К какому типу выводов микросхемы памяти относится вход записи wr
Обновлено: 06.07.2024
Электронная промышленность всего мира уже выпустила и продолжает разработки все новых и новых типов микросхем памяти. Определенные требования, возникающие при изготовлении изделий электронной техники, вызывают потребность в приборах памяти, характеристики которых должны превосходить предшествующие разработки. На сегодня уже имеется широкий выбор микросхем памяти, но ни один тип не может считаться идеальным. Каждый тип памяти имеет не только что-то лучшее по сравнению со своими конкурентами, но и какие-то свои недостатки.
Таблица 1 показывает степень совершенства указанных типов памяти по некоторым показателям.
Динамическое ОЗУ. Динамическая оперативная память сохраняет информацию (лог. 1 или 0) на конденсаторе малой емкости, который входит в состав транзисторной ячейки. Размер ячейки ДОЗУ меньше, чем у СОЗУ, так что общая стоимость единицы памяти меньше. Но конденсаторы динамической оперативной памяти должны постоянно подзаряжаться, чтобы сохранять информацию. Это требует более сложной схемы интерфейса.
Статическое ОЗУ. По существу, это триггерное устройство с цифровым управлением, не требующее ни синхронизации, ни регенерации. Информация сохраняется до тех пор, пока имеется питание. СОЗУ имеет достаточно малое время доступа для чтения и записи, параллельную структуру адреса. Наилучшее применение СОЗУ нашла для памяти, имеющей невысокую плотность, но частый доступ, а также кэш-памяти.
Энергонезависимое СОЗУ (NV SRAM) - единственный блок, который содержит СОЗУ с низким энергопотреблением, энергонезависимый контроллер памяти и литиевую батарею. Когда основное питание становится ниже минимально требуемого для поддержания работоспособности СОЗУ, контроллер памяти в модуле переключает электропитание с внешнего источника на внутреннюю литиевую батарею и защищает от записи СОЗУ. Переходы от основного питания к питанию от литиевых батарей, и наоборот, прозрачны для СОЗУ и делают его истинно энергонезависимой памятью. Такая конструкция объединяет статические преимущества адресуемого СОЗУ - высокую скорость доступа, низкие требования по синхронизации с преимуществами энергонезависимой технологии СППЗУ. Если не стоит вопрос стоимости, то СОЗУ-модули с батарейным питанием от DSC являются идеалом для любого приложения, где традиционное СОЗУ было бы подходящим. Энергонезависимое СОЗУ по выводам совместимо с СОЗУ без батарейного питания.
Псевдостатическое ОЗУ - комбинация динамического и статического ОЗУ. По своей природе устройство является "статическим", не требуя регенерации для сохранения данных. Но для этого в ячейку памяти помещается вся требуемая логика регенерации. Как следствие, псевдостатическое ОЗУ имеет низкую плотность и более высокую стоимость, чем ДОЗУ.
Флэш-память объединяет возможность электрического стирания ЭСППЗУ с ячейкой, подобной программируемому СППЗУ. В результате модифицированная ячейка может быть стерта электрически в блоке с другими ячейками. Эта характеристика позволяет флэш-памяти принимать новый код или информацию в системе.
Электрически перепрограммируемая постоянная память (EEPROM). Недостаток электрически стираемой памяти в том, что невозможна перезапись в системе. Для этого требуется программатор с повышенным напряжением от 12,5 В и выше. Если же необходимо использовать источник питания напряжением 5 В, то для этого следует применять более дорогие схемы EEPROM, которые в своем составе имеют преобразователь, позволяющий при 5 В производить стирание старой информации и запись новой. Такие приборы имеют относительно высокое время доступа для чтения/записи. Ячейки EEPROM редко могут иметь число операций стирание/запись более 10 000. Память EEPROM может устанавливаться в системе и доступна как стандартная СОЗУ.
Стираемая программируемая постоянная память СППЗУ может стираться повышенным напряжением 12,5 В или ультрафиолетовым светом через окошко в верхней части корпуса микросхемы. Обычно эти микросхемы использовались в разработках и потом происходила их замена на более дешевые.
ПЗУ с однократным программированием. Обычно запись данных в ОТР PROM делают один раз. Эти микросхемы памяти одни из самых дешевых.
ПЗУ. Масочное постоянное запоминающее устройство. Является самым надежным хранителем информации. При этом микросхемы памяти не отличаются высоким быстродействием. Если имеется изделие, известны код/данные, то разрабатывается маска и выпускается самая дешевая и надежная память для чтения. Если же вкралась ошибка в информацию, то все запрограммированные микросхемы масочного ПЗУ - брак!
Оценивая указанные в табл. 1 типы памяти, можно отметить следующее. Высокая плотность и низкая стоимость разряда памяти относятся к динамическим ОЗУ. Масочные ПЗУ - наиболее дешевая память только для чтения и не нуждается в подпитке при хранении. Наилучшие показатели у тех типов памяти, которые расположились в середине таблицы. EEPROM обладает многими положительными качествами, но имеет ограниченное число циклов стирание/запись (10 000), длительное время записи и низкая плотность не совсем соответствуют сегодняшнему промышленному спросу.
Для систем, требующих хранения и защиты данных в случае пропадания питания, быстрого доступа чтение/запись, простой схемы управления - наилучшим образом подходят модули энергонезависимой памяти (NV SRAM), выпускаемые корпорацией Dallas Semiconductor (DSC). Рассмотрим данный тип памяти более подробно, поскольку пока по многим показателям (низко потребляемый кристалл СОЗУ, управляющий контроллер питания, литиевая батарейка) он эмулирует почти идеальную память.
Энергонезависимые СОЗУ производства Dallas Semiconductor
Корпорация Dallas Semiconductor является ведущей в мире по технологии производства энергонезависимых статических ОЗУ (NV SRAM). Каждый модуль этих изделий состоит из СОЗУ с низким энергопотреблением, маленькой литиевой батареи и фирменного энергонезависимого чипа управления. Все перечисленные компоненты вместе формируют энергонезависимую память, которая без внешнего питания может сохранять записанную информацию более 10 лет. Время доступа для чтения и записи составляет порядка 70 нс. Все эти особенности подразумевают, что выпускаемые DSC энергонезависимые CОЗУ могут считываться и записываться быстрее неограниченное количество раз и более безопасно, чем любой другой тип энергонезависимой памяти.
Если у потребителя имеются микросхемы СОЗУ и он хочет получить энергонезависимую память, DSC предлагает "разумные" панельки (smart Socket) со встроенными литиевыми батареями и энергонезависимыми чипами управления. Гнезда в панельке двухрядные под корпуса DIP микросхем СОЗУ.
Когда на рынке стали исчезать микросхемы с малым объемом памяти - 2Кх8 и 8Кх8, DSC разработала свои изделия ОЗУ на основе ячейки 6-Т. Типовое значение тока удержания составляет 50 нА! Для вспомогательного питания можно использовать литиевые батарейки, имеют минимальные размеры, а срок хранения данных - более 10 лет при комнатной температуре.
Память должна автоматически защитить запись при обнаружении изменения питающего напряжения - обычно в допуске 10 % от Uпит. Данные должны храниться в памяти в течение всего времени сбоя питания. Возникает вопрос: что будет с данными в то время, когда происходит сбой питания? При падении напряжения питания ниже 10 % уровня Uпит времени для системных вспомогательных функций уже нет. Что же необходимо сделать для сохранения данных, чтобы снижение питания обнаруживалось существенно раньше и микропроцессор мог выполнить вспомогательные функции по защите записи? Один из способов - использование второго напряжения, контролирующего устройство. DSC производит микросхему DS1233B - монитор напряжения на 5 В + 5 % в 3-выводном корпусе ТО-92. Этот монитор выдает активный низкий сигнал сброса (RST) как только обнаружит выход основного питания из пятипроцентного допуска. Активный низкий сигнал может использоваться как запрос на прерывание микропроцессора. Таким образом, микропроцессор получает необходимое время для обслуживания прерывания, и энергонезависимая память защищается от записи. Рисунок 1 иллюстрирует эту ситуацию.
Рис. 1. Формирование сигнала IRQ
Микропроцессоры могут обслуживать прерывания и обрабатывать информацию быстрее, чем спад напряжения на 5 % от своего номинала. Конечно, необходимо, чтобы программное обеспечение, обслуживающее прерывания системы, было сконфигурировано для максимально быстрой идентификации внешнего прерывания.
Предположим некоторые условия, которые могут быть внутри рассматриваемой системы. Принимаем время снижения напряжения от 4,75 (0,0 5 Uпит) до 4 В (процессор работает еще нормально) за 300 мкс.
Одна команда выполняется за 40_6 = 240 нс.
Скорость падения напряжения
Скорость падения напряжения .
Между началом выдачи команды с монитора (5 %) до 10 % от Uпит напряжение понижается на 0,25 В. Это происходит за время .
Следовательно, за это время микропроцессор выполнит .
Конечно, иметь в резерве 416 команд за время, когда микропроцессор может выполнить любые функции по завершению записи и сохранению данных в ОЗУ - это надежный показатель выполнения поставленной задачи. Если количество циклов на инструкцию меньше вышеуказанного или рабочая частота выше 25 МГц, вы имеете дополнительный резерв времени. Используя монитор DS1233B вместе с энергонезависимым СОЗУ, всегда можно получить дополнительное время для организованного системного завершения работы без разрушения памяти. В противном случае резервов вашего микропроцессора может не хватить для успешного завершения работы с СОЗУ. На рис. 2 представлены корпуса, в которых могут размещаться мониторы напряжения DS1233B.
Рис. 2. Корпуса мониторов напряжения DS1233B
Стандартная энергонезависимая память СОЗУ
Выпускаемая DSC энергонезависимая СОЗУ (табл. 2) имеет отдельный литиевый источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует основной источник питания Uпит по условию выхода напряжения из допуска. Когда напряжение Uпит снижается, выходя за пределы допуска, автоматически включается литиевая батарейка, и защита записи предотвращает нарушение целостности данных. Данные сохраняются, защита от записи остается до тех пор, пока Uпит вернется к номиналу, определяемому допуском. После этого литиевый источник выключается и память снова доступна. Поскольку эти блоки памяти основаны на СОЗУ технологии, время доступа для записи и чтения одинаково, а число этих операций не ограничено. Выпускаются приборы в корпусах DIP (600-mil) или Power Cap.
Расширенная энергонезависимая память СОЗУ с монитором батареи
Все функциональные возможности DS12XX выполняются приборами, перечень которых приведен в табл. 3. Но у этой группы СОЗУ имеется достаточно сложный монитор батареи. Раз в 24 часа монитор применяет испытательную загрузку литиевой батареи и делает замер напряжения. Если напряжение батареи просаживается слишком низко, то вывод Battery Warning (BW) активизируется, чтобы указать потребность в замене батареи. Эти модули имеют встроенный элемент для обнуления центрального процессора. Микросхемы серии DS13XX выпускаются только в корпусе Power Cap.
Новые модули Power Cap
Пакетный модуль Power Cap (рис. 3) дает возможность поверхностного крепления корпуса и его содержимого - энергонезависимого ОЗУ. Power Cap модули представляют уникальную конструкцию, состоящую из двух частей - монтируемой площадки ядра модуля, в которой размещены интегральные схемы и, собственно Power Cap с литиевой батареей. Power Cap - это верхняя половина блока, которая содержит контактные пружины, соединяющие литиевую батарею с ядром модуля. Если необходима смена батарейки, то конструкция модуля позволяет легко и быстро выполнить эту операцию.
Рис. 3 Пакетный модуль Power Cap
В течение системной сборки, пока идет пайка поверхности модуля, высокая температура не затрагивает температурно чувствительные литиевые батареи. Когда основание закреплено, пользователь просто зафиксирует Power Cap на базе модуля, чтобы сформировать законченный энергонезависимый СОЗУ-модуль. Пакетный модуль Power Cap имеет высоту 0,25 дюйма, площадь платы ядра составляет 0,96 кв. дюйма. Все приборы в этой упаковке имеют стандартную цоколевку и могут заменять энергонезависимую память других видов в корпусе с соответствующими выводами. Поставки изделий осуществляются в трех видах: модульное ядро, Power Cap, а также весь модуль Power Cap.
Торговая марка Power Cap - DS9034PC (только литиевая батарейка)
Все базовые модули с хронометрами используют Power Cap DS9034PCX (литиевая батарея и контроллер часов). В сборке Power Cap сохраняют плотный захват базы модуля и выдерживают целостность даже при вибрации и ударе. Съем Power Cap осуществляют с помощью отвертки. При установке и съеме (рис. 4, а, б) Power Cap категорически запрещается нажатие на центральную часть верха корпуса. Полный модуль с узлом Power Cap имеет в торговом названии дополнительный индекс Р. Например, базовая часть имеет название DS12xxY/AB/W. Соответственно, модуль будет иметь название DS12xxYP/ABP/WP.
Рис. 4. Установка и съем PowerCap
Выбор модуля энергонезависимой СОЗУ стандартного или расширенного варианта можно сделать, используя табл. 4.
Если вы остановили свой выбор на часах реального времени с энергонезависимым СОЗУ, то в выборе поможет табл. 5.
Хронометры сторожевой схемы с энергонезависимым СОЗУ представлены в табл. 6. Базовая схема DS1386 выпускается в 32-выводном DIP-корпусе и содержит контроллер часов реального времени с полным набором функциональных возможностей: тревога, таймер сторожевой схемы, таймер интервала. Все это доступно в байтовом формате. В DS1386 содержится также кварцевый резонатор, литиевая батарейка и кристалл СОЗУ.
Для модульного блока Power Cap выпускается базовая часть с памятью, монитором и контроллером батарей (к названию добавляется индекс Р), корпус Power Cap с литиевой батареей и кварцевый резонатор на 32,768 кГц.
"Интеллектуальные" панельки
- разрезать металлическую дорожку, обозначенную на рисунке "TOL";
- площадки металлизации, помеченные "Т", соединить перемычкой.
Рис. 5. "Интеллектуальная" панелька DS1213
Модернизация по увеличению объема памяти
- металлическую дорожку, обозначенную "U", разрезать;
- площадки металлизации, обозначенные "G", соединить перемычкой.
Интеллектуальные часы/ОЗУ имеют индекс DS1216B/C/D/H. Эти панельки имеют то же функциональное назначение, что и DS1213, но дополнительно на печатной плате устанавливается 16-выводная микросхема, которая содержит контроллер напряжения и фантомные часы в одном корпусе. Все DS1216 выпускаются с выходом сигнала "Сброс" (RTS) на выводе 1. Если сигнал "Сброс" не требуется, то достаточно металлическую дорожку, помеченную буквами "RES", перерезать.
- разрезать металлическую дорожку помеченную буквой "U";
- площадки металлизации, обозначенные "G", соединить перемычкой.
При этом DS 1216B модернизируются из объема 8Кх8 в память 32Кх8, а DS1216D - из 128Кх8 в 512Кх8.
Маломощные статические ОЗУ
- менее 50 нА при Uпит = 3 В;
- менее 100 нА при Uпит = 5,5 В;
- менее 1 мкА при Uпит = 5,5 В и t° = +60 °С.
Время доступа при 5 В у DS2016 - 100 > 100 нс, у DS2016 - 150 > 150 нс. При снижении питания до 3 В время доступа увеличивается до 250 нс.
Диапазон рабочих температур для данных микросхем -40:+85 °С. Если использовать для питания литиевые батареи, то ограничение диапазона температур происходит из-за того, что при -40 °С существенно снижается емкость батареи. Поэтому длительность работы батареи при отрицательных температурах не нормируется. Однако если не требуется автономная работа СОЗУ с литиевой батареей в течение 10 лет, то температура -40 °С является вполне реальным режимом работы. В этом случае микросхема DS2016 является наилучшим решением вышеуказанного требования. Вообще микросхема DS2016 с объемом памяти 2Кх8 пригодна как для работы с батареей, так и для случая, когда батарейное питание является вспомогательным. Наилучшим образом СОЗУ DS 2016 подходит для "интеллектуальной" панельки DS1213B.
Микросхемы СОЗУ имеют вход разрешение доступа к микросхеме (CE), который можно использовать для перевода в режим минимального потребления. Наличие сигналов управления CE, а также ОЕ позволяет объединять в параллель множество микросхем, получая, таким образом, необходимый объем памяти. Приборы СОЗУ поддерживают по входу и выходу уровни ТТЛ - схем в диапазоне напряжений 2, 7:5, 5 В. При одинаковых объемах памяти СОЗУ и ПЗУ обычно взаимозаменяемы по выводам и, соответственно, во многих применениях могут заменять друг друга.
Правильные ответы выделены зелёным цветом.
Все ответы: Курс представляет собой краткое учебное пособие по основам цифровой схемотехники.
(1) это сигнал, который может принимать любые значения в определенных пределах
(3) это сигнал, приходящий на электронную систему извне и искажающий полезный сигнал
Чем различаются входящие в стандартные серии разновидности синхронных счетчиков?
(3) наличием или отсутствием входов расширения для каскадирования
К какому типу выводов микросхемы памяти относится вход записи WR?
Каковы недостатки динамической оперативной памяти относительно статической оперативной памяти?
(3) необходимость регулярной регенерации информации в ней
В каких цифровых системах используются клавиатуры с большим количеством клавиш?
Укажите особенности логического анализатора по сравнению с обычным (не цифровым) осциллографом
(1) работает только с цифровыми, то есть двухуровневыми (реже трехуровневыми) сигналами
(2) работает только с аналоговыми сигналами, имеющими бесконечно большое число разрешенных уровней
(3) работает в режиме однократного запоминания временных диаграмм
(4) позволяет одновременно увидеть не более четырех входных сигналов
(4) предназначена для отображения общей структуры устройства
(2) изменяет уровень входного сигнала на противоположный
(1) единица на выходе появляется тогда, когда только на обоих входах присутствует нуль
(2) единица на выходе появляется тогда, когда только на одном входе присутствует единица
(3) единица на выходе появляется тогда, когда на всех входах нули
Что объединяет комбинационные микросхемы с логическими элементами?
(3) для перекоммутации одного входного сигнала на несколько выходов
(1) RS-триггер, JK-триггер и D-триггер, соединенные между собой
(1) сигнал, который может принимать только два значения – 0 и 1
(2) сигнал, который может принимать только два (иногда — три) значения, причем разрешены некоторые отклонения от этих значений
Какое будет условие правильной работы при каскадировании двух синхронных счетчиков?
(1) за два периода тактового сигнала должен успеть выработаться сигнал переноса первого счетчика
(2) за половину периода тактового сигнала должен успеть выработаться сигнал переноса первого счетчика
(3) за период тактового сигнала должен успеть выработаться сигнал переноса первого счетчика
У какой из микросхем четыре двунаправленных вывода данных типа 3С?
В чем суть преобразования входного цифрового кода в выходной аналоговый сигнал?
(1) в суммировании нескольких одинаковых токов (по числу разрядов входного кода)
(2) в суммировании нескольких токов (по числу разрядов входного кода), каждый последующий из которых вдвое больше предыдущего
(3) в суммировании нескольких токов (по числу разрядов входного кода), каждый последующий из которых на треть меньше предыдущего
(1) проектирование начинается исходя из требуемого результата
(2) проектирование начинается с самого сложного узла в схеме
(3) проектирование начинается с той части устройства, которая выполняет требуемую функцию
(1) точка запуска всегда находится в начале окна регистрации
(2) можно увидеть те события, временная привязка к началу которых затруднена или попросту невозможна
(3) отображение формы входного сигнала (или входных сигналов) начинается в момент запуска
Укажите отечественное обозначение микросхем инверторов
Укажите основное применение элементов Исключающее ИЛИ
(1) изменение полярности входного сигнала или фронта
(3) формирование коротких импульсов по любому фронту входного сигнала
(1) преобразует номер входного сигнала в выходной двоичный код
(2) преобразует входной двоичный код в номер выходного сигнала
(3) преобразует входной двоичный код в выходной двоичный код
Что происходит с выходной суммой, если на вход расширения С приходит единица?
Что является преимуществом триггеров и регистров перед другими типами микросхем с памятью?
В регистрах какого типа выход каждого предыдущего триггера соединен с входом D следующего триггера?
В каком диапазоне будет считать 4-разрядный двоично-десятичный счетчик в режиме прямого счета?
Каковы преимущества аналоговых сигналов по сравнению с цифровыми?
(2) небольшие отклонения от разрешенных значений никак не искажают аналоговый сигнал
(3) аналоговые сигналы допускают гораздо более качественную передачу, чем цифровые
(4) аналоговый сигнал более емкий с точки зрения передачи информации
(5) аналоговый сигнал определен в непрерывном времени
Какая из микросхем является РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации?
Какая из особенностей логического анализатора, по сравнению со стандартной структурой информационного буфера на основе оперативной памяти, приводит к тому, что данные при чтении приходится считывать не все сразу, а по очереди?
(2) необходимость обеспечения режима предпусковой регистрации
(3) необходимость временной привязки процесса регистрации к состояниям входных сигналов
Какое функциональное назначение микросхемы КР1533ЛА3?
Что происходит при использовании элемента Исключающее ИЛИ в качестве управляемого инвертора?
(1) при положительных входных сигналах элемент Исключающее ИЛИ будет работать как элемент 2ИЛИ
(2) если на управляющем входе нуль, то входной сигнал инвертируется
(3) один из входов элемента используется в качестве управляющего
В каком случае на вход С сумматора необходимо подать нуль?
(1) при каскадировании сумматоров для увеличения разрядности
(1) два логических элемента, охваченные положительными обратными связями
(2) три логических элемента, охваченные положительными обратными связями
(3) два логических элемента, охваченные положительными прямыми связями
Чем различаются входящие в стандартные серии типы параллельных регистров, срабатывающих по фронту?
Какие счетчики обладают наибольшим быстродействием?
Каковы преимущества цифровых сигналов по сравнению с аналоговыми?
(1) цифровые сигналы защищены от действия шумов, наводок и помех гораздо лучше
(2) цифровые сигналы допускают гораздо более сложную и многоступенчатую обработку
(3) цифровые сигналы допускают гораздо более качественную передачу, чем аналоговые
(4) цифровые сигналы допускают гораздо более длительное хранение без потерь
(5) максимально достижимое быстродействие цифровых устройств всегда принципиально больше, чем аналоговых
Какая из микросхем имеет два управляющих входа CS1 и –CS2?
Для чего коды на входы ЦАП подаются через параллельный регистр?
(1) чтобы уровень напряжения, соответствующий поданному коду, устанавливался более точно
(3) чтобы обеспечить одновременность изменения всех разрядов входного кода ЦАП
Какие недостатки имеет использование приоритетных шифраторов для построения преобразователя сигналов от нажатия клавиш в код номера нажатой клавиши?
(3) при большом количестве входов приоритетный шифратор получается довольно сложным
Какие логические анализаторы выявляют только нарушения в логике работы схемы?
При каком соединении необходимо применение резистора номиналом 560 Ом?
(1) при применении в одном устройстве мощных быстродействующих микросхем и маломощных микросхем
(2) соединение выходов ТТЛ-микросхем со входами КМОП-микросхем серии КР1554 (74AC)
(3) соединение выходов ТТЛ-микросхем со входами ТТЛ-микросхем
Для каких инверторов необходимо включение выходного нагрузочного резистора pull-up?
(1) перекоммутация одного входного сигнала на несколько выходов
Каким образом осуществляется каскадирование сумматоров для увеличения разрядности?
(1) надо сигнал с выхода переноса сумматора, обрабатывающего старшие разряды, подать на вход переноса сумматора, обрабатывающего младшие разряды
(2) надо сигнал с выхода переноса сумматора, обрабатывающего младшие разряды, подать на вход переноса сумматора, обрабатывающего старшие разряды
(3) надо сигнал с входа переноса сумматора, обрабатывающего младшие разряды, подать на выход переноса сумматора, обрабатывающего старшие разряды
Чем различаются типы микросхем триггеров, входящих в стандартные серии?
В какой схеме применяются компаратор кодов и регистр, охваченные обратной связью?
(1) вычисления разности двух последовательных значений входного кода
(3) вычислителя экстремального значения входного кода
Из цепочки каких триггеров строятся асинхронные счетчики?
(1) логическому нулю соответствует низкий уровень напряжения, а логической единице — высокий уровень
(2) логическому нулю соответствует высокий уровень напряжения, а логической единице — низкий уровень
(3) логический нуль кодируется положительным уровнем напряжения, а логическая единица — отрицательным уровнем напряжения
У какого счетчика прямой счет осуществляется при нулевом уровне на входе управления U/D, обратный — при единичном уровне на входе U/D?
Каким образом можно из микросхемы с организацией 2Кх8 сделать микросхему 512х8?
Как влияет на функционирование оперативной памяти произвольное изменение порядка сигналов адресных разрядов?
Чему равна длительность каждой ступеньки выходного сигнала генератора пилообразного аналогового сигнала, использующего в качестве источника входных кодов ЦАП обычный двоичный счетчик?
Что может опрашиваться при комбинированном методе преобразования сигналов?
Пусть количество регистрируемых состояний — 4096. Если мы выбираем глубину предпусковой регистрации N тактов, то через сколько тактов после момента прихода запуска надо остановить регистрацию?
Какому корпусу микросхемы соответствует название DIC?
(1) керамический корпус с двухрядным вертикальным расположением выводов
(2) пластмассовый корпус с двухрядным плоскостным расположением выводов
(3) керамический корпус с двухрядным плоскостным расположением выводов
(4) пластмассовый корпус с двухрядным вертикальным расположением выводов
(1) для организации двухканального мультиплексирования
(2) для смешивания двух отрицательных входных сигналов с возможностью разрешения/запрета выходного сигнала
(3) для организации четырехканального мультиплексирования
К чему приводит одновременное изменение сигналов на входе шифратора?
(1) к появлению периодов неопределенности на выходах
(2) на любом входе шифратора могут появиться паразитные отрицательные короткие импульсы
(1) для преобразования входных двоичных кодов в выходные двоично-десятичные
(2) для преобразования входных двоично-десятичных кодов в выходные двоичные
(1) при малых значениях входного кода он может рассматриваться как накапливающий вычитатель
(2) шаг нарастания выходного кода накапливающего сумматора может быть как целым, так и дробным числом
(3) когда происходит переполнение схемы и возобновление ее работы с минимальных значений кода, совсем не обязательно в следующем цикле работы будут повторены те же значения кода, что и в предыдущем
Какой счетчик включает в себя два идентичных независимых друг от друга 4-разрядных асинхронных счетчика?
Какие параметры микросхемы можно отнести к логическому уровню представления?
Как осуществляется объединение трех счетчиков ИЕ17?
(1) сигнал с выхода переноса первого счетчика подается на вход ECT второго счетчика, а сигнал с выхода переноса второго счетчика подается на вход ECR третьего счетчика
(2) сигнал с выхода переноса первого счетчика подается на входы ECR второго и третьего счетчиков, а сигнал с выхода переноса второго счетчика подается на вход ECT третьего счетчика
(3) сигнал с выхода переноса первого счетчика подается на входы ECT второго и третьего счетчиков, а сигнал с выхода переноса второго счетчика подается на вход ECR третьего счетчика
Каким образом можно увеличить количество адресных разрядов ПЗУ с помощью дешифратора?
(1) младшие разряды шины адреса подаются на объединенные адресные входы всех микросхем, а старшие — на управляющие входы дешифратора
(2) старшие разряды шины адреса подаются на объединенные адресные входы всех микросхем, а младшие — на управляющие входы дешифратора
(3) любые разряды шины адреса подаются на объединенные адресные входы всех микросхем, а оставшиеся — на управляющие входы дешифратора
В каком режиме доступа к памяти можно записывать информацию в любой адрес ОЗУ и читать информацию из любого адреса ОЗУ в произвольном порядке?
Что необходимо использовать в качестве источника кодов, поступающих на ЦАП, в случае, когда нужно формировать аналоговые сигналы произвольной формы?
Как в разработанной схеме клавиатуры были устранены эффекты, связанные с переходными процессами при переключении микросхем?
(1) временным сдвигом на величину периода генератора между тактовыми сигналами схемы преобразователя и схемы выработки выходных сигналов
(2) временным сдвигом на половину периода генератора между тактовыми сигналами схемы преобразователя и схемы выработки выходных сигналов
(3) временным сдвигом на два периода генератора между тактовыми сигналами схемы преобразователя и схемы выработки выходных сигналов
Количество регистрируемых состояний — 4096. Сколько разрядов должен иметь счетчик, перебирающий адреса памяти?
(2) стандартное число выводов из ряда: 4, 8, 14, 16, 20, 24, 28,…
(1) линии, сигналы по которым могут распространяться в двух противоположных направлениях
(2) линии, сигналы по которым передаются в разные моменты времени
(3) линии, которые идут от одного выхода к одному или нескольким входам
В каком случае элемент 2ИЛИ-НЕ получается из элемента ЛР1?
(2) при отключении половины схемы путем подачи нулей на два входа
Для чего служит микросхема преобразователей кодов ПР6?
(1) для преобразования двоично-десятичного кода в двоичный
(2) для преобразования двоичного кода в двоично-десятичный
(3) для преобразования входных двоичных кодов в выходные двоично-десятичные и наоборот
Какие рекомендации должны выполняться для правильной работы D-триггера?
(1) входные сигналы R и S не должны приходить одновременно
(2) длительность сигналов R и S должна быть очень малой
(3) длительность фронта тактового сигнала С, не должна быть слишком большой
Могут ли регистры, срабатывающие по уровню заменять регистры, срабатывающие по фронту?
(3) их применение вместо регистров, срабатывающих по фронту, недопустимо
(1) отношение периода следования импульсов к длительности этих импульсов
(2) одинаковая длительность импульсов и паузы между ними
Как можно избежать накопления суммарной задержки переноса при необходимости объединения большого количества счетчиков (большего четырех)?
(1) включив на входах старших счетчиков ECT логические элементы ИЛИ с нужным числом входов
(2) включив на входах старших счетчиков ECT логические элементы И с нужным числом входов
(3) включив на входах всех счетчиков ECR логические элементы ИЛИ с нужным числом входов
Каким образом можно осуществить замену сложной комбинационной схемы микросхемой ПЗУ?
(1) надо составить таблицу прошивки ПЗУ, соответствующую таблице истинности данной комбинационной схемы, рассматривая адресные выводы микросхемы ПЗУ как выходы комбинационной схемы, а управляющие выводы — как входы этой комбинационной схемы
(2) надо составить таблицу прошивки ПЗУ, соответствующую таблице истинности данной комбинационной схемы, рассматривая адресные выводы микросхемы ПЗУ как выходы комбинационной схемы, а разряды данных — как входы этой комбинационной схемы
(3) надо составить таблицу прошивки ПЗУ, соответствующую таблице истинности данной комбинационной схемы, рассматривая адресные входы микросхемы ПЗУ как входы комбинационной схемы, а разряды данных — как выходы этой комбинационной схемы
Какой тип памяти подразумевает возможность чередования операций записи и чтения; при этом память выдает читаемые данные в том же порядке, в котором они были записаны?
Для чего может применяться аттенюатор аналогового сигнала на ЦАП?
(1) для усиления входного напряжения, изменяемого в очень широких пределах
(2) для регулировки амплитуды выходного сигнала генератора на основе ЦАП
(3) для сдвига аналогового сигнала на величину, задаваемую входным цифровым кодом
Какова логика контроля правильности хранения или передачи массивов информации с помощью контрольной суммы?
(1) контрольный код гораздо больше контролируемого массива, поэтому искажения контрольной суммы будут гораздо меньше, чем искажения массива
(2) контрольный код гораздо меньше контролируемого массива, поэтому вероятность искажения контрольной суммы гораздо меньше, чем вероятность искажения массива
SDRAM: Определение
Микросхемы SDRAM: Физическая организация и принцип работы
Важно заметить, что с динамической матрицей памяти связан особый буфер статической природы, именуемый «усилителем уровня» (SenseAmp), размер которого равен размеру одной строки, необходимый для осуществления операций чтения и регенерации данных, содержащихся в ячейках памяти. Поскольку последние физически представляют собой конденсаторы, разряжающиеся при совершении каждой операции чтения, усилитель уровня обязан восстановить данные, хранящиеся в ячейке, после завершения цикла доступа (более подробно участие усилителя уровня в цикле чтения данных из микросхемы памяти рассмотрено ниже).
Кроме того, поскольку конденсаторы со временем теряют свой заряд (независимо от операций чтения), для предотвращения потери данных необходимо периодически обновлять содержимое ячеек. В современных типах памяти, которые поддерживают режимы автоматической регенерации (в «пробужденном» состоянии) и саморегенерации (в «спящем» состоянии), обычно это является задачей внутреннего контроллера регенерации, расположенного непосредственно в микросхеме памяти.
Схема обращения к ячейке памяти в самом общем случае может быть представлена следующим образом:
В современных микросхемах SDRAM схема обращения к ячейкам памяти выглядит аналогично. Далее, в связи с обсуждением задержек при доступе в память (таймингов памяти), мы рассмотрим ее более подробно.
Микросхемы SDRAM: Логическая организация
Модули SDRAM: Организация
Модули памяти: Микросхема SPD
Тайминги памяти
Схема доступа к данным микросхемы SDRAM
1. Активизация строки
Повторная активизация какой-либо другой строки того же банка не может быть осуществлена до тех пор, пока предыдущая строка этого банка остается открытой (т.к. усилитель уровня, содержащий буфер данных размером в одну строку банка и описанный в разделе «Микросхемы SDRAM: Физическая организация и принцип работы», является общим для всех строк данного банка микросхемы SDRAM). Таким образом, минимальный промежуток времени между активизацией двух различных строк одного и того же банка определяется минимальным временем цикла строки (Row Cycle Time, tRC).
2. Чтение/запись данных
Возвращаясь к чтению данных, заметим, что существует две разновидности команды чтения. Первая из них является «обычным» чтением (READ), вторая называется «чтением с автоматической подзарядкой» (Read with Auto-Precharge, «RD+AP»). Последняя отличается тем, что после завершения пакетной передачи данных по шине данных микросхемы автоматически будет подана команда подзарядки строки (PRECHARGE), тогда как в первом случае выбранная строка микросхемы памяти останется «открытой» для осуществления дальнейших операций.
3. Подзарядка строки
Соотношения между таймингами
В заключение этой части, посвященной задержкам при доступе к данным, рассмотрим основные соотношения между важнейшими параметрами таймингов на примере более простых операций чтения данных. Как мы рассмотрели выше, в самом простейшем и самом общем случае — для пакетного считывания заданного количества данных (2, 4 или 8 элементов) необходимо осуществить следующие операции:
1) активизировать строку в банке памяти с помощью команды ACTIVATE;
2) подать команду чтения данных READ;
3) считать данные, поступающие на внешнюю шину данных микросхемы;
4) закрыть строку с помощью команды подзарядки строки PRECHARGE (как вариант, это делается автоматически, если на втором шаге использовать команду «RD+AP»).
Наконец, промежуток времени между четвертой операцией и последующим повтором первой операции цикла составляет «время подзарядки строки» (tRP).
В то же время, минимальному времени активности строки (от подачи команды ACTIVATE до подачи команды PRECHARGE, tRAS), по его определению, как раз отвечает промежуток времени между началом первой и началом четвертой операции. Отсюда вытекает первое важное соотношение между таймингами памяти:
Привет Хабр. В последнее время среди программистов все больше стала набирать популярность цифровая электроника, появляются все новые платформы, позволяющие без каких либо особых знаний в электронике собирать различные устройства. Сам я начинал заниматься аналоговой электроникой, позже — цифровой и программированием. Многие же — наоборот — сначала программированием, а потом пытаются заниматься железом, при этом знания по части электроники практически нулевые и люди не знают/не понимают элементарных для олдфажного электронщика вещей. В данной статье я постараюсь затронуть наиболее важные на мой взгляд моменты, как по части проектирования схем, так и по части разводки плат. Надеюсь мои советы помогут миновать некоторые грабли
Заглянем немного внутрь микросхем и посмотрим как устроены их части. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем сделано по технологии КМОП. Базовым элементом является полевой транзистор с индуцированным каналом p или n типа. Объединив их по следующей схеме — получаем инвертор, при подаче высокого напряжения на входы — сопротивление n канального транзистора мало, а p канального — велико, нижний транзистор подключает выход к земле, если же наоборот — подать низкий уровень — сопротивление будет мало у p канального транзистора — и он подключит выход к высокому напряжению.
Тут кроется, на первый взгляд незаметная вещь — а что будет, если транзисторы будут открыты одновременно?
Правильно — короткое замыкание между питанием и землей — и тут уж что быстрее выйдет из строя — канал одного из транзисторов или питающая схема, которая не сможет обеспечить такой ток. И такое вполне может быть и бывает ведь. Дело тут в том, что для транзисторов существуют диапазоны напряжений на затворе в пределах которых мы считаем, что сопротивление транзистора мало или велико. В зависимости от транзисторов они разные — скажем до 0.6В мы считаем, что один транзистор гарантированно закрыт, а другой открыт, а выше 1.8В считаем, что наоборот. диапазон между этими напряжениями — ЗАПРЕЩЕННЫЙ в цифровой электронике, потому что один транзистор уже может приоткрыться, а второй еще не закрыться. Обеспечить такое условие достаточно просто — достаточно оставить неиспользуемый вход микросхемы болтаться в воздухе — напряжение в таком случае на нем может быть какое угодно. Поэтому
Совет номер 1: всегда подтягивайте неиспользуемые входы микросхемы к какому либо логическому уровню схемы. Потом будет меньше огромных глаз и возгласов «От статики сгорело! Нужно антистатические браслеты одевать.» — Нужно правильно делать схемы, тогда они САМИ гореть не будут. Всегда следите за тем, чтобы логический уровень на входах был четко задан в любой момент работы схемы. Невыполнение этого условия чревато не только ошибками в работе устройства, но и выходом его из строя. И хотя входы обычно оснащены защитными диодами, которые защищают от перенапряжения и задают напряжение на затворе — надеяться на них не стоит. Кроме того хаотично переключающиеся элементы внутри микросхемы повышают ее энергопотребление, что может быть критично в системах с батарейным питанием
Выходы микросхем
Кроме входов у микросхем есть еще и выходы — в зависимости от того — какое напряжение мы подаем на выходной каскад — открывается один или другой транзистор, через который течет ток — он либо вытекает либо втекает в микросхему, чтобы получить напряжение (ведь именно его мы измеряем) ток нужно пропустить через сопротивление. Это сопротивление и будет определять ток, протекающий через выход микросхемы, если мы нагружаем выход на высокоимпедансный вход 10МОм, при напряжении питания 5В — через выход контроллера будет протекать ток 0.5 мкА. Канал транзистора имеет ограничение по протекающему через него току — как правило это отражено в даташитах. Сопротивление на которое нагружается выход микросхемы не должно быть меньше допустимого. Скажем — если максимальный выходной ток 10мА, а напряжение питания 5В, то минимальное нагрузочное сопротивление будет 0.5кОм или 500Ом, если меньше — сгорит.
Совет номер 2:
Подключайте выходные разъемы через проходные резисторы
1кОм, потому что к выходным разъемам по определению можно подключить что угодно, проходной резистор обезопасит схему от кривых рук (возможно даже своих же). Внутри схемы — если уверены, что выход всегда будет нагружен на высокоимпедансный вход — можно обойтись без них. Все это разумеется справедливо, если выходной сигнал — напряжение, если на выходе требуется ток — тут можно сконфигурировать выходы в режиме открытого коллектора, либо использовать дополнительный внешний транзистор для управления нагрузкой.
Индуктивности
Индуктивность — это некоторая инертность места, где протекает ток — мне очень нравится тут аналогия с сантехникой — индуктивность это массивная турбина, которая при подаче давления — постепенно раскручивается, потом все меньше и меньше сопротивляется напору воды, в итоге перестает сопротивляться вообще, а если снять давление, то турбина продолжает толкать воду, пока не остановится. В общем в самом начале давление совершает работу по раскрутке турбины, которая запасает в себе энергию. В случае с током — то же самое тут напряжение это то же давление в сантехнике — мы пытаемся сдвинуть электроны с места, прикладывая некоторое напряжение, но природа так устроена, что часть энергии должна запастись в электромагнитном поле — сколько именно — определяется геометрией контура (массой, геометрией турбины).
Всегда помните, чему вас учили в школе — ток течет по кольцу! И площадь этого кольца с током, так же как и толщина проводника определяют индуктивность контура — сколько энергии будет запасаться в магнитном поле. Это магнитное поле может влиять на другие проводники — это явление используется в трансформаторах. Любые 2 контура с током обладают взаимной индукцией и один будет влиять на другой. Во вторых — высокая индуктивность ограничивает быстродействие схемы, кроме того индуктивности с паразитными емкостями могут образовывать резонансные контуры и схема может работать непредсказуемо… Но обо всем по порядку — Расскажу о некоторых эффектах, связанных с индуктивностью в цифровой технике
Индуктивность выводов, срабатывание на удвоенной частоте
Любой кусочек проводника, по которому течет ток имеет свою индуктивность, в том числе и ножки микросхемы. Посмотрим, на что она может влиять. Рассмотрим следующую схему — все что в желтом квадратике — кристалл микросхемы, внутренние линии питания связаны с внешними через индуктивность ножек.
Допустим на выходе удерживался высокий логический уровень — тек небольшой ток через входное сопротивление приемника и была заряжена входная емкость, и тут происходит переключение выхода в низкий логический уровень. Открывается нижний транзистор, закрывается верхний, емкость C — заряжена, сопротивление R — велико, емкость будет разряжаться через нижний транзистор и индуктивность земляного вывода — что мы имеем? После переключения выхода из 1 в 0 — получаем бросок тока, обусловленный входной емкостью приемника, ток проходя через индуктивность земляного вывода вызывает ЭДС самоиндукции, внутренняя земля таким образом подпрыгивает относительно внешней на величину этой ЭДС равной -LdI/dt, причем знак производной сначала будет положительный — ток через индуктивность возрастает, а затем — отрицательный — ток падает. Получаем импульсную помеху по внутренней шине земли — её потенциал сначала подпрыгнет, а потом просядет на одинаковую величину.
Но все внутренние измерительные цепи используют потенциал земли как опорный! Подпрыгивает только он, с другими сигналами на затворах ничего не происходит. А теперь представим, что микросхема наша тактируется от внешнего генератора и выходов у неё не 1, а 8 — 32 — какая нибудь микросхема памяти с раздельными выводами для чтения и записи — одновременно и пишем и читаем — сначала выставляем данные на входах, которые хотим записать, потом выдаем тактовый сигнал — входные данные защелкиваются, а выходные выставляются. Механизм распознавания тактового сигнала — дифференциальный — внутри измеряется разница между напряжением на входе тактовой синхронизации и внутренней землей. Допустим произошло переключение по тактовому сигналу выходов из состояния 0xff в 0x00 — при этом напряжение импульсной помехи будет в 8 раз больше, чем с 1 ножкой — внутренняя земля сначала подпрыгивает, а поскольку важна разница между входным сигналом и внутренней землей — может подпрыгнуть настолько, что внутренний компаратор переключится в 0, затем земля опустится и компаратор снова переключится в 1 — получаем дополнительный такт сразу за первым, при этом новые входные данные еще не выставлены, а выходные еще не приняты. Внешне это не проявится никак — схема просто будет сбоить непонятно почему — на осциллографе все будет чисто, вы же не можете ткнуться в кристалл микросхемы.
Производители решают эту проблему, снижая индуктивность выводов, создавая безвыводные корпуса, которые к тому же экономят место. Но все это ценой снижения механической надежности и усложнения монтажа. Кроме того — одно из решений — использовать отдельные выводы для измерительных цепей, так же используются несколько выводов земли и питания — таким образом индуктивности выводов соединяются параллельно и общая индуктивность снижается, кроме того это позволяет распределить токи внутри кристалла и уменьшить их влияние друг на друга.
Совет номер 3:
Если микросхема имеет раздельные выводы питания — у каждого должна быть своя точка соединения с шиной земли или питания- не нужно соединять их вместе, а затем одной сопелькой все это присоединять к шине — так вы убиваете всю задумку!
Взаимная индукция контуров с током, наводки
Помните я говорил, что ток течет по кольцу? Об этом всегда нужно помнить, когда вы разрабатываете высокочастотное устройство. На высоких частотах сопротивление линии начинает играть меньшую роль, по сравнению с индуктивностью — ВЧ ток течет не по пути наименьшего сопротивления, а по пути наименьшей индуктивности ток всегда стремится образовать контур с наименьшей индуктивностью — то есть обратный ток стремится течь как можно ближе к дорожке, по которой течет прямой ток — так площадь контура будет минимальна, соответственно будет минимальна и его индуктивность. Чем меньше индуктивность линии — тем выше её быстродействие(турбина легче раскручивается), кроме того — обратные токи разных линий не должны течь по одному и тому же месту — так они имеют высокую взаимную индуктивность — один контур начинает давать наводки на другой, как в трансформаторе. В общем все, что вам нужно сделать при разводке печатной платы — позволить обратному току течь под дорожкой.
Вот пример того, как не стоит делать: — в земляном слое разрез — обратный ток от верхней пары приемник — передатчик вынужден огибать разрез — при этом возникает пересечение с другим контуром тока и увеличивается площадь и индуктивность контура
Совет номер 4:
Следите за обратными путями сигнальных токов — ток сам стремится минимизировать индуктивность — вы просто не должны ему мешать. Следите, чтобы контуры пересекались как можно меньше — это увеличит помехоустойчивость схемы
Емкости
Везде, где есть 2 проводящие поверхности — есть емкость — будь то провода, проводники на печатной плате или ножки микросхем — иногда емкость это хорошо иногда плохо. Например в случае срабатывания на удвоенной частоте — большая входная емкость приемника — плохо, потому что увеличивается количество принимаемого ей заряда, соответственно амплитуда импульсной помехи. Если в случае индуктивности — связь идет по магнитному полю, то в случае с емкостью — по электрическому, решающую роль здесь играет площадь проводников и расстояние, а также то, что расположено между ними. Например емкостная связь между проводниками в шине — плохо(например шлейф IDE) — минимизировать её можно пустив между дорожками земляной проводник, тогда эквивалентная схема будет следующей: C — емкость между двумя проводниками. — в таком случае влияние взаимной емкости снижается во первых — в 2 раза за счет увеличения расстояния, во вторых — имеем 2 параллельно соединенных конденсатора — один идет в землю, второй в другой проводник — один имеет импеданс 1/iwC, другой 2/iwC, переменный ток поделится между ними в отношении 2/1, то есть наличие земляного проводника между линиями позволяет снизить влияние взаимной емкости в 4 раза
Если в схеме присутствуют 2 земли — аналоговая и цифровая или сильноточная и слаботочная — нужно следить, чтобы взаимная емкость между полигонами была минимальна — добиться этого можно, делая один из полигонов сеточкой. Но стоит предостеречь, что уменьшение емкости полигона не всегда идет на пользу
Блокировочные конденсаторы
Вообще говоря для переменного тока не имеет никакого значения — течь по земле или по шине питания — для него они равноправны. В идеальном случае источник питания должен обладать нулевым импедансом, но в реальности это не так, вклад в это вносят подводящие провода и разводка питания. Чем это плохо? Допустим — какой то выход микросхемы переключился из состояния 0 в состояние 1 — при этом должна зарядиться выходная емкость. а где взять электроны для заряда? правильно — из батарейки, то есть при каждом переключении у нас происходит импульсный бросок тока в цепи питания — и так при каждом переключении чего то внутри микросхемы, а что делает ток, протекая через индуктивности цепи питания? создает помехи для других таких же цепей — если не обеспечен низкий импеданс по переменному току между питанием и землей и у тока нет другого пути кроме как через батарейку — уровень перекрестных помех в схеме возрастает. Проблема решается установкой блокировочных конденсаторов рядом с каждой микросхемой — это по сути маленькие батарейки с низким импедансом — при помощи них мы разделяем и уменьшаем контура переменных токов микросхем. Стоит остановиться немного на конденсаторах — на приведенной схеме L2, C2, ESR, ES — эквивалентная схема конденсатора — L2 — последовательная индуктивность выводов, C2 — собственно емкость, ES — сопротивление диэлектрика,ESR — эквивалентное последовательное сопротивление — засуньте кусок текстолита в микроволновку и включите на несколько секунд — теплый? Вот это и есть — эквивалентное последовательное сопротивление — дело в том, что диэлектрик это диполи — по сути 2 шарика, соединенные пружинкой — это колебательная система, которая имеет свою частоту — если вы меняете внешнее поле с близкой частотой — сопротивление мало, если с отличной — систему все сложней заставить колебаться — ESR зависит от частоты и имеет резонансный пик — в окрестности этого пика ESR мало — положение этого пика зависит от материала диэлектрика — у электролитических конденсаторов он находится на низких частотах, у керамических — на более высоких. Таким образом, чтобы конденсатор имел малый импеданс мы должны обеспечить минимальную индуктивность выводов и минимальное ESR
Совет номер 5:
Для уменьшения перекрестных помех по линиям питания старайтесь минимизировать импеданс разводки линий питания, по возможности используйте полигоны для питания и земли — емкостная связь между ними способствует уменьшению импеданса.
Поскольку для переменного тока не имеет значения — возвращаться по линии питания или по земле — используйте конденсаторы, чтобы возвратный ток мог перетекать из слоя в слой при необходимости. Располагайте блокировочные конденсаторы в непосредственной близости от микросхем, для минимизации перекрестных помех по линиям питания. Используйте конденсаторы с различными типами диэлектриков.
На этом все — надеюсь кому то статья была полезна — свои вопросы и замечания оставляйте в комментариях или в ЛС
Читайте также: