Обзор ssd samsung 850 evo
Обновлено: 05.07.2024
Не думал, что я когда либо это скажу, но это лучший SSD из всех, что я видел, несмотря на то, что он TLC. Данный SSD показывает высокую скорость чтения и записи хоть больших файлов, хоть кучи маленьких. Его скороcть не зависит от его заполнения и всегда стабильно держится. Вы можете мне конечно же возразить — «Ты просто мало SSD повидал….. вот как сейчас помню был один он круче во сто раз… тока не помню какой и когда» А мы живём сейчас, а сейчас это лучший SSD. Почему? Сейчас объясню, ведь практически каждая его особенность это его преимущество.
Но начнём пожалуй с характеристик.
Объём SSD: 250 Гб
Тип памяти: TLC V-NAND
Ресурс SSD: 75 TWB
Максимальная скорость чтения: 540 Мб\с
Максимальная скорость записи: 520 Мб\с
Показатель скорости случайного чтения (IOmeter): 97000 IOPS при включенном режиме RAPID
Контроллер: Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4)
ОЗУ контроллера: 512 Мб LPDDR3
Высокоскоростной КЭШ обработки данных: 3 Гб
Форм-фактор: 2,5
Гарантия: 5 лет
Первое преимущество — высокая скорость чтения и записи, которая не зависит от заполнения самого SSD.
Несмотря на то, что используется не топовый контроллер Samsung MEX (3 ядра Cortex), а Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4), но, т.к. его ядра работают с немного большей частотой, чем трёхъядерная версия в Samsung MEX, его производительности вполне достаточно для поддержания быстрой работы SSD объёмом 250 Гб.
Второе преимущество — невероятно стабильная скорость записи.
Как видно на скринах, скорость не падает, на сколько SSD не заполнена, также при копировании большого объёма информации скорость со временем тоже не падает. Большая редкость для бюджетных ССД. Прекрасная работа.
Третье преимущество — очень высокий показатель скорости случайного чтения (те самые Ваши любимые IOPS’ы).
Если судить по сайту SAMSUNG, данный SSD на 250 Гб показывает значение 97 000 IOPS в режиме RAPID. К сожалению уменя AMD RYZEN 5 1600 и материнская плата на чипсете X370, что не даёт возможность использовать технологию RAPID (Использование оперативной памяти в качестве своеобразного КЭШа для SSD). Но как по мне это не очень надёжная технология и оперативку использовать не каждый захочет для подобных целей (может отколоть и 4 Гб. Представьте если у Вас всего 8 чем это обернётся?). К тому-же при непредвиденном завершении работы или сбое питания компьютера очень высок риск потери данных. Стоит ли это того или нет решать Вам. Показатель без технологии RAPID тоже очень высок 60 000 IOPS.
Для сравнения вот некогда неплохой SSD KINGSTON KC300
Правда он заполнен на 90% и поэтому скорость записи просто ужасна. Вот она особенность старых контроллеров SandForce. На самсунге повторюсь такого не наблюдается.
Четвёртое преимущество — оптимальный контроллер для работы с данным TLC V-NAND SSD.
На контроллере в данной модели действительно сэкономили. Но неужели это плохо, если он прекрасно справляется со своей работой? Да это не топовый MEX, но в нём здесь нет необходимости. Как Вы видите из тестов всё отлично работает. А если не видно разницы зачем платить больше…… эм то есть зачем контроллер лучше. Более дешёвый контроллер — более низкая цена и тем самым более конкурентноспособный продукт. Если бы это был M.2 SSD тут удешевление могло сказаться на производительности, но это SATA SSD и его скорость приближается к пределу скоростных возможностей SATA III.
Контроллер в SSD это не просто вычислительная мощь, а программно-аппаратный компонент SSD, призванный оперативно корректировать ошибки, возникающие в ячейках памяти. В TL-ячейках это особенно актуально, поэтому микрокод контроллера и своевременное обновление прошивки (если оно конечно же есть) имеет важное значение.
Немного напрягу Вас теорией, описывающей различные технологии компоновки ячеек памяти и их работу.
SLC (SINGLE LEVEL CELL) — ячейка имеющая только два состояния — 0 и 1 и только два значения напряжения. В результате непревзойдённые значения скорости энергоэффективности и конечно же надёжности, но насколько она надёжна, настолько и дорога, поэтому их не используют в SSD для массового производства.
MLC (MULTI LEVEL CELL) — ячейка, имеющая многоуровневую структуру, имеет четыре логических состояния (00, 01, 10, 11) и соответственно 4 разных значения напряжения, что уменьшает её производительность и увеличивает вероятность возникновения ошибок памяти с которыми придётся разбираться контроллеру SSD.
И наконец TLC (TRIPLE LEVEL CELL) — ячейка, имеющая целых восемь логических состояний (000, 001, 010, 100, 101, 110, 011, 111) и соответственно трёхбитовое представление состояния ячейки. Всё это способствует возникновению ошибок в памяти, скажу больше, по количеству возникновения ошибок TLC ПОКАЗЫВАЕТ НАИХУДШИЙ РЕЗУЛЬТАТ СРЕДИ ВСЕХ. На кого ложится бремя коррекции этих ошибок? Правильно на контроллер. И вот тут SAMSUNG MGX показал себя с лучшей стороны. Как видно из тестов — контроллер полностью справляется со своей задачей не давая часто возникающим ошибам (по вине tlc ячеек) влиять на скоростные характеристики SSD. Так бывает далеко не всегда и поэтому я так не любил TLC SSD. Пока не встретился с этим. Полная победа контроллера над недостатками дешёвой технологии, поэтому я и назвал его оптимальным контроллером для TLC V-NAND.
Главное преимущество, которое при наличии предыдущих убивает всю конкуренцию среди TLC-накопителей — это низкая цена.
Рассмотрим наклейку на задней стенке SSD. Например дата производства и серийный номер имеют значение. В серийном номере зашифровано поколение SSD и соответственно какая установлена в нём память. Узнать установлено ли в Вашем SSD новое поколение памяти можно по первым трём символам в серийном номере. Если у Вас как и у меня S3N (или номер начинающийся со значений, появившихся после S3L (буквы возрастают в алфавитном порядке), то у Вас новая 64 — слойная TLC V-NAND память, ранее использовалась 48 — слойная TLC V-NAND память.
Вывод
Сейчас диски с TLC, а тем более TLC V-NAND технологиями компоновки ячеек памяти не так тормознуты и ненадёжны, как например ещё года 3-4 назад. Уже научились делать очень быстрые и намного более надёжные SSD, с прекрасными контроллерами, которые оперативно корректируют ошибки накапливающиеся в ячейках памяти чем, опять-же повторюсь, 3-4 года назад. Так что теперь без каких либо опасений можно брать ссд TLC V-NAND, особенно данную модель, которая показывает прекрасные результаты по части скорости и надежности.
Надеюсь мы помогли Вам в выборе. Это был ПроОбзор — просто о сложном, интересно обо всём.
Не так давно на нашем сайте вышел обзор накопителя 950 PRO — это самое быстрое запоминающее устройство на потребительском рынке в 2016 году. Второй в табели о рангах идет линейка 850 PRO с интерфейсом SATA 3.0. И снова южнокорейской компании принадлежит самый быстрый накопитель в своем классе. Серия 850 EVO, — а мы познакомимся сразу с двумя моделями различных форм-факторов — предлагает высокое быстродействие вкупе с небольшой ценой. Такого привлекательного во всех отношениях симбиоза удалось достичь путем перевода TLC-памяти в трехмерное пространство. Технология получила название 3D V-NAND. А еще серьезно увеличилась надежность накопителей.
Samsung 850 EVO
Технические характеристики и особенности конструкции
«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.
Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.
Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.
В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».
| Samsung 850 EVO | |||||||
| Интерфейс | SATA 3.0 | M.2 | |||||
| Маркировка модели | MZ-75E120BW | MZ-75E250BW | MZ-75E500BW | MZ-75E1T0BW | MZ-N5E120BW | MZ-N5E250BW | MZ-N5E500BW |
| Объем | 120 Гбайт | 250 Гбайт | 500 Гбайт | 1 Тбайт | 120 Гбайт | 250 Гбайт | 500 Гбайт |
| Память | Samsung, 40 нм, TLC V-NAND, 128 Гбит, 32 слоя | ||||||
| Контроллер | Samsung MGX | Samsung MEX | Samsung MGX | ||||
| Буферная память | 256 Мбайт LPDDR2-1066 | 512 Мбайт LPDDR2-1066 | 1024 Мбайт LPDDR2-1066 | 512 Мбайт LPDDR3 | |||
| Максимальная скорость последовательного чтения/записи | 540/520 Мбайт/с | 540/500 Мбайт/с | |||||
| Максимальная скорость произвольных чтения/записи | 94 000/88 000 IOPS | 97 000/88 000 IOPS | 98 000/90 000 IOPS | 97 000/89 000 IOPS | |||
| Ресурс записи | 75 Тбайт | 150 Тбайт | 75 Тбайт | 150 Тбайт | |||
| Гарантия | 5 лет | ||||||
| Цена | 4600 руб. | 8100 руб. | 12 400 руб. | 24 500 руб. | 4800 руб. | 7000 руб. | 12 500 руб. |
| Купить |
Есть в линейке 850 EVO и серия под разъем mSATA. Старенький, бесперспективный стандарт, который используется в крошечных компьютерах (например, Intel NUC), ноутбуках и некоторых материнских платах. В современных решениях я его давно не встречал. И все же наличие в продаже этой серии — отличный способ омолодить свою машину.
Характерная черта линейки 850 EVO: отсутствие у накопителей какой-либо сопутствующей комплектации. В картонной коробке, помимо устройства, покоится только краткое руководство пользователя.
Твердотельные накопители с ёмкостью больше, чем у традиционных жёстких дисков, – не такая уж и редкость. Однако в силу своей дороговизны почти все они позиционируются как серверные решения. На рынке же потребительских SSD максимальная ёмкость доходит лишь до 1-2 Тбайт, причём двухтерабайтные предложения – это скорее экзотика. Фактически единственными накопителями объёмом 2 Тбайт, которые можно отнести к числу массовых продуктов, следует считать Samsung 850 EVO и Samsung 850 PRO, которые были представлены в прошлом году. Для их выпуска инженерам Samsung пришлось изрядно попотеть: для столь объёмных SATA-накопителей был специально спроектирован особый контроллер MHX, в котором видоизменился интерфейс DRAM и добавилась поддержка до 4 Гбайт DDR3 SDRAM. Но зато в результате проведённой работы в распоряжении компании оказалась платформа, позволяющая легко масштабировать ёмкость потребительских SATA SSD и дальше. До недавних пор южнокорейскую компанию сдерживало лишь то, что производимые ей 32-слойные чипы TLC 3D V-NAND имели размер по 128 Гбит, и это не позволяло выйти за пределы двухтерабайтного объёма, пользуясь контроллером с восьмиканальной архитектурой.
Иными словами, Samsung вновь смогла продемонстрировать своё технологическое лидерство. Мало того, что вся серия 850 EVO, которая основывается на флеш-памяти с трёхбитовой ячейкой, по параметрам быстродействия и надёжности умудряется конкурировать с лучшими SATA SSD на базе планарной MLC-памяти, так теперь ещё в её составе появилась экстраёмкая вариация, аналогов которой у других производителей попросту нет и в ближайшее время не предвидится. Поэтому, как только накопители Samsung 850 EVO 4 Тбайт оказались в России, мы сразу же решили «пощупать» такую диковинку на практике
Samsung 850 EVO 4 Тбайт в подробностях
Серию Samsung 850 EVO вполне можно отнести к числу старожилов: первые накопители под этой маркой появились ещё в 2014 году, но за счёт обновления начинки и добавления новых моделей она продолжает оставаться актуальной и по сей день. Поэтому нет ничего удивительного в том, что новая модель Samsung 850 EVO 4 Тбайт совсем не похожа на накопители той же самой серии первой волны. В ней стоит более новая TLC 3D V-NAND третьего поколения и контроллер, который появился в 2015 году. Тем не менее с точки зрения потребительских характеристик преемственность полностью сохранена. Кроме того, Samsung 850 EVO 4 Тбайт сильно похож на своих собратьев с меньшей ёмкостью ещё и по внешнему виду.
Внутри же этого накопителя стоит печатная плата, очень сильно напоминающая плату из 2-терабайтной версии 850 EVO. На ней используется точно такой же контроллер Samsung MHX, вокруг которого расположено восемь микросхем флеш-памяти плюс 4-гигабайтный чип DDR3L SDRAM.
Кстати сказать, штабелировать по 16 чипов флеш-памяти в одну микросхему Samsung научилась сравнительно давно.
Поэтому среди продуктов Samsung нет и не было накопителей, где бы стояло сразу 16 микросхем флеш-памяти, а печатная плата занимала бы весь объём внутри 2,5-дюймового корпуса.
Ничего выдающегося в этом на самом деле нет: по 16 чипов в одну микросхему флеш-памяти умеют упаковывать и другие производители, например Toshiba. Однако с выходом третьего поколения V-NAND подход Samsung приобрёл некоторую уникальность. Дело в том, что теперь в микросхемах с 16 кристаллами внутри, помимо собственно флеш-памяти, появилась дополнительная логика – два буферных чипа F-Chip. Эти чипы позволяют контроллеру работать по единой шине сразу с несколькими NAND-устройствами, что значительно упрощает электронный дизайн накопителя и позволяет снизить влияние электромагнитных наводок на целостность передаваемых сигналов.
В появлении 4-Тбайт накопителя внедрение F-Chip сыграло особую роль: увеличение ёмкости устройств V-NAND до 256 Гбайт могло привести к росту трафика и неминуемым коллизиям в каналах контроллера, но, благодаря дополнительному уровню буферизации, подобных негативных эффектов удалось избежать.
В итоге по сравнению с 2-Тбайт версией 850 EVO, которую мы тестировали год назад, в конструкции поменялся состав и увеличилась ёмкость чипа DRAM, но количество микросхем флеш-памяти осталось неизменным. Да и в остальном внутреннее устройство у новинки почти такое же, разве только обновилась прошивка.
Мало отличается новинка от 2-Тбайт накопителя и по паспортным характеристикам. Заявленный объём составляет 4000 Гбайт, но на резервный фонд и работу внутренних алгоритмов контроллера отводятся обычные для Samsung 850 EVO 9 процентов от общей ёмкости массива флеш-памяти. Пропорционально увеличен в 4-Тбайт накопителе и объём SLC-кеша, работающего в рамках технологии TurboWrite. Теперь его размер вырос до внушительных 48 Гбайт, так что в подавляющем большинстве задач все операции записи будут происходить через кеш, без задействования памяти в TLC-режиме. Но поскольку производительность старших моделей 850 EVO давно ограничивается возможностями SATA-интерфейса, скоростные показатели для Samsung 850 EVO 4 Тбайт заявлены абсолютно такие же, как и для моделей меньшей ёмкости.
Но один момент в характеристиках всё же настораживает — это заявленный ресурс записи. На всех представителей серии Samsung 850 EVO распространяется пятилетняя гарантия, но в реальности условия гарантийного обслуживания сформулированы несколько хитрее: оно действует либо в течение пяти лет, либо до исчерпания ресурса записи – в зависимости от того, что случится первым. Так вот, для 850 EVO 4 Тбайт этот ресурс установлен таким же, как и для версии объёмом 2 Тбайт, – всего 300 Тбайт.
| Ёмкость SSD | Заявленный ресурс | Число разрешённых перезаписей SSD в рамках ресурса |
| 120 Гбайт | 75 Тбайт | 625 |
| 250 Гбайт | 75 Тбайт | 300 |
| 500 Гбайт | 150 Тбайт | 300 |
| 1000 Гбайт | 150 Тбайт | 150 |
| 2000 Гбайт | 300 Тбайт | 150 |
| 4000 Гбайт | 300 Тбайт | 75 |
Таким образом, производитель даёт гарантию лишь на 75 полных перезаписей своего нового накопителя, и у многих пользователей этот момент вызывает не самые положительные эмоции, вплоть до активного негодования.
Всё это однозначно говорит о том, что невысокая заявленная для Samsung 850 EVO 4 Тбайт выносливость – это отнюдь не техническая характеристика, а лишь средство позиционирования. Производитель хочет склонить пользователей, сценарий работы которых с дисковой подсистемой предполагает постоянную перезапись больших объёмов данных, к приобретению более дорогих моделей. Samsung 850 EVO 4 Тбайт же – это обычный потребительский SSD, типичный сценарий эксплуатации которого – хранение пользовательских файлов, и потому ограничение в 165 Гбайт записи в день для него не выглядит чересчур строгим.
Ещё один любопытный момент – рекомендованная цена Samsung 850 EVO 4 Тбайт, которая составляет $1 499. Она оказалась более чем вдвое выше стоимости Samsung 850 EVO 2 Тбайт ($699), что делает новинку пусть и статусным, но не самым выгодным приобретением. Понятно, что производитель считает наценку за новизну и уникальность четырёхтерабайтника вполне справедливой. Однако, если учесть это, а также ситуацию с ресурсом, более рентабельным вариантом может оказаться покупка двух накопителей 850 EVO объёмом по 2 Тбайт и сборка из них массива RAID 0.
Героями нового обзора станут два твердотельных накопителя. Первый – малоизвестный, обладающий традиционным для Toshiba зубодробительным и трудновыговариваемым названием. Второй участник – тоже зубодробительный. Но не за счет названия, оно-то как раз простое (Samsung 850 EVO), а за счет уникальной для рынка аппаратной платформы, использующей флеш-память 3D TLC V-NAND.
реклама
Итак, благодаря нашему партнеру – компании Регард, перед вами обзор двух SSD объемом 240-256 Гбайт: Toshiba THNSNJ256GCSU и Samsung 850 EVO.
Участники тестирования
Представим наших новых участников:
- Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт . Примерная цена в московской рознице – около 9 100 рублей; . Примерная цена в московской рознице – около 9 500 рублей.
Цены указаны на момент написания данного материала.
Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт
MSI RTX 3070 сливают дешевле любой другой, это за копейки Дешевая 3070 Gigabyte Gaming - успей пока не началосьКомпания Toshiba является одним из ведущих производителей флеш-памяти на сегодняшний день – ее продукцию можно встретить под крышкой многих моделей твердотельных накопителей Corsair, Kingston, Seagate, Plextor, Phison и других. При этом у нее есть ассортимент собственных решений, которые ориентированы в основном на корпоративных заказчиков, занимающихся сборкой готовых ПК и промышленного оборудования.
Из чего проистекает совершенно дикая для рядового потребителя система маркировок моделей. К примеру, THNSNH256GBST и THNSNS256GBST: первый основан на контроллере Marvell, а второй – SandForce. Из почти полутора десятков букв в маркировке отличается только одна, а разрыв в реальных потребительских характеристиках очень значителен. А еще есть обозначения вида THNSNH***EZSWA, THNSNH***EZSTA и так далее.
И все это благополучно попадает на прилавки, хотя официально Toshiba поставляет в розницу только две модели – Q Series (старое название – HG5d) и Q Series Pro. И вариантов поставки только два, при этом оба коробочные: базовый, где накопитель упакован в пакет-«дутик», а к нему прилагается несколько буклетов и пластиковая утолщающая рамка, и расширенный PC Upgrade Kit, в который добавлен адаптер SATA-USB, установочный адаптер-переходник 2.5"-3.5", шлейф SATA и прочее.
Взятый на тест накопитель THNSNJ256GCSU является еще одним ОЕМ-продуктом Toshiba без общедоступной информации об использованной аппаратной платформе и характеристиках, но, тем не менее, продающимся в обычных магазинах. Именно такой и попал к нам в лабораторию. Разумеется, без какой-либо упаковки и комплектации.
реклама
Внешний вид устройства можно считать оригинальным фирменным дизайном компании: в розничной продаже больше нет ни одного SSD с аналогичным оформлением. Среди кучи безликих одинаковых корпусов здесь просто бальзам на душу для человека, который не первый год занимается компьютерами, ибо дизайн решений Toshiba напоминает уже давно вышедшие из массового обращения флоппи-приводы. Ностальгия.
На обратной стороне «твердотельника» наклеена этикетка, из которой можно почерпнуть информацию, например, о версии микропрограммы.
Но за этой оригинальностью скрывается не самая радостная картина: Toshiba, обладая мощной инженерной и производственными базами, на сегодняшний день является единственным производителем флеш-памяти, не располагающим собственным контроллером NAND-памяти. Злая ирония: когда-то руководство компании не оценило перспектив флеш-памяти, и Фудзио Масуоке, создавшему ее, пришлось искать спонсоров не в стенах родной лаборатории, а вне оных.
Точно в такой же ситуации Toshiba затем оказалась и с контроллерами. В итоге она и поныне вынуждена довольствоваться сторонними разработками, в роли которых выступают Marvell, JMicron и SandForce. Но подход компании не лишен оригинальности и здесь: лицензируются только документация и сопутствующие патенты. Затем инженеры Toshiba вносят свои доработки, снабжают собственными версиями микропрограмм и выпускают в готовом виде, но исключительно под свои нужды.
Таковым является и рассматриваемый THNSNJ256GCSU объемом 256 Гбайт:
Сопутствующий микросхемам флеш-памяти контроллер несет свою собственную маркировку и лишен внешней микросхемы буферной памяти DRAM. Тем не менее, перед нами контроллер Marvell.
Еще одной доработкой инженеров Toshiba стало то, что контроллер и память работают в двух режимах: быстром и медленном. Суть первого заключается в том, что данные на накопителе пишутся по одному биту в каждую ячейку (его иногда называют режимом «псевдо-SLC») с увеличенной скоростью до того момента, пока не будет исчерпана половина свободного места. После чего диск резко переключается в обычный режим, попутно начиная приводить в порядок те ячейки, куда была записана информация в «ускоренном» режиме.
Быстрый режим записи всегда лимитирован лишь объемом свободного пользовательского пространства. К примеру, если на накопителе свободно 30 Гбайт, то 15 будут записаны именно в первом режиме. Нужно понимать, что такой эффект проявляется только при непрерывной записи данных. Поэтому в обычном пользовательском режиме объем записываемых «одной большой порцией» данных редко превышает даже один гигабайт, переключение в медленный режим происходить попросту не будет, а саморасчистка будет выполняться в фоновом режиме, незаметно для пользователя.
В кои-то веки Toshiba, наконец, выпустила собственное программное обеспечение для обслуживания ее накопителей. Хотя функциональность этого программного пакета оставляет желать лучшего.
реклама
Интерфейс – только англоязычный, встроенная справка – в отдельном файле pdf, функция обновления микропрограммы контроллера отсутствует. Пользователь может выделить дополнительное место для повышения быстродействия (Overprovising), выполнить очистку накопителя (Secure Erase) и просмотреть SMART. Доступно создание загрузочного флеш-накопителя – также для выполнения Secure Erase.
Но при этом объем установочного файла данного программного пакета составляет аж 401 Мбайт (желающие могут убедиться лично).
реклама
Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250BW)
А вот Samsung отнеслась к разработкам продукции на основе флеш-памяти более серьезно и на данный момент является единственным производителем, который может изготовить твердотельный накопитель исключительно собственными силами, благо располагает собственным производством флеш-памяти, контроллеров, DRAM-памяти и всего остального.
Летом прошлого года компания замахнулась на звание безусловного технологического лидера в производстве твердотельных накопителей и представила линейку 850 Pro. А затем в декабре последовал выход 850 EVO.
Накопитель поставляется в относительно некрупной коробке белого цвета.
реклама
А вот взгляд на содержимое коробки заставит улыбнуться.
Если два буклета (на снимке в самом низу, под гарантийной карточкой) отпечатаны типографским способом, то все остальное – черно-белый лазерный принтер. Да еще и вырезано, судя по всему, ножницами. Привет 1990-м!
Помимо такого подхода, который, надеюсь, в дальнейшем все же сменится нормальной полиграфией, в комплекте прилагается компакт-диск с фирменным ПО Samsung Magician. Кстати, можно отметить исчезновение из комплекта наклеек с логотипом Samsung на системный блок.
Перед нами привычный металлический корпус с глянцевым покрытием под гласасфальт со скосами на гранях. Если 840 EVO был светлым, то здесь – темный, почти черный тон.
реклама
С обратной стороны наклеена информационная наклейка, из которой можно почерпнуть лишь общую информацию о модели, прочей полезной информации об устройстве нет. Даже версия микропрограммы, зашитой на заводе, здесь не указана (хотя на нерозничных моделях Samsung это делает).
Винты, скрепляющие дно и крышку, как это повелось еще в 840-м семействе, свободны лишь частично, а частично скрыты под этикеткой. Однако само число винтов сократилось до двух.
Под крышкой скрывается контроллер Samsung MGX и TLC 3D V-NAND, работающая в режиме Toggle Mode и выполненная с соблюдением норм 40 нм техпроцесса, сам контроллер сопровождается микросхемой буферной памяти LPDDR2-1066 объемом 512 Мбайт.
реклама
TLC – эта аббревиатура стала очередной страшилкой для пользователей, однако нужно учитывать, что в данном случае используется довольно «крупный» 40 нм техпроцесс, поэтому ресурс, по крайней мере, в теории должен быть выше, нежели у 840 EVO.
Никуда не делась и фирменная технология, получившая название TurboWrite – все тот же режим «псевдо-SLC», о котором говорилось выше. Но за исключением одной особенности: здесь объем данных, который может быть записан в таком режиме, четко фиксирован в зависимости от объема – равно как и у 840 EVO.
Мало того, здесь присутствует даже некоторое ухудшение: если у 840 EVO размер этого буфера составлял от 9 Гбайт у SSD объемом 120 и 250 Гбайт до 36 Гбайт у SSD объемом 1 Тбайт, то у 850 EVO всего лишь 3 (у моделей на 120 и 250 Гбайт), 6 (модель на 500 Гбайт) и 12 Гбайт (у терабайтной модели). Соответственно, лишь в пределах от 3 до 12 Гбайт запись данных будет происходить быстро. Затем скорость резко падает. Однако достаточно убрать нагрузку и дать накопителю «передышку» буквально на несколько секунд, как режим ускоренной записи снова включится.
Также сохранилась поддержка технологии кэширования Rapid Mode, когда данные сохраняются сначала в специальный буфер в оперативной памяти (помимо буфера в самом накопителе) и только затем уже передаются по интерфейсу SATA. Мы его уже как-то рассматривали, повторяться особо нет смысла, поскольку никаких принципиальных изменений здесь не произошло.
Samsung 850 EVO прекрасно работает с фирменным приложением Samsung Magician.
реклама
Пользователю доступен просмотр характеристик устройства (можно проверить оригинальность накопителя Samsung) и его состояния (износ и SMART).
Программа сопровождается встроенной справочной системой, переведенной на различные языки, в том числе и русский.
Синтетические тесты представляют собой экстремальные случаи. В повседневных условиях компьютер использует разные паттерны доступа, от небольших блоков данных до крупных последовательных передач. Мы симулировали подобную нагрузку с помощью записи паттерна во время использования системы. Мы записывали паттерн во время прогона тестового пакета PCMark 8, который включает в себя несколько приложений, каждое считывает и записывает определенное количество данных, как можно видеть по следующей таблице. Тестовые данные не являются сжимаемыми.
| Профиль приложения | Всего считано | Всего записано |
|---|---|---|
| Adobe Photoshop light | 313 MB | 2.336 MB |
| Adobe Photoshop heavy | 468 MB | 5.640 MB |
| Adobe Illustrator | 373 MB | 89 MB |
| Adobe InDesign | 401 MB | 624 MB |
| Adobe After Effects | 311 MB | 16 MB |
| Microsoft Word | 107 MB | 95 MB |
| Microsoft Excel | 73 MB | 15 MB |
| Microsoft PowerPoint | 83 MB | 21 MB |
| World of Warcraft | 390 MB | 5 MB |
| Battlefield 3 | 887 MB | 28 MB |
В отличие от предыдущего теста Futuremark PCMark 7 в новой версии было удалено сжатие во время бездействия (idle time compression), поэтому паттерн лучше соответствует реальным приложениям. Раньше мы публиковали результат PCMark в виде баллов, теперь мы перейдём к теоретической пропускной способности. Она рассчитывается путём деления объёма считанных и записанных данных (см. таблицу) на время обработки запросов. Более высокая пропускная способность означает, что время ожидания накопителя будет меньше, время отклика приложения тоже сокращается.
Читайте также: