составляет 6,4 Гбайт/с.

Увеличение тактовой частоты до 710 МГц не оказывает влияния на стабильность в работе памяти, однако добиться значительного увеличения производительности памяти в данном случае не удается, что еще раз подтверждает тот факт, что изменение таймингов памяти оказывает существенно большее влияние на производительность памяти, нежели увеличение тактовой частоты.

Теперь обратимся к результатам игровых тестов (табл. 4). Как видите, уменьшение таймингов памяти позволяет (хотя и незначительно) увеличить результаты во всех игровых тестах. В то же время увеличение тактовой частоты памяти никак не отражается на результатах теста.

Таблица. 4. Результаты тестирования модулей памяти KLCD48F-A8EB5-ECAS в двухканальном режиме в игровых приложениях

Итак, если говорить о рассмотренных модулях памяти Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS, то можно констатировать, что в сочетании с материнской платой MSI P4N Diamond, а следовательно, и с чипсетом NVIDIA nForce4 SLI Intel Edition, эти модули обеспечивают гарантированно стабильную работу и прекрасно разгоняются путем уменьшения таймингов. Именно поэтому мы решили присвоить модулям Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS знак «Редакция рекомендует».

Что . ты тоже считаешь что есть оперативная память для AMD и Intela ?

могу тебя обрадовать нету такого понятия как AMD и Intel это маркетинг !

Чисто технически нет такого понятия "память под AMD/Intel". Есть стандарт: DDR,DDR2,DDR3,DDR4 и частота работы - матерински плат, его поддерживающие, обязаны работать с любыми модулями данного стандарта.
Оперативной памяти "специально под AMD/Intel" нет.
Я неоднократно заказывал довольно большие партии указанных выше планок RAM. Продавцы почему-то позиционируют их как память только для материнских плат с AMD/Intel процессорах. И уверяют, что с процессором Интел работать не будут.

На самом деле ситуация обстоит совсем иначе. Эти планки памяти уже множество раз тестировал на разных матерински платах под Intel. Работают отлично.
То, что у кого то они отказываются работать с Интелом - это индивидуальный конфликт памяти с материнской платой.

А для чипсетов ARM, NVidia, VIA, SiS там случаем спецом памяти не придумали? Это относится также и к новым оперативной памяти
DDR,DDR2,DDR3,DDR4

Да нет памяти DDR2 для AMD и для Intel отдельно. 1. БЫВАЮТ. технологии интеллектуального разгона, т. н. профили "для Intel" - XMP (Extreme Memory Profile), а для "AMD" - BEMP (Black Edition Memory Profil). Но их можно не использовать, а руками разгонять. Тобись ставить частоту проца, шины, памяти и тайминги своими ручками-корючками, а не доверять умным дядям. А можно вообще не разгонять. Тогда комп умрёт морально и станет не нужным рабочим раритетом, а не сгорит с достоинством как храбрый воин. 2. Говорят! Бывают требования материнок к памяти, но их ни кто не придерживается. Иначе бы нельзя было ставить любую другую память, чем указана в списке в мануале к матери. Просто те, которые в мануале - протестированы производителем. 3. Действительно есть только напряжение питания, порой для AMD ниже, но каждый оверклокер знает, что ничего страшного в повышении напряжения на пару десятых вольта нет, а если ниже - хуже разгоняется. 4. Есть тайминги, дак их можно вручную настроить и платформа Интел-AMD тут не причём. 5. Бывают требования к прецизионности элементной базы, для Интел выше для AMD ниже, от сюда и цена, тогда DDR2 AMD должны быть как минимум 30-40% ниже. чем для Интел. 6. Бывает маркетинговый шаг, диктующий, что "богатенький", купивший дорогой Интел, купит и дорогую память))) Ну на основании этого всего, для ТЕХ КТО НЕ ЛЮБИТ НОГО БУКАФФ - ВЫВОД: 1. В идеале память нужно подбирать под каждый чипсет, под каждую конкретную мать. 2. Нармальный Эй пацаны и простой честный народ может спокойно ставить Интеловскую память на чипсеты AMD, а брендовую, а не подвальную чайнатауновскую память куда угодно. 3. А гомно - оно и в Африке гомно, и дурно пахнет, особенно когда горит и та память, которая "ТОЛЬКО ПОД AMD" - примерно так будет пахнуть)))

Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.

Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.

Основные характеристики оперативной памяти

Итак, давайте для начала определимся с тем, какая вообще оперативная память есть на рынке и чем планки могут отличаться друг от друга. Если отбросить в сторону бренды и цены, то обращать внимание имеет смысл на следующие нюансы: производителя самих чипов памяти, наличие или отсутствие у неё XMP и пассивного охлаждения в виде радиатора, на ранговость, на требуемое для работы напряжение и на частоту с таймингами. В этот список можно было бы включить заодно и стандарт памяти (DDR3 или DDR4), но поскольку речь идёт об актуальных на 2021 год компьютерах, то вариант всего один: DDR4. DDR3 уже отжила свой век. Ну что же, все основные характеристики перед нами — подробнее разберём каждую из них.

Производитель чипов памяти

При выборе планки можно вообще не обращать внимание на изготовителя той или иной модели оперативной памяти. На этикетке может быть указана, например, HyperX, но эта компания не имеет своих мощностей по производству памяти. Фирма просто закупает чипы, припаивает их к печатной плате, придумывает дизайн и наклеивает сверху свой лейбл.

На что реально нужно смотреть, так это на чипы памяти, которые, как правило, скрыты от любопытных глаз. Скажем, Samsung B-Die (Samsung — производитель, B-Die — компоновка кристалла) — это лучшее, что есть на сегодняшний день. А ешё есть Nania, Spectek и Elpida, которые уже не очень. Проблема вот в чём: никто из производителей вам, конечно, не скажет, что из перечисленного стоит под красивым радиатором. Чтобы это выяснить, придётся копать форумы или читать отзывы на крупных торговых площадках. Также можно воспользоваться программой Thaiphoon Burner, но это так себе решение, поскольку предполагает то, что память уже у вас на руках. Тем не менее, вариант вполне рабочий при покупке б/у модулей.

Ещё есть сайт B-Die Finder: с его помощью можно отыскать практически все существующие модули памяти на базе чипов Samsung B-Die. Опытные пользователи, конечно, и по косвенным признакам могут догадаться, что стоит «под капотом» того или иного модуля. Скажем, память с частотой 3200 МГц и CL таймингом 14 — это абсолютно точно Samsung B-Die. А вот два с виду одинаковых модуля с частотой 3600 Мгц и CL 16 могут быть сделаны как Samsung, так и Hynix (Это уже намного лучше, чем Elpida, Spectek и Nania, но все еще не Samsung B-Die или, например, Micron E-Die).

Xtreme Memory Profile, или XMP

Xtreme Memory Profile — профиль настроек, которые сохраняются в SPD-модуле оперативной памяти. Он представляет из себя определённые частоты и тайминги, на которых должен функционировать модуль после успешной активации XMP в BIOS. И это, кстати, стоит учитывать: покупка модулей с поддержкой XMP ещё не значит, что она сразу же будет работать на заявленных частотах. Без активации профиля память запустится на базовой для DDR4 частоте — 2133 МГц.

Словом, XMP — это заводской разгон памяти, не требующий от пользователя ничего, кроме пары кликов мышкой. Однако есть нюанс, которого стоит опасаться. XMP — это не всегда гарант стабильности: нередки случаи, когда после активации профиля заводского разгона компьютер попросту не запускается. В 99,9% случаев эту проблему можно решить, однако это уже требует знаний, поскольку придётся вручную устанавливать все необходимые напряжения, частоты и тайминги. Что делать, если у вас этих знаний нет или вы попросту не хотите этим заниматься? Обращаться к QVL.

QVL, или Qualified Vendors List (квалифицированный список поставщиков) — это список протестированных на конкретной материнской плате модулей оперативной памяти с указанием всех частот, напряжений и таймингов. Если выбранная вами память есть в QVL интересующей вас материнки, смело приобретайте. QVL для нужной платы находится легко: заходите на официальную страничку материнской платы, ищете разделы Support или Downloads и там находите что-то вроде Memory Support List.

Тут же ответим на весьма популярный вопрос: «Что делать, если я хочу купить память с XMP 4400 МГц CL 17, она есть в QVL моей материнской платы, но на официальном сайте Intel (или AMD) указана поддержка лишь 2133 МГц?»

Корни этой проблемы кроются в неверной трактовке спецификаций процессоров. Те 2133 МГц, что вы видите, — всего лишь на 100% гарантированная частота модулей оперативной памяти, с которыми ваш процессор запустится обязательно. Это вовсе не означает, что встроенный в ЦП контроллер памяти не в состоянии работать с более высокими частотами. У Intel все процессоры Core, начиная с 6-го и заканчивая 10-м поколением, способны работать с комплектами оперативки, частоты которых лежат далеко за пределами 4 ГГц. В 11-м поколении (из-за изменений по части контроллера) поддерживаемые частоты существенно снизились, но это всё ещё внушительные 3733-3800 МГц. Примерно тот же предел и у современных процессоров AMD Ryzen, но в крайне редких случаях он может достигать 4000 МГц.

Радиаторы. Нужны или нет?

Нужна ли модулям памяти система пассивного охлаждения? И да, и нет. Всё зависит от нескольких факторов.

Если речь идёт о низкочастотной оперативке (в пределах от DDR4-2133 МГц до DDR4-3000 МГц) с низким напряжением до 1,35 В, то никакой радиатор не потребуется. А вот если вы планируете эту память разгонять или речь идёт об изначально высокочастотных модулях, работающих на напряжениях от 1,35 В, то радиатор и его обдув холодным воздухом строго необходимы. Без этих условий работать память, конечно, будет, но нестабильно. Синие экраны (BSOD), внезапные перезагрузки и вылеты приложений на рабочий стол — вот к чему ведёт её перегрев.

Ранг оперативной памяти

Память в основном бывает одноранговой и двухранговой (крайне редко встречается память с четырьмя рангами). В Сети ходит миф о том, что двухранговая память работает якобы быстрее, чем одноранговая (на одинаковых частотах), однако это не совсем так. Всё дело во второстепенных таймингах. Но мы сейчас не будем углубляться в теорию того, что они из себя представляют. Главное, что нужно понять: если вы не планируете вручную настраивать оперативку, лучше выбирать два ранга (как правило, это модули, у которых чипы памяти распаяны с двух сторон печатной платы, но бывают и исключения). Если же вы можете вручную выставить агрессивные второстепенные тайминги, то никакой разницы между одноранговой и двухранговой памятью не будет (или же разница составит 0,5-1%).

Куда важнее обращать внимание на канальность памяти. Никогда не покупайте в пару к современному процессору один модуль оперативки: так вы вынудите ЦП работать с памятью в одноканальном режиме, и это существенно снизит общую производительность вашего ПК. Всегда берите два модуля.
Но можно ли ставить больше: например, четыре или восемь?

Да, можно. Однако следует понимать, что процессор, рассчитанный на работу с двумя каналами памяти (Dual Channel), не будет работать в четырёхканальном режиме, даже если вы установите четыре модуля. Для активации четырёхканального режима (Quad Channel) необходим ЦП, поддерживающий его. Как правило, такие процессоры принадлежат к высшей (HEDT) ценовой категории либо к серверным решениям (десктопные Intel Core X и серверные Xeon от Intel, а так же Ryzen Threadripper наряду с серверными EPYC у AMD). То, со сколькими каналами памяти может работать непосредственно ваш процессор, уточняйте в официальных спецификациях изготовителя.

Частоты и тайминги

О том, что, такое частоты и тайминги, мы в подробностях расскажем в отдельном материале, о котором упоминали в начале этой статьи. Сейчас же обойдёмся общими положениями.

Итак, за правило можно взять одно: чем выше частота оперативки и чем ниже её тайминги, тем лучше. Например, если вы видите перед собой два комплекта памяти, один на 3200 МГц с таймингами 14-14-14-14-34 и второй на 3600 МГц с такими же таймингами, выбирать всегда следует второй. Однако такие высокоскоростные решения, как правило, не слишком привлекают своими ценами, и в реальной жизни приходится идти на компромиссы. Тогда наши рекомендации таковы: выбирайте комплекты на 3000 МГц с CL таймингом 15 и комплекты на 3200 МГц с CL таймингом 16. Это не самое быстрое решение, что можно найти на рынке, но далеко и не самое медленное — некий оптимум, идеально подходящий для любого современного процессора. Да, с такой памятью вы не выжмете из своего ЦП всех соков в плане производительности (а именно он и выигрывает от роста эффективности работы памяти), но и много не потеряете. Причём последнее касается не только производительности, но и денег.

Но ни в коем случае не покупайте в пару к современным процессорам память с частотой от 2133 до 2666 МГц, если хотите получить от них достойную производительность. Сегодняшние ЦП эффективны и упираются не столько в вычислительную мощность своих ядер, сколько в подсистему памяти. Именно по этой причине следующие поколения процессоров от Intel и AMD работать будут уже с DDR5. Ну а такая низкочастотная память, как в примерах выше, просто замедлит работу вашего ЦП до неприличия — она годится только для установки в ПК, предназначенные для решения лёгких офисных задач.

5 лучших планок оперативной памяти

Итак, какую оперативную память советуем мы сами? Разумеется, любая память, какую бы вы ни купили, будет нормально работать в вашей системе. Другое дело — разгонный потенциал модулей: качественные чипы охотно реагируют на повышение напряжения и позволяют наращивать частоту, сохраняя низкие задержки (тайминги). В отдельных случаях (если память попалась отборная) вполне реален рост частот с попутным уменьшением таймингов.

Так вот: выбирать заведомо медленную память, которая практически никак не разгоняется, не стоит. Даже если вы не хотите настраивать память сразу после покупки, всё равно лучше выбрать модель с хорошим потенциалом, чтобы к моменту появления у вас такого желания результат не заставил себя ждать. В связи с этим мы не советуем выбирать модули, собранные на базе чипов от Hynix, Nania, Elpida и Spectek. Если первые (Hynix) ещё худо-бедно разгоняются, хоть и с неизбежным и чаще всего значительным повышением таймингов, то чипы от остальных производителей попросту ужасны.

Что же тогда выбрать? Память с чипами производства Samsung (выпускается как и самой Samsung, так и целым рядом сторонних производителей) и Micron (выпускается компанией Crucial и сторонними вендорами). Особенно интересен второй вариант, поскольку чипы Micron умеют 80% от того, что умеют B-Die, но при этом обходятся куда дешевле. Ну и вот краткий список того, что мы готовы рекомендовать:

Samsung 4 ГБ DDR4, 2666 МГц CL19, M378A5244CB0-CTD (4000 рублей за комплект 2х 4 ГБ). Бюджетная память с неприглядным зелёным текстолитом без радиаторов. Дешёвая, но неплохо разгоняется. Берёт 3200 МГц CL 16 при напряжении 1,4 В.

8 ГБ DDR4 3200 CL16 Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4B (8000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Недорогой вариант от Crucial на базе их фирменных чипов Micron E-Die. Шикарная память, которая, повторимся, может 80% того, что умеют чипы Samsung B-Die. Разница только в том, насколько сильно можно зажать tRCDRD, tRC и tRFC. Как правило, спокойно покоряет 3600 МГц CL 14 при напряжении 1,45 В.
8ГБ DDR4 3000 CL15 Crucial BallistixBL2K8G30C15U4B (7500 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Абсолютно такая же память с таким же разгонным потенциалом, но чуть дешевле и с чуть более медленным XMP.

8ГБ DDR4 Patriot Memory VIPER 4 BLACKOUT 4000MHz CL19 PVB416G400C9K (10000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Память на базе чипов Samsung B-Die, но низкого биннинга (биннинг — процесс, при котором завод-изготовитель сортирует выпущенные чипы памяти по качеству: выше качество — выше потенциал). Гарантированный результат — 4000 МГц CL 17.

G.Skill Trident Z RGB 3200 МГц CL 14 (16000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)

G.Skill Ripjaws V 3200 МГц CL 14 (14000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).

G.Skill Flare X 3200 МГц CL 14 (13000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).

G.Skill Trident Z Neo 3600 МГц CL 14 (19000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)

Все эти G.Skill — комплекты, собранные на одних и тех же чипах Samsung B-Die, но уже высокого биннинга (самые отборные чипы, как правило, попадают в модули G.Skill Trident Z Neo). Все предложенные модули — рекордсмены разгона, спокойно работающие при напряжениях до 1,6 В. Гарантированно берут 3600 МГц CL14, 3733 МГц CL 14, 3800 МГц CL 15, 4000 МГц CL 16 и выше. Если повезёт с экземпляром (высочайший биннинг), можно даже рассчитывать на что-то вроде 4000 МГц CL 14. Кроме того, любой из предложенных выше комплектов позволит зажать абсолютно все второстепенные тайминги до минимума.

Постскриптум

Важный момент, на который стоит обращать внимание при активации XMP абсолютно любой оперативной памяти. Почти все материнские платы (неважно, Intel у вас или AMD) при активации профиля заводского разгона завышают требуемое напряжение на встроенный в процессор контроллер памяти. В некоторых случаях такое завышение приводит к выводу контроллера памяти из строя. Чтобы избежать этого, следует зайти в BIOS вашей материнки (обычно это осуществляется за счёт нажатия клавиш Del или F2 во время старта компьютера) и вручную выставить следующие параметры:

Для процессоров Intel с 6-го по 10-е поколение:
- VCCIO — 1,15 – 1,25 В
- VCCSA — 1,15 – 1,35 В
- Для процессоров AMD Ryzen:
  - VSOC — 1,1 – 1,2 В
  ***
  
  Будьте внимательны, выбирайте хорошую и быструю память. Удачи в покорении высоких частот и новых вершин производительности — и до встречи на Игромании!
  
  В первую очередь отметим, что именно DDR2-800 SDRAM в большинстве случаев следует считать лучшим выбором для использования в платформах, основанных на процессоре Core 2 Duo. Как было показано нами в статье "Выбор памяти для платформы Core 2 Duo", наивысшую производительность в разогнанных системах можно получить при синхронном тактовании процессорной шины и шины памяти. А если учесть, что наиболее типичный разгон процессоров с ядром Conroe происходит при частотах FSB порядка 400 МГц, то именно оверклокерскую DDR2-800 SDRAM можно рекомендовать для приобретения большинству энтузиастов. Тем более что, как показывает практика, многие модули памяти PC2-6400, оказываются, способны не только на работу при частоте 800 МГц с достаточно агрессивными таймингами, но и зачастую могут быть разогнаны до более высоких скоростей при некотором увеличении задержек.
  
  Конечно, учитывая обнаруженную нами ранее универсальность быстрых модулей, отрицать возможность их эффективного применения в разогнанных системах не следует. Как показали тесты, быстрые оверклокерские модули, рассчитанные на эксплуатацию при частоте 1 ГГц и выше, способны функционировать и с достаточно агрессивными таймингами при частотах около 800 МГц. Однако не следует упускать из виду важный ценовой фактор. Модули PC2-6400 SDRAM стоят ощутимо дешевле гигагерцовой и более быстрой памяти. Именно поэтому такие модули оказываются наиболее популярными среди основной массы оверклокеров.
  
  Надо сказать, что высокая эффективность синхронного тактования процессорной шины и шины памяти – не единственный аргумент в пользу оверклокерских DIMM со средней скоростью. Проведённые нами тесты выявили, что далеко не все LGA775 материнские платы, совместимые с процессорами Core 2 Duo, способны обеспечить стабильное функционирование модулей памяти при частотах около 1 ГГц и выше. Например, определённые проблемы возникают у плат на базе набора логики i975X, в частности, у популярной среди оверклокеров ASUS P5W DH Deluxe. В результате, PC2-8000 и более быстрая память может быть полноценно использована и реально востребована только в системах на базе набора логики Intel P965, что значительно сужает сферу применимости такой высокочастотной памяти.
  
  Кстати, отчасти именно поэтому тесты оверклокерской DDR2 SDRAM в платформах на базе Core 2 Duo мы проводим, используя материнскую плату ASUS P5B Deluxe, в основе которой лежит набор логики Intel P965 Express. Данная системная плата даёт возможность раскрыть потенциал памяти в Core 2 Duo системах наилучшим образом, поскольку более новый чипсет от Intel лучше оптимизирован для работы со скоростной DDR2 SDRAM. Вместе с этим следует отметить, что в Socket AM2 системах DDR2 память обычно разгоняется ещё лучше. Но, по озвученным в предыдущих частях нашего тестирования причинам, в настоящем материале нас интересует эксплуатация оверклокерской DDR2 SDRAM именно в системах с процессором Core 2 Duo.
  
  реклама
  
  К вышесказанному остаётся добавить то, что контроллер памяти нового набора логики Intel P965 имеет ряд особенностей по сравнению с предшествующими и конкурирующими контроллерами памяти. Дело в том, что при разработке этого нового чипсета инженеры уделили внимание наделению контроллера памяти значительной интеллектуальностью: в нём впервые реализованы алгоритмы внеочередного исполнения команд, целью которых является более эффективное использование открытых в памяти страниц. Это, в конечном итоге, позволяет повысить КПД полосы пропускания DDR2 SDRAM и снизить латентности при работе с данными. Таким образом, контроллер памяти iP965 во многом отличается по свойствам и своей архитектуре от аналогичных блоков, встроенных в другие процессоры и чипсеты.
  
  Возвращаясь к основной цели данного материала, состоящей в тестировании двухгигабайтных комплектов оверклокерскиx модулей памяти PC2-6400 SDRAM, напомним состав используемой нами тестовой системы:
  - Процессор Intel Core 2 Extreme X6800 (LGA775, 2.93GHz, 4MB L2);
  - Материнская плата ASUS P5B Deluxe (LGA775, Intel P965 Express);
  - Графическая карта: PowerColor X1900 XTX 512MB (PCI-E x16);
  - Дисковая подсистема: Maxtor MaXLine III 250GB (SATA150);
  - Операционная система: Microsoft Windows XP SP2 с DirectX 9.0c.
  Набор тестов, который мы употребляли для проверки стабильности памяти, был стандартен и включал три приложения: Memtest86, S&M и Prime95. Исследование характеристик памяти проводилось при штатном для них напряжении питания, указанном производителем модулей DDR2 SDRAM.
  
  Читайте также: