Разгон памяти ddr4 nanya
Обновлено: 04.07.2024
Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти
Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.
Эффективная частота передачи данных
Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.
Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.
Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.
Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons
Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.
В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.
Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.
Тайминги
CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.
По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.
Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:
- Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
- RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
- RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
- DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.
Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.
Напряжение
В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются Intel® XMP‑Ready: Extreme Memory Profiles for Intel® Core™ Processors, DDR2 DIMM / SODIMM такие значения:
- DDR2 — 1,8 В;
- DDR3 — 1,5 В;
- DDR4 — 1,2 В.
Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:
- DDR2 — 2,3 В;
- DDR3 — 1,8 В;
- DDR4 — 1,5 В.
При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.
Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.
Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.
Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.
Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.
Любую ли оперативную память можно разогнать
Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.
Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.
Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.
Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.
Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.
Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.
Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.
Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.
Как подготовиться к разгону оперативной памяти
Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.
Почистите компьютер
Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.
Установите ПО
Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:
-
— пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год. — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом. — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии. — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel. — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память. — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.
Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы
Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.
Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.
Как разогнать оперативную память в BIOS
Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.
Определите характеристики оперативной памяти
В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.
Иши как можно меньшие тайминги на максимально возможной частоте
Ниже тайминги и выше частота найди золотую середину
да сбавь частоту на 3600 например и попробуй на 16-ых таймингах.
Кирилл, ну если в работе не мешает, то и забей ), видать плата или скорее всего память такая.
Кирилл, как так?? В характеристике материнская плата держит 3200 максимум, а у тебя 3600-3800 идёт разгон)
Кирилл, хах про чипы A-die искал информацию, попал сюда как-то.. у тебя на фото разгон оперативной памяти 3800 и 3600 частота на материнской плате, Asus prime b350 plus, а она по характеристикам держит максимально 3200 частоту. Я и спросил ты как переплюнул ограничитель:)
Антон, ну как бы мало что написано в характеристиках, кто их вообще смотрит?) У Z490 написано 2666 в связке с 10400ф, а по факту гонится до талого, все зависит от памяти
Кирилл, просто интересно стало, не первый раз такое вижу.
У меня b450m steel legend на 3733 или 3800 издаёт 4 коротких звука. Короче не запускает пк. Вот и решил спросить. У меня по характеристикам материнской платы держит 3533+ а сколько + хз. Вот 3600 да запустил
Антон, это все зависит от памяти а не от материнской платы, ну и от рук само собой. + Есть амд калькулятор под почти любые чипы памяти настройки есть гугли
Привет, GT! Все мы любим новое железо — приятно работать за быстрым компьютером, а не смотреть на всякие прогрессбары и прочие песочные часики. Если с процессорами и видеокартами всё более-менее понятно: вот новое поколение, получите ваши 10-20-30-50% производительности, то с оперативкой всё не так просто.
Где прогресс в модулях памяти, почему цена на гигабайт почти не падает и чем порадовать свой компьютер — в нашем железном ликбезе.
Стандарт памяти DDR4 имеет ряд преимуществ перед DDR3: большие максимальные частоты (то есть пропускная способность), меньшее напряжение (и тепловыделение), и, само собой, удвоенная ёмкость на один модуль.
Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (более известный как JEDEC) трудится над тем, чтобы ваша оперативная память Kingston подходила к материнской плате ASUS или Gigabyte, и по этим правилам играют все. По части электрики, физики и разъёмов всё жёстко (оно и понятно, нужно обеспечить физическую совместимость), а вот в отношении рабочих частот, объёмов модулей и задержек в работе правила допускают некоторую волатильность: хотите сделать лучше — делайте, главное, чтобы на стандартных настройках у пользователей не было проблем.
Именно так получились в своё время модули DDR3 с частотой выше, чем 1600 МГц, и DDR4 с частотами выше 3200 МГц: они превышают базовые спецификации, и могут работать как на «стандартных» параметрах, совместимых со всеми материнскими платами, так и с экстремальными профилями (X.M.P.), протестированными на заводе и зашитыми в BIOS памяти.
Прогресс
Основные улучшения в этой сфере ведутся сразу в нескольких направлениях. Во-первых, производители непосредственно микросхем памяти (Hynix, Samsung, Micron и Toshiba) постоянно улучшают внутреннюю архитектуру чипов в пределах одного техпроцесса. От ревизии к ревизии внутреннюю топологию доводят до совершенства, обеспечивая равномерность нагрева и надёжность работы.
Во-вторых, память потихоньку переходит на новый техпроцесс. К сожалению, здесь нельзя проводить улучшения также быстро, как делают (делали последние лет 10) производители видеокарт или центральных процессоров: грубое уменьшение размеров рабочих частей, то есть транзисторов, потребует соответствующего снижения рабочих напряжений, которые ограничены стандартом JEDEC и встроенными в CPU контроллерами памяти.
Поэтому единственное, что остаётся — не только «поджимать» производственные нормы, но ещё и параллельно увеличивать скорость работы каждой микросхемы, что потребует соответствующего повышения напряжения. В итоге и частоты растут, и объёмы одного модуля.
Примеров такого развития много. В 2009-2010 году нормальным был выбор между 2/4 гигабайтами DDR3 1066 МГц и DDR3 1333 МГц на один модуль (обе были выполнены по 90-нм техпроцессу). Сегодня же умирающий стандарт готов предложить вам 1600, 1866, 2000 и даже 2133 МГц рабочих частот на модулях в 4, 8 и 16 ГБ, правда внутри уже 32, 30 и даже 28 нм.
К сожалению, подобный апгрейд стоит немалых денег (в первую очередь на исследования, закупку оборудования и отладку производственного процесса), так что ждать радикального уменьшения цены 1 ГБ оперативки до выхода DDR5 не придётся: ну а там нас ждёт очередное удвоение полезных характеристик при той же цене производства.
Цена улучшений, разгон и поиски баланса
Растущий объём и скорость работы напрямую влияет на ещё один параметр оперативной памяти — задержки (они же тайминги). Работа микросхем на высоких частотах до сих пор не желает нарушать законы физики, и на различные операции (поиск информации на микросхеме, чтение, запись, обновление ячейки) требуются определённые временные интервалы. Уменьшение техпроцесса даёт свои плоды, и тайминги растут медленнее, чем рабочие частоты, но здесь необходимо соблюдать баланс между скоростью линейного чтения и скоростью отклика.
Например, память может работать на профилях 2133 МГц и 2400 МГц с одинаковым набором таймингов (15-15-15-29) — в таком случае разгон оправдан: при большей частоте задержки в несколько тактов только уменьшатся, и вы получите не только увеличение линейной скорости чтения, но и скорости отклика. А вот если следующий порог (2666 МГц) требует увеличения задержек на 1-2, а то и 3 единицы, стоит задуматься. Проведём простые вычисления.
Делим рабочую частоту на первый тайминг (CAS). Чем выше соотношение — тем лучше:
2133 / 15 = 142,2
2400 / 15 = 160
2666 / 16 = 166,625
2666 / 17 = 156,823
Полученное значение — знаменатель в дроби 1 секунда / Х * 1 000 000. То есть чем выше число, тем ниже будет задержка между получением информации от контроллера памяти и отправкой данных назад.
Как видно из расчётов, наибольший прирост — апгрейд с 2133 до 2400 МГц при тех же таймингах. Увеличение задержки на 1 такт, необходимое для стабильной работы на частоте 2666 МГц всё ещё даёт преимущества (но уже не такие серьёзные), а если ваша память работает на повышенной частоте только с увеличением тайминга на 2 единицы — производительность даже немного снизится относительно 2400 МГц.
Верно и обратное: если модули совершенно не хотят увеличивать частоты (то есть вы нащупали предел для конкретно вашего комплекта памяти) — можно попытаться отыграть немного «бесплатной» производительности, снизив задержки.
На самом деле факторов несколько больше, но даже эти простые расчёты помогу не напортачить с разгоном памяти: нет смысла выжимать максимальную скорость из модулей, если результаты станут хуже, чем на средних показателях.
Практическое применение разгона памяти
В плане софта от подобных манипуляций в первую очередь выигрывают задачи, постоянно эксплуатирующие память не в режиме потокового чтения, а дёргающие случайные данные. То есть игры, фотошоп и всякие программистские задачи.
Аппаратно же системы со встроенной в процессор графикой (и лишённые собственной видеопамяти) получают значительный прирост производительности как при снижении задержек, так и при увеличении рабочих частот: простенький контроллер и невысокая пропускная способность очень часто становится бутылочным горлышком интегрированных GPU. Так что если ваши любимые «Цистерны» еле-еле ползают на встроенной графике старенького компа — вы знаете, что можно попробовать предпринять для улучшения ситуации.
Мэйнстрим
Как не странно, больше всего от подобных улучшений выигрывают среднестатистические пользователи. Нет, безусловно, оверклокеры, профессионалы и игроки с полным кошельком получают свои 0.5% производительности, применяя экстремальные модули с запредельными частотами, но их доля на рынке мала.
Что под капотом?
Белые алюминиевые радиаторы снять достаточно просто. Шаг нулевой: заземляемся об батарею или ещё какой металлический контакт с землёй и даём стечь статике — мы же не хотим дать нелепой случайности убить модуль памяти?
Шаг первый: прогреваем модуль памяти феном или активными нагрузками на чтение-запись (во втором случае вам надо быстренько выключить ПК, обесточить его и снять оперативку, пока она ещё горячая).
Шаг второй: находим сторону без наклейки и аккуратно подцепляем радиатор чем-нибудь в центре и по краям. Использовать печатную плату как основание для рычага можно, но с осторожностью. Внимательно выбираем точку опоры, стараемся избегать давления на на хрупкие элементы. Действовать лучше по принципу «медленно, но верно».
Шаг третий: открываем радиатор и разъединяем замки. Вот они, драгоценные чипы. Распаяны с одной стороны. Производитель — Micron, модель чипов 6XA77 D9SRJ.
8 штук по 1 Гб каждый, заводской профиль — 2400 МГц @ CL16.
Правда, дома снимать теплораспределители не стоит — сорвёте пломбу и плакала ваша пожизненная 1 гарантия. Да и родные радиаторы отлично справляются с возложенными на них функциями.
Попробуем измерить эффект от разгона оперативки на примере комплекта HyperX Fury HX426C16FW2K4/32. Расшифровка названия даёт нам следующую информацию: HX4 — DDR4, 26 — заводская частота 2666 МГц, C16 — задержки CL16. Далее идёт код цвета радиаторов (в нашем случае — белый), и описание комплекта K4/32 — набор из 4 модулей суммарным объёмом 32 ГБ. То есть уже сейчас видно, что оперативка незначительно разогнана ещё при производстве: вместо штатных 2400 прошит профиль 2666 МГц с теми же таймингами.
Помимо эстетического удовольствия от созерцания четырёх «Белоснежек» в корпусе вашего ПК этот набор готов предложить весомых 32 гига памяти и нацелен на пользователей обычных процессоров, не особо балующихся разгоном CPU. Современные Intel’ы без буквы K на конце окончательно лишились всех возможных способов получения бесплатной производительности, и практически не получают никаких бонусов от памяти с частотой выше 2400 МГц.
В качестве тестовых стендов мы взяли два компьютера. Один на базе Intel Core i7-6800K и материнской плате ASUS X99 (он представляет платформу для энтузиастов с четырёхканальным контроллером памяти), второй с Core i5-7600 внутри (этот будет отдуваться за мэйнстримовое железо со встроенной графикой и отсутствующим разгоном). На первом проверим разгонный потенциал памяти, а на втором будем измерять реальную производительность в играх и рабочем софте.
Разгонный потенциал
Со стандартными профилями JEDEC и заводским X.M.P. память имеет следующие режимы работы:
DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V
Легко заметить, что настройки таймингов под 2400 МГц делают память не такой отзывчивой, как профили 2133 и 2666 МГц.
Лучший результат, который удалось достичь с тестовым комплектом из 4 модулей — 2666 МГц при таймингах CL13-14-13. Это существенно увеличит скорость доступа к случайным данным (2666 / 13 = 205.07) и должно показать неплохое улучшение результатов в игровом бенчмарке. В двухканальном режиме память разгоняется лучше: специалисты из oclab ухитрились довести комплект из двух 16 Гб модулей до частоты 3000 МГц @ CL14-15-15-28 с подъёмом напряжения до 1.4 Вольта — отличный результат.
Натурные испытания
Для нашего i5 со встроенной графикой в качестве бенчмарка мы выбрали GTA V. Игра не молодая, использует API DirectX 11, который давно известен и отлично вылизан в драйверах Intel, любит потреблять оперативную память и нагружает систему сразу по всем фронтам: GPU, CPU, Ram, чтение с диска. Классика. Вместе с этим GTA V использует т.н. «отложенный рендеринг», благодаря которому время расчёта кадра меньше зависит от сложности сцены, то есть методика испытания будет чище, а результаты — нагляднее.
За средний FPS возьмём значения, укладывающиеся в нормальное течение игры: пролёт самолёта, езда в городе, уничтожение супостатов имеют равномерный профиль нагрузки. По таким сценам (отбросив 1% лучших и худших результатов из массива данных) и получим средне-игровой FPS.
Просадки определим по сценам со взрывами и сложными эффектами (водопад под мостом, закатные пейзажи) аналогичным образом.
Подлагивания и неприятные фризы при резкой смене окружения (переключение от одного тестируемого случая к другому) случаются даже на монструозной GTX 1080Ti, постараемся их отметить, но в результаты не возьмём: в игре оно не встречается, и это, скорее, косяк самого бенчмарка.
Конфигурация демо-стенда
CPU: Intel Core i5-7500 (4c4t @ 3.8 ГГц)
GPU: Intel HD530
RAM: 32 GB HyperX Fury White (2133 МГц CL12, 2666 МГц CL15 и 2666 МГц CL13)
MB: ASUS B250M
SSD: Kingston A400 240 GB
Для начала выставим стандартные частоты X.M.P.-профиля: 2666 МГц с таймингами 15-17-17. Встроенный бенчмарк GTA V выдаёт идентичный FPS и одинаковые просадки на минимальных и средних настройках в разрешении 720p: в большинстве сцен счётчик колеблется в районе 30–32, а в тяжёлых сценах и при смене одной локации на другую FPS проседает.
Причина очевидна — мощностей GPU достаточно, а вот блоки растеризации просто не успевают собрать и отрисовать большее число кадров в секунду. На «высоких» настройках графики результаты стремительно ухудшаются: игра начинает упираться непосредственно в скромные вычислительные возможности интегрированной графики.
2133 МГц CL12
Собственной памяти у GPU нет, и он вынужден постоянно дёргать системную. Пропускная способность DDR4 в двухканальном режиме на частоте 2133 МГц составит 64 бит (8 байт) × 2 133 000 000 МГц × 2 канала — порядка 34 Гб/с, с небольшими (до 10%) накладными потерями.
Для сравнения, пропускная способность подсистемы памяти у самой скромной дискретной карточки NVIDIA GTX 1030 — 48 Гб/с, а GTX 1050 Ti (которая легко выдаёт в GTA V 60 FPS на максимальных настройках в FullHD) — уже 112 Гб/с.
На заднем плане виден тот самый водопад под мостом, просаживающий FPS во внутриигровом бенчмарке.
Результаты бенчмарка просели до 28 FPS в среднем, а лаги при смене локаций и взрывах их ненапряжных просадок превратились в неприятные микрофризы.
2666 МГц CL13
Снижение таймингов значительно сократило время ожидания ответа от памяти, а стандартные результаты с данной частотой у нас уже есть: можно будет сравнить три бенчмарка и получить наглядную картину. Пропускная способность для 2666 МГц уже 21.3 Гб/с ×2 канала
40 Гб/с, сравнимо с младшей NVIDIA.
Максимальный FPS практически не вырос (0.1 не показатель и находится на грани погрешности измерений) — здесь мы всё ещё упираемся в скромные возможности ROP’ов, а вот все просадки стали менее заметны. В сценах с водопадом из-за высокой вычислительной нагрузки результат не изменился, во всех остальных — то есть на прогрузках, взрывах и прочих радостях, замедлявших работу видеоядра вырос в среднем на 10-15%. Вместо 25–27 кадров в нагруженных событиями эпизодах — уверенные 28–29. В целом игра стала ощущаться значительно комфортнее.
TL;DR и результаты
Нельзя оценивать скорость работы оперативной памяти по одной только частоте. У DDR4 достаточно большие тактовые задержки, и при прочих равных стоит выбирать память не только удовлетворяющую потребности вашего железа по рабочей частоте и объёму, но и уделять внимание этому параметру.
Проведённые тесты показали, что компьютеры на базе Intel Core i-серии со встроенной графикой получают заметный прирост производительности при использовании высокоскоростной памяти с низкими задержками. Видеоядро не имеет собственных ресурсов для хранения и обработки данных и пользуется системными отлично отвечает (до определённого предела) на рост частоты и снижение таймингов, так как от скорости доступа к памяти напрямую зависит время отрисовки кадра со множеством объектов.
Самое важное! Линейка Fury выпускается в нескольких цветах: белом, красном и чёрном — можно подобрать не только быструю память, но и подходящую по стилю к остальным комплектующим, как делают специалисты из HyperPC.
Закон Кирхгоффа и немного магии школьного образования позволяют утверждать, что память с чёрными радиаторами несколько будет холоднее в работе, чем другие варианты. Ну а для неверующих в свяфтую Физику есть замечательный пруф на образовательном канале МИФИ.
Если с мэйнстримовыми решениями всё понятно, то в топовом сегменте, где каждый системник — маленькое произведение искусства применение памяти и накопителей HyperX из обычных продуктовых линеек — как знак качества. При создании каждого кастомного проекта приходится учитывать множество факторов: тепловые нагрузки, пожелания капризного клиента, распределение воздушных потоков, акустические вопросы (мощный компьютер и тихий мощный компьютер — задачи, отличающиеся по сложности на порядок). HyperPC постоянно совершенствуют свои технологические процессы и остаются верны надёжным комплектующим — отсюда и превосходные результаты в их уникальных сборках. Но если вы предпочитаете готовым компьютерам — самобсор, то подобный комплект или одиночные модули HyperX Fury DDR4 можно приобрести в сети Юлмарт.
На этом всё, но мы не прощаемся. Прохладному лету — горячие темы, подписывайтесь на наш блог и все интересности не пройдут мимо.
1 — Из-за особенностей российского законодательства «пожизненная» гарантия будет действовать всего 10 лет со дня приобретения. Впрочем, в масштабах компьютерного железа с текущими темпами развития технологий и 10 лет срок не малый, а там и законодательство может измениться.
Система:
Asus Prime B450M-A
Ryzen 5 2600 (Boost to 3.85x)
Crucial CT8G4DFS8266 (2666, 20-19-19-43) Micron D-Die.
Суть проблемы - память вообще не гонится. Обновил биос, выставлял тайминги по калькулятору Ryzen DRAM с тайфуном, поднимал вольтаж до 1.350, частоты от 2933 до 3200 - бестолку.
Понял, что я криворукий и не могу в разгон. Испугался вечного ребута и отсутствия пост-сигнала после попыток разгона.
Помогите пожалуйста взять частоту 3200 с нормальными таймингами.
Зачем тебе 3200 с такими задержками?
Тайминги какие-то бешеные. Скорее всего 2666 это уже разогнанная на максимум.Из-за этого такие тайминги. Небось базовая частота 2133. ред.
делаешь сброс биоса,
поднимаешь частоту на один пункт - прогоняешь тесты, если тесты проходят повышай частоту дальше, если не проходит поднимай вольтаж, тайминги можешь не трогать
п.с. такие же планки но на 2400 изи взяли 1.35v и частоту 3200
п.с.с. т.к. эти планки дешевые, они могут 3200 не взять на любом вольтаже ред.
Попытка с 1.35 взять 2933 без таймингов не увенчалась успехом, снова вечный ребут
надо дальше пробовать вольтаж поднимать до 1.45 c шагом 0.05, если все равно не возьмет 3200, тогда забей, заебешься тайминги искать
Микроны д-дай достаточно дубовая память, могут и не погнаться. Но вообще тут только повышать напряжение и пытаться словить стабильность на нужной частоте при повышенных таймингах, а потом потихонечку их снижать и ловить минимально возможные. ред.
Лучше скачай оперативки.
Комментарий удален по просьбе пользователя
Поднимай еще вольтаж, до 1.45 можешь смело.
без радиаторов то? плохой план имхо
Радиаторы так то для красоты .Оперативка сама по себе не очень греется .Так что смело можно поднимать
греется и очень. для красоты проще текстолит красить имхо в радугу и дешевле
Где ты этот бред вычитал бидоны гонят зелёные плашки и норм.А радиаторы маркетинг и красота . Или ты пересмотрел разгон от хайперов где они ставят заоблачный вольтаж который в жизни не кто не будет ставить ?
я писал имхо и это сугубо моё личное мнение составленое исходя из собственного опыта. вы наверное ещё и из адептов без радиаторного М2 и нам не надо охлаждать ССД?) а насчёт "заоблачный вольтаж" на оперативу вроде есть радиаторы с активным охлаждением разве нет?
Ты может и адепт чего то но про горячую оперативу бред.А про ссд все зависит от модели и да желательно радиатор чем массивней тем лучше главное что бы влезал
радиаторы нужны только для m2 nvme накопителей, для sata не обязательно, они еле греются
у sata весь корпус один большой радиатор лол)
чел, я про m2 sata
не согласен. при постоянной нагрузке нужен если конечно не хотите тротлинга
На сата м2 тротлинг не грозит можешь глянуть куча тестов в Макс нагрузке там нет тех температур и близко как допустим на м2 нвме что на 970 ево
Ну так там вроде и контроллеры стоят другого уровня. С другой стороны мне например не сложно поставить радиатор на sata m2 хоть я и не вижу смысла в sata m2 в целом если есть nvme. С другой стороны я допускаю адекватный температурный диапазон.
Ну купи на алике "радиаторы")
нет ничего тупее, нежели разгонять ОЗУ
сорян, ради 1-3 фпс-а стоит повозиться с разгоном
На Рязани 1 и 2 поколения очень сильно сказывается на 1% и 0.1%. Можно даже сказать, что разгон для них обязателен в случае игрового компа.
Посмотрел видео. Завелась на 2800 со сток таймингами и 1.35. Больше не хочет ни в какую сторону, 1.500v так же не поднимает выше 2800mhz даже на cl23. Поменяю эти говноплашки наверное, но не шарю на какие.
Ну 2800 это уже что-то. У меня были на руках плашки, которые отказывались подыматься даже с 2400 до 2666. Конечно, у тебя не лучшие плашки для твоего процессора, но фактически, с ними можно жить.
Хреново значит знаешь
В связке с интелом он может и нормально погнаться, но микрон д-дай в связке с райзеном? Не лучший выбор для райзена. Там и латентность высокая и гнать неприятно.
Ну так ты уточняй а то говоришь микроны микроны есть и e-die которые хорошо гонятся что на райзенах что на интелах
Тут вроде обсуждение про оперативку что человек скинул, я её и имел ввиду.
Ты просто сказал в вообще микроны .И не где не чего не уточнил
А эти настройки с райзен драв устанавливал в биосе?
К стати да и где скрин Zen timings что бы знать что у тебя там вообще стоит
Не смотрел, что за память у тебя, но тайминги у нее большие, мне кажется бесполезное занятие. В свое время пытался корсаров гнать cl 16 xmp 2933, максимум смог стабильные 3200 выжать, без повышения таймингов. 3400 запускалась, но игры вылетали и система переодически падала. Мне кажется у тебя 3 варианта: 1 сменить память, плашки на 16 Гб 3200 довольно дешёвые; 2 попробовать понизить тайминги при стоковой частоте; 3 пробовать менять параметры работы памяти - CR2 поставить, gear down mode включить и тд, может повысить стабильность работы и позволит запустить в разгоне. Я так себе эксперт, но могу сказать, что разгон памяти это конкретный дрочь, не на один день. Удачи
купить норм 3200 память и выставить хмр. тут конские тайминги. у меня на частоте 3600 столько не было
Ммм, планки наверное goodram или kingston? Nanya и есть nanya, сама по себе, "дубовые" и не популярные в разгоне чипы которые гонятся не очень хорошо. В лучшем случае для них потолок 3333-3400, и то если очень повезёт. Подозреваю что ты уже выжал из них если не максимум, то явно около того.
Можно попробовать взять в известном калькуляторе пресеты от hynix afr/mfr, если повезёт, от micron d-die
Планки Corsair. Ну как максимум, я просто поменял частоту. В разгоне я не шарю, поэтому тайминги оставил. Работает и работает.
пиздишь, я 3533 на них взял, выше не пробовал
диваный экспект. я даже вторички не крутил. просто воткнул 3533 16 19 19 18, 1.39в и все остальное на авто
Вообще, имею такие же плашки (чипы также микрон D-die), и они спокойно гонятся до 3200 CL16 CR1 1,35 v. Видимо, вам просто не повезло с партией и придется менять на другие плашки, желательно, сразу с зашитым XMP. ред.
Zen+ ещё и D-die, даже не стоит пробовать
Вроде об этом никто не написал, так что напишу я. Оперативка то хоть в нужных слотах стоит? Нужно ставить в A2 B2.
"Нужно ставить в A2 B2"
Какой-то странный косяк у меня - только сегодня обнаружился - память в слотах A2 и B2 работает до 4000мгц, а в слотах A1 и B1 - только до 3333мгц. Перепробовал все возможные комбинации расположения плашек, откатывался на старый биос - результат тот же. Может, кто сталкивался - куда копать?
МП -Gigabyte Aorus Ultra x570
ЦП - Ryzen 3900x
Память-G.Skill Sniper X F4-3600C19D-32GSXWB - 2 x 16 GB, чипы Hynix CJR, 2 ranks, 16banks
Три дня попыток разгона этого треша в двухранге, причём мой запас лексики был исчерпан уже на первый.
В итоге получается, что модули страдают обратной зависимостью от напряжения. Причём - какой-то особенной её формой, поскольку стабильно гоняются только (. ) на штатных 1,2 вольта. Ставишь 1,21 - получаешь кучу ошибок в TestMem в случайное время. Ставишь 1,24 и выше - получаешь BSOD, причём абсолютно без разницы на частоту и тайминги. На 1,35 и т.д. система просто не грузится, в принципе.
С частотой тоже ничего интересного. Запустить ОС можно и на 3600, и на 3533, и на 3466 МГц. Но вот пройти тесты без ошибок и прочего - только на 3400, не выше. Что уже делает этот результат самым плохим среди модулей, которые я гонял на нынешней платформе.
Но не частотой единой. Тайминги-то требуют наоборот, более серьёзных напряжений. То есть, если выставить 1,21 вольта - можно запуститься на CL 18 и RP 18, но - смотри выше про ошибки в тестах. А вот на стабильных 1,2 ниже вот этого ничего не получится:
При выборе Оперативная память Воспоминания, большинство пользователей всегда обращают внимание на скорость в МП / с и основные тайминги. Но если вы хотите вывести оперативную память на новый уровень с помощью разгона, нам нужна более точная информация, такая как ее микросхемы, ее версия и, конечно же, ее способность разгоняться при определенной температуре. Поэтому мы попытаемся пролить немного больше света на эту проблему, используя лучшие чипы DDR4 для разгона.
Как отличить фишки? Как узнать, как далеко они могут зайти? Что ж, это сложная задача, которая потребовала сотен часов и изучения сообществом и производителями.
Мы должны сказать, что не существует безошибочного практического руководства, а если оно и есть, то уж точно нет. И этого не может быть, потому что в дополнение к тому, что мы увидим сейчас, оказывается, что есть производители, которые разделяют один и тот же чип и версию на две категории, в зависимости от обнаруженных неисправностей.
Что это значит? Что ж, мы можем найти высококлассные чипы, такие как Samsung B-Die в дешевых модулях памяти, которые после нажав и читая их с Горелка Thaiphoon (руководство здесь) мы можем думать, что мы выиграли в лотерею, но это не так.
Если производитель очень требователен, как это бывает в Intel и AMD, это сделает сборщик чипов и некоторые останутся в более быстрых модулях, а другие в более медленных модулях. Дело в том, что они покупают тысячи микросхем по более низкой цене, а затем классифицируют, теоретически создавая диапазоны с одними и теми же чипами того же диапазона, но это не будет достигать одинаковых скоростей, поскольку некоторые из них будут давать ошибки раньше других.
Поняв это, мы узнаем, по мнению сообщества, лучшие чипы DDR4 для разгона.
Лучшие чипы DDR4 для разгона, как оказалась ваша оперативная память?
Samsung
В мире разгона вскоре после запроса будет открыто имя B-Die, и эти чипы в настоящее время являются лучшими для достижения высоких скоростей оперативной памяти или для сокращения таймингов.
Но это далеко не все, что есть у Samsung. На самом деле у компании довольно широкий ассортимент микросхем, которые отсортированы по разгонным возможностям следующим образом: B-Die -> E-Die -> D-Die -> S-Die.
Поскольку они используются чаще всего, они также являются наиболее универсальными, поэтому даже если у вас есть B-Die, возможно, они второсортные. На данный момент скорости являются лучшими в мире, можно найти объединенные чипы, которые достигают 5 ГГц с помощью XMP с действительно низким напряжением.
Hynix
Возможно, речь идет о втором наиболее успешном производителе в области разгона оперативной памяти DDR4. Как и Samsung, в настоящее время он имеет два типа микросхем DDR4: AFR и MFR.
Отчасти это ложь, и мы объясняемся, поскольку существует третий тип микросхем, который крайне сложно найти в настоящий момент: CFR. В порядке возможного разгона диапазоны будут такими: CFR -> AFR -> MFR.
Чего нам ожидать от каждого из них? От скорости 3200 МГц до 3400 МГц, следующий скачок примерно до 3600 МГц и 3800 МГц и, наконец, некоторые микросхемы CFR, которые достигают 4000 МГц или более. Это скорости в соответствии с BMI для обычного или умеренно осведомленного пользователя о серьезных проблемах с разгоном, проблема в том, что напряжения, используемые этими чипами, очень высоки: от 1.45 В как минимум до 1.7 В как максимум.
Микрон
Они наименее репрезентативны, и многие с трудом могут подняться. Мы просто назвали их, потому что у многих из вас будет память низкого уровня с этими чипами. К сожалению, по BMI или Runmemtest Pro недостаточно обзоров и данных, чтобы подтвердить потенциальный диапазон роста.
В каком порядке следуют лучшие чипы DDR4?
Это отличный вопрос, поскольку, как мы видим, Samsung доминирует на рынке просто по количеству моделей. Если принять во внимание среднее качество вашей NAND Flash и возможности разгона, список будет очень похож на этот: B-Die -> CFR -> E-Die -> AFR -> MFR -> D-Die -> S-Die -> Micron
Это ни в коем случае не безошибочное руководство, существует множество вариаций, которые влияют на материнская плата и его контактные линии и напряжение, к количеству слоев печатной платы, линий электропередач или рассеиваемой мощности модулей.
Следовательно, каждый комплект - это мир, и чтобы иметь гораздо более приблизительное представление о возможном разгонном потенциале, мы должны искать информацию на специализированных форумах, где сообщество публикует конкретные данные и, таким образом, может определить, с охлаждением и вентиляции, используемой пользователями, мы сможем достичь этих уровней, или мы просто будем спокойны.
Не забывайте, что независимо от того, насколько быстро достигает RAM, насколько есть лучшие чипы DDR4, тот, который идет впереди, - это BMI , поскольку он будет отвечать за установку текущего лимита.
Читайте также: