Amd radeon r5 nvme series обзор

Обновлено: 04.07.2024

У достаточно известного автора множества фантастических романов Сергея Лукьяненко некоторое время тому назад был ЖивойЖурнал, в котором в качестве эпиграф была фраза из детской книги писателя Николая Носова, приписываемая им доктору Пилюлькину, коротышке из Солнечного города: "Не только касторка и йод, мы идём в ногу со временем: будут и клизмы!". Не знаю, для чего я это пишу, наверное, для того, чтобы предположить, что в компании AMD как-то подумали схожим образом и теперь я рад предложить вам обзор на AMD Radeon R5, твердотельный накопитель ёмкостью 240 Гигабайт.

Года полтора назад я уже имел возможность оценить накопитель AMD Radeon R5 ёмкостью 120 Гигабайт, а сейчас пришла пора более ёмкого собрата. Интересно в данном случае то, что несмотря на один модельный индекс, построены они на разных платформах (что как бы намекает на некую формальность присвоения номера модели). Конкурент из "голубого стана" подобных вольностей себе не позволяет, кстати.

Но перейду к делу. Первое включение и CrystalDiskInfo.

Ни о чём не говорящая мне версия прошивки, да и перечень параметров системы самодиагностики S.M.A.R.T. не напоминает ни контроллер SMI, ни контроллер Phison, что удивительно: эта сладкая парочка отжала 80% рынка контроллеров твердотельных накопителей начального класса.

Перебрав утилиты авторства Вадима Очкина, я выяснил, что здесь применяется контроллер Phison S11 (да, как ни удивительно) и микросхемы энергонезависимой памяти 3D TLC производства Micron, выполненные по 32х-слойной технологии. Не самые современные, зато вполне себе проверенные временем. Сам накопитель, правда, тоже не особо свежий, изготовлен всего-то 9 месяцев назад. Где-то бродил, пока добрался до российских прилавков.

Подобной связкой контроллера и микросхем памяти на моей памяти могли похвастаться накопители Patriot Spark, Transcend SSD220, Apacer AS330 (правда все они мне встречались в версии ёмкостью 120 Гигабайт, но никаких принципиальных проблем в создании 240 Гигабайтных накопителей мне не представялется). В любом случае, в компании Galt Ltd, изготавливающей (если верить этикетке) данные накопители для заказчика в AMD, потрудились чуть больше, чем никак: здесь существенно переработан список параметров S.M.A.R.T., в отличие от многих других устройств, ведётся подсчёт не только записанных, но и считанных гигабайт информации, да и среди прочих параметров есть весьма любопытные.

Почему же я говорю, что версия AMD Radeon R5 ёмкостью 120 Гигабайт, которая попадалась мне в руки года полтора назад была построена на иной платформе? Да потому экземпляр, который я держал в руках, был построен на контроллере SMI2258EN и микросхемах памяти производства Hynix. Судя по сведениям из интернета, в компании Galt Ltd не особо утруждаются постоянством конфигурации модельного ряда, и флуктуации начинки под крышкой AMD Radeon R5 возможны для любой ёмкости.

Перейду к оценке быстродействия. CrystalDiskMark в режиме наибольшего благоприятствования в рамках SLC-кэша (а он тут однозначно будет, всё-таки 3D TLC память не даст достаточного уровня производительности без дополнительных "костылей").

В целом неплохо, но весьма удивительно, что запись в последовательном режиме доступа удаётся накопителю лучше, чем чтение. Обычно наоборот. В остальном всё в целом на уровне, к примеру, отчасти родственного Goodram CX300 240GB .

Оценка быстродействия альтернативным способом даёт вполне неплохой результат.

Несколько медленнее, чем накопители на таком контроллере, но с более современными микросхемами памяти 3D TLC производства Toshiba, выполненными по 64-х слойной технологии; но в любом случае вполне достойно - свыше 1000 "попугаев" это вполне приличная производительность. Да и цифры в сложном тесте многопоточного доступа к файлам небольшого размера уже говорят о том, что этот накопитель в своей категории далеко не слабак.

В имитационных тестах накопитель начинает бодро, но в последнем резком скатывается в болото . видимо, не хватает SLC-кэша. Мои исследования показали, что для безболезненного прохождения трёх этих тестов накопители должны иметь чуть более 7 Гигабайт пространства для прямой записи на максимальной скорости, а здесь его явно меньше. Не хватает SLC-кэша, а скорость записи за его пределами, похоже, невелика.

С помощью следующего программного средства я попробую пролить свет на скорость записи за пределами SLC-кэша и на его размер.

Размерчик, надо сказать, так себе: всего 4.5 Гигабайта, немудрено, что накопитель не может выполнить все имитационные тесты на максимальной скорости. Да и запись за пределами SLC-кэша выглядит как-то странно.

Попробую проиллюстрировать это простейшим образом: копирую файл размером 8.25 Гигабайта с одного SSD на другой, герой этого обзора.

Начинается всё достаточно быстро, скорость записи немногим менее 400 Мегабайт в секунду, но .

. но после исчерпания SLC-кэша скорость записи начинат напоминать "пилу", с максимальными значениями 110-120 Мегабайт в секунду и минимальными в 55-60 Мегабайт в секунду.

Вероятнее всего, в прошивку устройства заложены достаточно агрессивные методики восстановления производительности после исчерпания SLC-кэша, которые заставляют контроллер "не откладывать на потом" выравнивание занятого SLC-записью пространства. Пожалуй, не так уж это и плохо.

Учитывая, что микросхемы памяти в данном накопителе имеют достаточно большой запас ячеек памяти относительно заявленного доступного пользователю пространства в 240 Гигабайт (точнее, несколько меньше - примерно 223 Гигабайта форматированной ёмкости), небольшой размер SLC-кэша и агрессивные методики его трансформации в полноценно занятые ячейки памяти - накопитель мне видится вполне достойным. Надёжность его должна быть вполне на уровне, быстродействие - тоже не хуже, чем у большинства конкурентов, да и цена способствует быстрому принятию решений по покупке. В общем, любопытный экземпляр, мне понравился - и упакован любопытно, и внутри тоже неплох. Для устройств начального уровня цены - весьма достойно.

Решил выкладывать нечто типа первого взгляда на проходящие через мои руки SSD. Это не замена обзоров и даже не совсем дополнение – просто кратко по аппаратной конфигурации и особенностям (когда есть). Во-первых, потому, что некоторых только это и интересует, во-вторых – чтоб потом проще было вспомнить: что и когда как менялось (точнее, было замечено). До выхода обзора иногда по разным причинам много времени проходит, а это можно и сразу. Ну и что-то выходящее из формата иногда можно… если будет нужно.

Совместное предприятие Intel и Micron по производству флэш-памяти (откуда Intel уже успел официально выйти) некоторое время как гонит на рынок 96-слойную память, а 64 слоя освоило еще три года назад. И то, и другое оказалось куда более удачным, нежели первый опыт по созданию 3D TLC NAND на 32 слоях. Тем более, что «первый блин» сильно портили и нестандартные кристаллы по 384 Гбит, что затрудняло выпуск накопителей «стандартных» емкостей. Ну и с размерами страниц и блоков тогда разработчики сильно перемудрили, что тоже плохо на скорости сказывалось. Даже в MLC-режиме (часть памяти продавалась именно так – с кристаллами по 256 Гбит), не говоря уже о родном TLC. В общем, первое поколение казалось бы давно все забыли – и сами его «родители» использовали такую память лишь в ограниченном числе продуктов, причем жизненный цикл всех их уже закончился.



Но в бюджетных SSD такая память до сих пор временами всплывает – особенно когда речь идет о заводах из «материкового» Китая, закупивших ее где-то по-дешевке. Видимо, также «повезло» и гонконгской Galt Advanced Technology, ставшей известной широким массам трудящихся после заключения соглашения с AMD. На пользу обоим договаривающимся сторонам – AMD теперь формально производит и SSD (и может их предлагать партнерам в комплекте с процессорами и видеокартами), а Galt… Понятно, что мало кто покупал бы накопители под такой маркой – но увидев в продаже SSD AMD Radeon R5, да еще по низкой цене, устоять крайне сложно. Мы вот одну штучку тоже купили – для опытов.



Но у нас не получилось. Да и при наличии накопителя в руках – проще посмотреть непосредственно: что это за чудо. А в чуде 2019 года выпуска оказалась та самая 32-слойная 3D TLC NAND «первого поколения» Intel/Micron с кристаллами по 384 Гбит. Ставят их обычно кратно трем, но тут емкость позволяет получить и круглое с других точек зрения число – 24 штуки, что делится и на восемь (столько каналов у приличных SSD-контроллеров), и на четыре (а столько – у бюджетных). Здесь как раз бюджетный и обнаружился, причем как бы не самый неудачный из таковых – Silicon Motion SM2258XT.


Пишет он данные только в SLC-кэш, когда таковой переполняется – нужно и старые данные куда-то распихивать, и новые принимать… в общем, при нехватке кэша скорость записи падает радикально. А в данном конкретном случае проблемы наступают гораздо ранее: только 20% емкости пустого накопителя прописываются на скорости по спецификации, далее еще столько же пишем уже на 250 МБ/с, а потом начинается традиционная пляска святого Витта… В общей сложности на 960 ГБ ушло более четырех часов – примерно 63 МБ/с в среднем.


Для сравнения – тот же 2258ХТ, те же 960 ГБ, но уже 64-слойная память 3D TLC NAND Intel с кристаллами по 512 Гбит «второго поколения». Тоже все плохо – но не настолько: около трех часов, средняя скорость порядка 99 МБ/с, причем тут уже треть свободного места может быть записана на полной скорости, а не 1/5.


Эти самые 20-40% кажутся большим значением лишь когда устройство пустое. Если же оставить на нем сотню гигабайт свободными, то тестовые файлы уже точно не влазят. И достаточно сравнить первую пару строк на диаграмме со второй – падение на порядок. А учитывая, что контроллер SLC-кэш расчищать особо не рвется, свободного места в нем обычно будет мало. И вовсе не обязательно писать сразу 32 ГБ, чтобы получить проблемы. Видны они и в других случая. Например, PCMark10 выдал на чистом накопителе 523 балла, а на заполненном данными уже всего 363. Чисто для сравнения – Hikvision C100 на том же контроллере, но новой памяти (он же был и выше) выдает 695/450 баллов. А добротный SATA, типа WD Red SA500 в этом тесте демонстрирует результат около 800 баллов – хоть пустым, хоть полным. Равно как хорошая NVMe-бюджетка типа WD Blue SN550 это 1600 баллов – вне зависимости от состояния.

В общем, странный зверек. Может быть интересен только если кровь из носу требуется именно терабайтный SSD – и самый-самый дешевый. Правда вот терабайтные SSD обычно покупают не на последние деньги (поскольку пока слишком уж дешево они стоить не могут), так что смысл экономии на спичках не прослеживается. И зачем AMD в ее текущем положении ассоциации с этим — тоже не очень понятно.

Обзор твердотельного накопителя Transcend MTE110S 256 ГБ

Еще в 2017 году компания Silicon Motion анонсировала новое семейство контроллеров SM2263 для современных SSD-накопителей с поддержкой PCI Express Gen3, а также протокола NVMe. Но реальные образцы готовой продукции до выставок добрались только в начале этого года, а в розничной продаже появились совсем недавно. Но, несмотря на это, уже сейчас можно найти довольно много образцов накопителей на том же SM2263XT. Различные вариации накопителей на основе четырехканального SM2263XT совместно с флэш-памятью 3D TLC NAND имеют шансы стать достаточно популярными решениями в массовом сегменте SSD. Подобное сочетание обещает нам отличные технические характеристики и невысокую стоимость, в том числе за счет отсутствия DRAM-кеша.

Что до контроллера Silicon Motion SM2263XT, то, судя по спецификации, можно ожидать высокую производительность SSD-накопителейна его основе.

Контроллер

SM2263XT

Интерфейс

PCIe протокол

Каналов NAND Flash

DRAM интерфейс

Последовательное чтение

Последовательная запись

Случайное чтение

280,000 IOPS (HMB)
140,000 IOPS (No HMB)

Случайная запись

Функции безопасности

Real-Time FDE With AES
TCG Opal Protocol
Hardware SHA 256 and TRNG

Согласитесь, для бюджетных решений выглядит очень достойно, особенно в сравнении в SATA SSD-накопителями. Но не стоит забывать, что это максимальные показатели контроллера, а значит в реальных устройствах показатели будут несколько ниже. Разная память, прошивки и т.д. Сегодня наша редакция познакомит вас с твердотельным накопителем Transcend MTE110S 256 ГБ, основанным как раз на контроллере Silicon Motion SM2263XT.

Технические характеристики

  • Модель - Transcend MTE110S;
  • Контроллер - Silicon Motion SM2263XT;
  • Тип памяти - TLC 3D NAND;
  • Форм-фактор – 2280;
  • Ключ M.2 разъема – M;
  • Интерфейс - PCI-E 3.0 x4;
  • NVMe – есть;
  • Максимальная скорость последовательного чтения (Мбайт/с) - 1800 Мбайт/с;
  • Максимальная скорость последовательной записи (Мбайт/с) - 800 Мбайт/с;
  • Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) - 110000 IOPS;
  • Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) - 95000 IOPS;
  • Поддержка команды TRIM – есть.

Упаковка и комплектация

Transcend MTE110S 256 ГБ поставляется в небольшой картонной коробке, внутри которой расположен накопитель в прозрачном пластиковом блистере. На гранях упаковки указаны основные технические характеристики SSD. Комплектация диска представлена исключительно набором документации.




Внешний вид и устройство

Transcend MTE110S представляет собой стандартную плату формата M.2 2280, ширина которойравна 22 мм, а длина - 80 мм. Плата выполнена из текстолита зеленого цвета, на лицевой стороне расположен чип контроллера, а память 256 ГБ набрана четырьмя чипами с маркировкой THGDU3B-1D03 (3D TLC NAND). На оборотной стороне присутствуют посадочные места под четыре дополнительных чипа, которые задействуются в накопителе объемом 512 Гбайт



В качестве охлаждения контроллера используется только тонкая медная пластина на крышке чипа. Напомним, что контроллер Silicon Motion SM2263XT не нуждается в буфере в виде чипа оперативной памяти, соответственно чипа DRAM на плате нет. Вместо него используется новая технология HMB (Host Memory Buffer),для кэширования таблицы трансляции задействуется системная память (RAM). Какой конкретно объем памяти используется не известно, компания-производитель не декларирует данный параметр.



Технология HMB автоматически включена в ОС Microsoft Windows 10 Fall Creator's Update, а для более ранних версий недоступна. Технология HMB основана на аппаратной реализации, заложенной в стандарт PCI-Express, и с аналогичными программными решениями имеет мало общего. Взаимодействие накопителя с таким буфером идет напрямую через процессор, но в данном случае он «прозрачен», а значит дополнительная нагрузка на систему не создается. Да, определенные дополнительные задержки присутствуют, но они значительно меньше, чем при программной реализации, а отсутствие отдельного DRAM модуля на плате позволяет снизить итоговую стоимость накопителя.



Тестирование

Полный объем диска, доступный пользователю – 238 ГБ. Накопитель отформатирован в файловую систему NTFS. Тестирование производилось как при полностью свободном дисковом пространстве, так и при заполненном наполовину. В качестве оппонента Transcend MTE110S будет выступать SSD-накопитель AMD Radeon R5 R5MP240G8, основанный на точно таком же контроллере Silicon Motion SM2263XT.



Crystal Disk Info не отображает информации о поддержке работы сборщика мусора - команды TRIM, однако любая тестовая программа определяет, что механизм работает, и нет никаких ограничений.


Тестовый стенд:

  • Центральный процессор: Intel Core i5 7600K, 3800 МГц;
  • Материнская плата: ASUS ROG STRIX B250F;
  • Оперативная память: 16 ГБ;
  • Системный диск: SSD WD Blue 240 GB;
  • Программное обеспечение: Операционная система: Windows 10 x64 с установленными последними обновлениями.

Набор тестовых программ:

  • CrystalDiskMark 6.0.0 x64
  • ATTO Disk Benchmark 2.4.7
  • AIDA 64
  • AS SSD Benchmark

NVMe-накопители подвержены резкому повышению температуры в процессе возрастания нагрузки. За значительно возросшие скорости(в сравнении с SATA SSD)приходится чем-то жертвовать, и в данном случае это - значительное повышение температуры чипа, а как следствие - возможный троттлинг. В самом нагруженном тесте температура поднимается до 57-58 °С, после снижения нагрузки температура практически мгновенно падает.


CrystalDiskMark

В тесте Crystal Disk Mark версии 6.0.0 накопитель в операциях линейных чтения и записи практически всегда либо подтверждает заявленные характеристики, либо находится очень близко к данным показателям. Заполнение накопителя негативно сказывается на скоростных показателях. В частности, для большого объема данных заметна деградация скоростей записи практически по всем показателям, а в отдельных случаях ее можно назвать катастрофической – при тестовом пакете объемом 32 ГБ скорость последовательной записи падает практически до 100 МБ\с.













ATTO Disk Benchmark 2.4.7

ATTO Disk Benchmark демонстрирует результаты, схожие с предыдущим тестом.



AIDA64 Disk Benchmark

Как видно из графиков, примерный объем SLC-буфера при линейной записи чуть более 30%, что является хорошим показателем. Этот объем обрабатывается на полной скорости – в районе 780 МБ\с, а далее собственная производительность TLC колеблется в районе 100 МБ/с, что является очень скромным показателем.









AS SSD Benchmark

Показатели данного теста не дотягивают до заявленных производителем, но стоит отметить, что тест зависим от количества оперативной памяти в системе. Также утилита определяет время доступа при обращении к накопителю.

Пустой накопитель Заполненный на 50%



Тест с копированием данных выдает хорошие для бюджетного накопителя результаты.


График равномерный, небольшие скачки присутствуют, но падение производительности не критично.


Сравнение с AMD Radeon R5 R5MP240G8

В качестве оппонента SSD-накопителю Transcend MTE110S 256 ГБ будет выступать AMD Radeon R5 R5MP240G8. Это два очень похожих SSD, построенных с использованием одного и того же контроллера Silicon Motion SM2263XT. Разницув используемой памяти можно заметитьдаже, если просто взглянуть на внешний вид накопителей:в случае с Transcend MTE110S 256 ГБ память набрана четырьмя чипами, а у AMD Radeon R5 R5MP240G8 при том же количестве памяти всего два чипа.



А вот скоростные показатели не в пользу Transcend MTE110S 256 ГБ. Практически во всехтестахAMD Radeon R5 R5MP240G8 вырывается вперед.

Transcend MTE110S 256 ГБ AMD Radeon R5 R5MP240G8
















Программное обеспечение

Для обслуживания и проверки работоспособности SSD-накопителя компания Transcend предлагает фирменное программное обеспечение - Transcend SSD Scope, которое можно бесплатно скачать с сайта компании. ПО позволяет удостовериться в работе команды TRIM, обновить прошивку накопителя, скопировать данные, проверить скорость работы SSD, а также посмотреть данные SMART.






Выводы


Transcend MTE110S 256 ГБ показывает отличную производительность при сравнении с классическими SSD-накопителями с интерфейсом подключения SATA. Но, если сравнивать с прямыми конкурентами, то Transcend MTE110S 256 ГБ не может похвастаться каким-либо значительным преимуществом. Заметная деградация скоростных показателей при заполнении накопителя может серьезно испортить впечатления от использования устройства. Да и изначальные скоростные показатели оказались ниже прямых конкурентов. Можно выделить большой объем SLC-буфера, что позволит снизить эффект снижения скорости записи на больших файлах. Отлично компания смогла задействовать и новейшие технологии, в частности HBM, благодаря чему получилось отказаться от DRAM-кеша и при этом сохранить хорошую производительность.

Стоит помнить, что Transcend MTE110S требователен, как к аппаратной составляющей, так и к программной – пользователям старых версий Windows лучше посмотреть на что-то другое, так как технология HBM задействована только в последних версиях Windows 10.

Уже давно на руоверах не было статей, посвященных выявлению разгонного потенциала памяти стандарта DDR3, тем более бюджетного сегмента. Данный стандарт памяти используется в огромном числе компьютеров энтузиастов, а современному ПО, в особенности играм, с каждым днём необходимо всё больше и больше ресурсов. Поэтому многие пользователи задумываются об увеличении объёма ОЗУ при минимальных затратах, да так, чтобы не пришлось сдерживать потенциал старых добрых samsung или hynix. Я внесу свою лепту в исследование этого вопроса.

реклама

var firedYa28 = false; window.addEventListener('load', () => < if(navigator.userAgent.indexOf("Chrome-Lighthouse") < window.yaContextCb.push(()=>< Ya.Context.AdvManager.render(< renderTo: 'yandex_rtb_R-A-630193-28', blockId: 'R-A-630193-28' >) >) >, 3000); > > >);


Обзор

Итак, героем сегодняшнего обзора является плод творения инженеров компании AMD. Объём равен 4Гб, номинальная частота 1600Мгц, тайминги 11-11-11-28. Продукт относится к серии AMD Radeon R5 Entertainment и продаётся в рознице с маркировкой R534G1601U1S-U.

реклама

Упаковка и комплектация


Модули AMD Radeon R5 поставляются в розничной упаковке из прозрачного пластика. Комплектация состоит лишь из самого модуля памяти.

реклама


Дизайн и особенности модулей

Модули оперативной памяти AMD Radeon R5 имеют стандартную высоту равную 3см. Память хоть и не оснащается какими-либо радиаторами, но выглядит довольно приятно за счёт сочетания белой маркировки и чёрной паяльной маски.


Рассматривая наклейку, кроме характеристик, можно отметить реального производителя модулей - Galt Advanced Technology. Об этом говорит маркировка "MFR:GALTAE18".


Техническая информация

Объём в 4Гб набран 8 схемами по 512Мб и имеет 1-ранговую организацию.
Чипы памяти перемаркированы самой AMD. Thaiphoon Burner видит модуль вот так:


Тестовый стенд

  • Материнская плата: MSI Z77 MPower (BIOS 17.12);
  • Процессор: Intel Core i7-2600K «Sandy Bridge» 4700 МГц;
  • Система охлаждения: Thermalright Macho Rev A;
  • Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
  • Видеокарта: AMD Radeon RX 580 8Gb GDDR5 / HIS Radeon RX 580 IceQ X2 OC (HS-580R8LC);
  • Блок питания: FSP Epsilon 800W;
  • Системный накопитель: OCZ Vertex 4 128Gb;
  • Корпус: Старый InWin с шумовиброизоляцией.

У вас могут возникнуть сомнения в том, что этот стенд подходит для раскрытия потенциала памяти, но могу вас заверить, что в данном случае всё упёрлось в саму память. Был произведён повторный тест на МП Gigabyte Z170M-D3H DDR3, но результаты остались те же.

Результаты тестов

Тест кэша и памяти при стандартных настройках выдаёт следующие значения:


Максимальный разгон составил 2260 Мгц при таймингах 12-12-12-28 CR2 и напряжении 1.5В. Система работала стабильно. Снижение Command Rate успеха не принесло. Замечено отсутствие влияния на повышение напряжения на любых частотах.


Если опустить планку частоты до 2183, то картина становится интересней. Тайминги удалось снизить до 10-11-11 CR1. При падении пропускной способности на 3% задержка снизилась на 6%.


Также вы можете увидеть, какие минимальные тайминги удалось выставить при стандартных частотах от 1333 до 2133 Мгц.





Заключение

Модули памяти AMD R5 продемонстрировали прекрасную способность к разгону даже без повышения напряжения. Частоту удалось поднять со стандартных 1600 МГц до вполне солидных 2260 МГц. Но оптимальным вариантом является режим 2183 МГц при таймингах 10-11-11-28 CR1.

Читайте также: