Ddr dimm 333 400 мгц что это

Обновлено: 03.07.2024

Будем рассматривать память стандарта DIMM, про SIMM забудем, она уже совсем старая.

SIMM (англ. Single In-line Memory Module , односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы.

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR (она же DDR1), DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

DDR SDRAM (англ. double-data-rate synchronous dynamic random access memory) — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных).

Вот этот чип:

Смотрим в описании материнской платы свой тип памяти (и максимальный поддерживаемый размер), покупаем, устанавливаем. Так? Не совсем, здесь тоже есть подводные камни.

Как подобрать оперативную память к материнской плате?

Этап 3.
Если есть на руках (или хочется купить) планку памяти, которой нет в 1-м и в 2-м этапе -> идем на этап 3. Заходим на сайт производителя оперативной памяти и смотрим, с какими материнскими платами тестировалась данная память.

Этап 4.
Для DDR3 / DDR4 выбранная память должна еще поддерживаться процессором, т.к. контроллер памяти теперь там. Грубо говоря, Вы купили DDR3 1600 Мгц, материнская плата ее поддерживает, а процессоре заявлена поддержка только 1333 Мгу = память заработает на частоте 1333 Мгц.

Все нужно проверять.

1. ВАЖНО: оперативная память для AMD и остальных платформ не совпадает, несмотря на одинаковые названия и размеры!

В чем же различие? Интегрированный контроллер памяти процессоров AMD поддерживает адресацию с использованием 11-разрядных столбцов и размером страницы 16 Кбит. Стандартные контроллеры памяти, встречающиеся в составе других платформ, используют 10-разрядные столбцы и размер страницы 8 Кбит. При такой организации доступа к памяти каждая страница размером 16 Кбит может содержать 2048 точек входа. Это позволяет контроллеру памяти процессоров в исполнении Socket AM2/AM2+/AM3 оставаться на одной странице в два раза дольше по сравнению со «стандартным» контроллером памяти.

2. Китайская контрафактная память (т.е. непонятный производитель и этикетка от официального производителя)

Теперь смотрим на то, что продается

3. Китайский производитель NONAME

Виды памяти

Тип памяти	Число контактов	Напряжение питания, В	Частоты работы памяти, Мгц
DDR1	184 pin	2,5 В (старые мат.платы)	200 266 333 400
DDR1	184 pin	2,6 В	200 266 333 400
DDR2	240 pin	1,8 В	400 533 667 800 1066
DDR3	240 pin (не совместимы с DDR2)	1,5 В	800 1066 1333 1600 1866 2133 2400 на одинаковых частотах с DDR2 память DDR3 медленнее
DDR3L	240 pin (не совместимы с DDR2)	1,35 В (low voltage)
DDR4	288 pin	1,2 В	1600 1866 2133 2400 3200 3400

В настоящее время память DDR4 поддерживается только на материнских платах с socket 1151 / 2011-3 при использовании процессоров Intel шестого поколения. Контроллер памяти (управление памятью) также встроено в процессор. Для socket 1151 поддерживается двухканальный режим, для socket 2011-3 поддерживается четырехканальный режим работы памяти.

Частота шины памяти, Мгц	Частота памяти, Мгц	Стандарт	Название модуля	Мбит/сек (теоретическая)
100	200 DDR1	PC 1600
133	266 DDR1	JEDEC	PC 2100
150	300 DDR1	PC 2400
166	333 DDR1	JEDEC	PC 2700
200	400 DDR1	JEDEC	PC 3200
217	433 DDR1	O.C.
233	466 DDR1	O.C.
250	500 DDR1	O.C.
275	550 DDR1	O.C.
300	600 DDR1	O.C.
200	400 DDR2	JEDEC
266	533 DDR2	JEDEC	PC 4200
333	667 DDR2	JEDEC	PC 5300
400	800 DDR2	JEDEC	PC 6400	6400
500	1000 DDR2	O.C.
533	1066 DDR2	O.C.	PC 8500	8533
556	1111 DDR2	O.C.
571	1142 DDR2	O.C.
625	1250 DDR2	O.C.
400	800 DDR3
533	1066 DDR3	JEDEC
667	1333 DDR3	JEDEC	PC 10667	10667
800	1600 DDR3	JEDEC	PC 12800	12800
900	1800 DDR3	JEDEC
933	1866 DDR3	O.C.	PC 14900	14933
1000	2000 DDR3	JEDEC
1066	2133 DDR3	O.C.	PC 17000	17066
1200	2400 DDR3	O.C.	PC 19200	19200
800	1600 DDR4	JEDEC	PC 12800	12800
933	1866 DDR4	JEDEC	PC 14900	14933
1066	2133 DDR4	JEDEC	PC 17000	17066
1200	2400 DDR4	O.C.	PC 19200	19200
1600	3200 DDR4	O.C.	PC4 25600	25600
1700	3400 DDR4	O.C.	PC4 27200	27200

JEDEC (англ. Solid State Technology Association, известная как Joint Electron Device Engineering Council, или Сообщество (Комитет) Инженеров, специализирующихся в области электронных устройств) — комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (EIA), промышленной ассоциации, представляющей все отрасли электронной индустрии.

xtreme Memory Profiles (сокр. англ. XMP, рус. экстремальные профили памяти) — расширение стандарта SPD для хранения и передачи расширенной информации о модулях памяти DDR3 SDRAM, разработанное фирмой Intel в качестве альтернативы представленного ранее аналогичного расширения Nvidia — Enhanced Performance Profiles (сокр. англ. EPP).

Технология XMP служит упрощению разгона памяти с использованием заранее заготовленных настроек (профилей SPD, расширенных относительно стандартных профилей JEDEC) с понижением задержек (англ. low latency) или повышением частоты (англ. high frequency). При считывании расширенных данных SPD из модуля памяти, может производиться автоматическая настройка на указанные в расширенном профиле параметры, избавляя конечного пользователя от ручной настройки (для опытных пользователей оставлена возможность изменять параметры принудительно). В случае нестабильности работы памяти, являющейся следствием работы в режиме, близком к предельному, XMP предоставляет возможность безопасной загрузки (англ. fail-safe default boot), при этом все параметры устанавливаются по стандарту JEDEC.

В socket 1151 только двух-канальная память.

Ниже фото типичного слота для 4-х планок оперативной памяти для двухканального режима работы.

Хорошо видно, что слоты 1-3 и 2-4 разного цвета.

Если всё установлено правильно, включится режим dual-channel, проверить результат можно в программе CPU-Z.

Видно тип памяти, ее параметры (латентность / тайминги), общий объем и режим работы.

Латентность (англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией. Мера таймингов — такт шины памяти. Таким образом, каждая цифра означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти.

Cycle Time (tRAS) = 18 тактов = Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на T_RCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

Для каждой планки памяти обычно указывается в виде последовательности четырех цифр: 5-6-6-18. Естественно, для разных частот работы эти цифры будут разные, можно посмотреть через программу Everest, что именно поддерживает данная планка памяти (раздел SPD).

Как раз видно, что память на частоте шины 400 Мгц (800 Мгц для самой памяти) будет работать с таймингами 5-6-6-18 и эти цифры совпадают с данными из программы CPU-Z.

И снова про беспощадный маркетинг.

Окончательный перевод на язык здравого смысла:

Серверная память.

Сервер отличается от бытового ПК прежде всего отказоустойчивостью. Большая ценность хранимой информации и критические ошибки BSOD недопустимы.

При сбое обычной памяти получаем BSOD (приятный синий экран) и необходимость перезагрузки системы. Использование памяти ECC (англ. error-correcting code , код коррекции ошибок) позволяет продолжить работу системы, исключив сбойный участок памяти.

Память ECC-память в свою очередь бывает регистровая и не регистровая (иначе буферизированная и не буферизированная).
Регистровая память (англ. Registered Memory, RDIMM, иногда buffered memory) — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Регистровая память является более дорогой из-за меньшего объема производства и наличия дополнительных микросхем.

Конечно. данный вид памяти должен поддерживаться материнской платой (контроллером памяти) и BIOS. Физические размеры слотов и параметры электропитания одинаковые.

Хотя большая часть модулей памяти для серверов является регистровой и использует ECC, существуют и модули с ECC но без регистров (UDIMM ECC), они так же в большинстве случаев работоспособны и в десктопных системах. Можно обратить внимание, что в спецификации бытовой материнской платы написано non ECC, а в списке поддерживаемой памяти есть модули с ECC.
Регистровых модулей без ECC не существует.

Из-за использования регистров возникает дополнительная задержка при работе с памятью. Каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память считается на один такт более медленной, чем нерегистровая (UDIMM, unregistered DRAM)

Вы можете сохранить ссылку на эту страницу себе на компьютер в виде htm файла

Инфоповодом для нижеследующего текста послужила материнская плата Gigabyte GA-7VAXP на чипсете KT400, доставленная в нашу тестовую спецрейсом прямиком из Поднебесной. Центральная опция данной платы и чипсета, несомненно, — поддержка 400-мегагерцовой DDR-памяти. Вот о последней, ее предшественниках и последователях и хотелось бы поговорить.

Предыдущий стандарт памяти — DDR333 (он же PC2700) — лишь совсем недавно получил статус официального, принятого JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). А большинство разнокалиберных модулей на чипах Samsung с гордой маркировкой DDR333 CL2,5, до сих пор сплошь и рядом соглашаются устойчиво работать лишь на 266 МГц. Иногда, снизив частоту, в качестве компенсации удается уменьшить и задержку CL до 2 тактов, что дает свои пару процентов прироста общей производительности, но не более того. Конечно, задавшись целью, можно найти фирменный 333-мегагерцовый модуль, например, собственной самсунговской сборки, отлично работающий на штатной частоте (к тому же если поднять напряжение питания памяти на 0,1-0,2 В). Для большей стабильности настоятельно рекомендуется нескольким модулям маленького объема предпочесть один большой.

Платформер

К сожалению, AMD-платформа, единолично пока поддерживающая DDR400, принципиально не дружит с единственной живой альтернативной памятью Direct Rambus DRAM. А Intel не станет реализовывать поддержку DDR400 в своих чипсетах до тех пор, пока этот стандарт не будет официально принят. В итоге приходится ограничиваться сравнением трех действующих разновидностей DDR плюс самой быстрой версии старой-доброй PC133 SDRAM (что ни говори, а старушка SDRAM-обыкновенная, несмотря на весь этот бурный прогресс, все еще остается самой распространенной).

Как ни странно, но на этот раз, взятый наугад DDR400-модуль (256 Мбайт, упакованных в 8 чипов производства вышеупомянутой Winbond) проявил отменную стабильность в штатном режиме. То же самое можно сказать и о матплате GA-7VAXP, несмотря на номер ее ревизии (всего лишь 1.1) и отсутствие большей части ответственных за стабильность питания конденсаторов на разведенных для них местах вокруг процессорного разъема. Попытка AMD сделать крепление кулеров более надежным (для чего была придумана конструкция, напоминающая крепеж кулеров у Pentium4), похоже, так и не встретила отклика у пользователей и изготовителей плат. В частности, наша GA-7VAXP не имела соответствующих крепежных отверстий, а на ее предшественнице GA-7VRXP (на чипсете KT333) таковые дырки были.

Из прочих новшеств, реализованных в чипсете KT400, непременно надо отметить следующее:
• поддержку AGP 8x (AGP 3.0), достойную особого рассмотрения (каковое несомненно воспоследует). Ради нового множителя пришлось поступиться поддержкой старых видеокарт с 3,3-вольтовым напряжением питания, работавших в режиме AGP 2x (реже — AGP 4x);
• 8X V-Link — новую шину между северным и южным мостом с пропускной способностью 533 Мбайт/с (против 266 Мбайт/с у KT266A и KT333);
• поддержку процессоров Athlon для системной шины 333 МГц. Как явствует из инструкции к нашей плате, с такими процессорами можно будет использовать только синхронную частоту памяти (DDR333). Обидно.

Память DDR400 PC3200 на своем рабочем месте.

У самой GA-7VAXP тоже есть обновка по сравнению с предшественницей. И без того богатая коллекция интерфейсов (USB 1.1 и 2.0, IDE RAID, адаптер Ethernet 10/100 Мбит/с) пополнилась контроллером FireWire (IEEE1394). Можно посетовать лишь на отсутствие уже входящего в обиход интерфейса для жестких дисков Serial ATA, но он пока не столь нужен, чтобы навешивать на плату еще несколько чипов, а встроенной поддержки SATA в KT400 по-прежнему не предусмотрено.

DDR в тесте

Оценить производительность подсистемы памяти можно с большой точностью, воспользовавшись многочисленными синтетическими тестами (PCMark, Cachemem), да только практическая польза от таких испытаний будет невелика. Их оценки можно предсказать или даже просчитать, зная частоты, задержки, ширину шины данных и т.п. Увы, в реальных задачах картина может оказаться совершенно иной (местами, конечно, результаты останутся прежними, но разница может сократиться в разы или даже стать нулевой).

Производительность DDR400 по мнению SiSoft Sandra.

Посему для наших целей традиционно больше всего подходят тесты, базирующиеся на игровых движках. Чтобы окончательно приземлить результаты, использовалось обиходное разрешение 1024х768х32 с выключенным сжатием текстур, а также видеокарта уровня чуть выше среднего — Sapphire Radeon 9000 Pro (64 Мбайт собственной памяти).

Результаты тестированиев разрешении 1024x768x32.

Результаты перед вами — см. таблицу (применялся процессор Athlon-1700+ XP). На первый взгляд разница заметна лишь между простой SDRAM и DDR-памятью. С другой стороны — что такое 300 «попугаев» в 3DMark? Фактически всего лишь прирост в 5-6 fps по некоторым из тестов или даже меньше того. С третьей стороны такой же разрыв отделяет самую медлительную версию DDR от виновницы нашего сегодняшнего торжества. А разница между DDR400 и простой SDRAM достигает уже 10-16 fps в самых удачных тестах. Как говорится, уже что-то. Хоть и, по-моему, совершенно недостаточно для того, чтобы немедленно бежать в магазин за новой памятью. Тем более что современные высокотехнологичные игры с поддержкой шейдеров и т.п. (ради них, как правило, и затеивается апгрейд) в наименьшей степени откликнулись на возросшую частоту памяти). По большому счету, того же десятка fps прироста с куда большей вероятностью можно добиться сменой видеокарты (а если карта старая, без аппаратного блока T&L — это в любом случае единственный действенный вариант).

Другое дело, что быстрая память влияет на производительность всех программ, включая операционную систему. Измерить изменения в скорости загрузки Windows XP — нетривиальная задача, но даже лишние доли секунды задержки на том или ином привычном действии порою очень портят общее ощущение темпа. А поскольку темп работы у каждого свой, сложно давать какие-либо рекомендации по поводу апгрейда, связанного с подсистемой памяти. Для иллюстрации я перегнал 240 Мбайт аудиоматериала из WAV в MP3 с помощью одного из самых популярных кодеков — Lame 3.92. Получившиеся 15% разницы между самой быстрой (DDR400) и самой медленной системой (PC133) мне лично кажутся достаточной причиной для беспокойства. Разница же между DDR400 и DDR266 не превысила 7% — вроде бы не столь страшно, чтобы отказываться от совсем еще свежей, но уже ставшей самой слабой памятью в иерархии DDR?

Безусловно, для стерильной оценки необходимо было бы использовать разные контроллеры памяти, входящие в состав разных чипсетов. Вполне возможно (даже — почти наверняка), что KT400 пока не использует всех возможностей последнего поколения DDR-памяти, да и сама эта память вряд ли пока пригодна для разгона и тонкой настройки (впрочем, не проверял — у нашей GA-7VAXP в текущей версии BIOS отсутствовала даже настройка CAS Latency, не говоря уже о более тонких). В то же время контроллер памяти у использовавшейся в тесте платы ABIT KT7A (как и у большинства фирменных плат на последнем поколении SDRAM-чипсетов) отточен до мелочей и более шлифовать его уже некуда. Три основные настройки — Bank DRAM Timing, DRAM Bank Interleave, SDRAM Cycle Length — были установлены в лучшую комбинацию — Turbo, 4-Way и 2 соответственно.

А значит, есть шанс, что с появлением оптимизированных версий BIOS для KT400 разрыв в скоростях еще увеличится на пару-тройку процентов.

Что же теперь будет?

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передача данных в секунду (MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400	3200 МБ/с
PC2-4200	DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533	4200 МБ/с
PC2-5300	DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667	5300 МБ/с
PC2-5400	DDR2-675	168 МГц	337 МГц	675	5400 МБ/с
PC2-5600	DDR2-700	175 МГц	350 МГц	700	5600 МБ/с
PC2-5700	DDR2-711	177 МГц	355 МГц	711	5700 МБ/с
PC2-6000	DDR2-750	187 МГц	375 МГц	750	6000 МБ/с
PC2-6400	DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC2-7100	DDR2-888	222 МГц	444 МГц	888	7100 МБ/с
PC2-7200	DDR2-900	225 МГц	450 МГц	900	7200 МБ/с
PC2-8000	DDR2-1000	250 МГц	500 МГц	1000	8000 МБ/с
PC2-8500	DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066	8500 МБ/с
PC2-9200	DDR2-1150	287 МГц	575 МГц	1150	9200 МБ/с
PC2-9600	DDR2-1200	300 МГц	600 МГц	1200	9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передач данных в секунду(MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400	DDR3-800	100 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC3-8500	DDR3-1066	133 МГц	533 МГц	1066	8533 МБ/с
PC3-10600	DDR3-1333	166 МГц	667 МГц	1333	10667 МБ/с
PC3-12800	DDR3-1600	200 МГц	800 МГц	1600	12800 МБ/с
PC3-14400	DDR3-1800	225 МГц	900 МГц	1800	14400 МБ/с
PC3-16000	DDR3-2000	250 МГц	1000 МГц	2000	16000 МБ/с
PC3-17000	DDR3-2133	266 МГц	1066 МГц	2133	17066 МБ/с
PC3-19200	DDR3-2400	300 МГц	1200 МГц	2400	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.

В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.

Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:

планка ("плашка") - модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
односторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
двухсторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
RAM (Random Access Memory, ОЗУ) - память с произвольным доступом, проще говоря - оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) - синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.

4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Объем

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

Тип памяти

Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

DDR: 200-400 МГц
DDR2: 533-1200 МГц
DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.

Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Стандарт скорости модуля памяти

В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.

Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.

Производитель и его part number

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.

Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:

Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):

По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.

По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.

Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).

По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.

Тайминги

Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.

Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.

Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.

Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).

Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.

Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.

Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.

Читайте также: