Vlp память что это

Обновлено: 07.07.2024

На момент написания обзора купить DDR5 память в России практически невозможно - полки магазинов абсолютно пусты. Мне повезло - российское представительство Kingston поделилось комплектом модулей оперативной памяти Kingston FURY Beast с эффективной частотой 4800 МТ/с. Обзор на оперативку можно прочитать тут, а в этом материале я расскажу, как разогнать оперативную память DDR5 с чипами Micron.

Первое, что нужно знать - какая у вас оперативная память. Практически все экземпляры оперативки с частотами XMP 4800, 5200 и 5400 построены на базе Micron Rev A, но некоторые модули прячут под радиаторами чипы производства SK Hynix. Точно определить, кто является производителем чипов на вашей оперативке поможет гугл, QVL-листы производителей материнских плат и таблица XMP 3.0 сертификации Intel. Разгон модулей оперативной памяти различается в зависимости от производителя IC, а так как я успел разогнать и протестировать только оперативку от Micron - сегодня мы сконцентрируемся на ней.

Разные производители материнских плат по-разному обзывают напряжения и тайминги, прячут их в разные подменю. В этом гайде разгонять будем на примере материнской платы ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO, обзор которой лежит тут. Вдаваться в подробности о том, как найти тот или иной пункт или перевести тот или иной тайминг на вашей материнской плате я не буду.

Конфигурация системы:

Процессор: Intel Core i9-12900K
Оперативная память: 32Gb Kingston Fury @ 4800 MT/s CL38
Материнская плата: ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO
Системный SSD: TeamGroup MP33 1TB
SSD с играми: Kingston KC2500 1TB
Охлаждение CPU DDR5: Arctic Liquid Freezer II-420
Блок питания: Seasonic FOCUS PX-750 Platinum
Корпус: Phanteks Eclipse P500A
Операционная система: Windows 11 Pro, 21H2
Видеокарта: ASUS ROG Strix LC RX 6800 XT OC/UV

Для тестирования стабильности будем использовать программу Testmem5. Нам будут интересны два конфига - usmus v3 для легкого тестирования, которое длится

35 минут, и тяжелый absolut для финальной верификации. За температурными показателями будем следить при помощи актуальной версии HwInfo64.

Алгоритм разгона оперативной памяти безумно прост: находим рабочую частоту и выставляем напряжение с запасом, меняем один тайминг, проверяем стабильность легким тестом, меняем второй, проверяем стабильность, стабилизировали группу таймингов, чтобы они выживали легкий тест - проверяем тяжелым тестом на несколько часов.

Фиксируем результат, сохраняем профиль разгона, переходим к следующей группе таймингов. По окончании начинаем понижать напряжения, пока не найдем нестабильность, повышаем его с запасом 10-15 милливольт. Разгон оперативки занимает много времени ввиду необходимости постоянно тестировать стабильность выставленных таймингов, отчего предупреждаю сразу - за день не управитесь.

Переходим к разгону

Во-первых, нам интересны 5 пунктов напряжения:

VDD на Микронах плохо скалируется выше 1.25v, VDDQ на микронах должен быть выше примерно на 0.05v. Стабильность напряжения ищем в первую очередь при помощи VDDQ. IMC напряжение для Микронов нужно высокое - выставляем 1.34v и забываем о нем, IVR просто копируем с VDDQ - думать не нужно. SA можно повышать до 1.35v безопасно, но Микроны столько не требуют - повышение напряжения VCCSA нужно только для разгона Hynix и Samsung.

Модули оперативной памяти DDR5 ОЧЕНЬ ГОРЯЧИЕ! Переезд PMIC на сами планки создает серьезный нагрев модуля, посему перед разгоном позаботьтесь о достаточном обдуве в регионе оперативной памяти внутри корпуса - подвиньте вентиляторы, чтобы они хорошо обдували память. Микроны теряют стабильность на температурах выше 61-63 °C по информации с внутренних датчиков, рекомендую держать температуры ниже 59 градусов.

Это правило важно соблюдать изначально, чтобы быть уверенным, что ошибки в тесте = результат настройки таймингов, а не перегрева планок!

На текущий момент не совсем понятно в чем различие между PMIC разных производителей - возможно они влияют на характеристики памяти и ее потенциал разгона, возможно не влияют. Так или иначе Микронов в природе существует два типа - фиговые и очень фиговые. Фиговые разгонять просто, очень фиговые доставляют много боли. Мне повезло с очень фиговыми модулями Микрон.

Очень фиговые модули Микрон разгоняются до 5400 МТ/с
Просто фиговые модули Микрон разгоняются до 5600 МТ/с
Разница между модулями

Пункт 1 - выставляем напряжения.

На этом этапе мы просто загружаем XMP профиль оперативки и переходим регулировать напряжения, выставляем рекомендуемые значения и начинаем короткий тест при помощи testmem5, фиксируем температуры памяти. Держится ниже 60 - хорошо, повышается - придумываем более прохладные условия работы, устанавливаем доп вентиляторы, открываем форточку и т.д. Убедившись, что память не перегревается и не создает проблем, переходим к следующему пункту.

Пункт 2 - определяем тип памяти.

На этом этапе мы выясняем, насколько нам не повезло, но для начала выставим пару необходимых настроек в подменю настройки памяти. Во-первых - MRC Fast Boot = Disabled, это заставит материнскую плату тренировать тайминги лучше и повысит шанс стабилизировать настройки. Во-вторых - во вкладке Training находим пункт RTL Training или Round Trip Latency Training = Enabled.

Стабилизировав частоту на 5600 МГц переходим к третьему пункту.

Если вам не повезло - XMP профиль на 5400 МГц просто не запустится. Поздравляю, вы - неудачник, переходим к 6 пункту.

Пункт 3 - первичные тайминги

Тестируем коротким тестом каждый тайминг, после этого все вместе тяжелым тестом. Стабильно - идем дальше.

Пункт 4 - вторичные тайминги

tRRD_sg = 4 или 6 или 8
tRRD_dg = 4, в редком случае 8

Выставляем пару, тестируем стабильность

tREFI = 65535 безопасно, выше микрон нестабилен в простое
TWR = варьируется сильно, от 12 до 22 с шагом в 1
tRTP = 8 или 10
tFAW = 16 или 32

Вместе с tWR, tFAW один из самых важных таймингов для повышения производительности

tCKE = 4, 8, если нестабильно, можно поднять до 14 или оставить в авто

tCKE мало влияет на производительность, но помогает стабилизировать некоторые другие тайминги

Следующие тайминги на материнских платах ASUS не трогаем - они выставляются через другие тайминги, на всех остальных материнках выставляем значения обоих таймингов сразу

Пункт 5 - третичные тайминги

Третичные тайминги мало влияют на производительность микронов, большинство можно не трогать, но есть некоторые особенности

tRDRD_SG = 12 или 14
tRDRD_sg = 8
tRDWR_sg = 18 или 20
tRDWR_dg = 18 или 20
tWRWR_sg = 28
tWRWR_dg = 8
tWRRD_sg = от 52 до 62 с шагом 2
tWRRD_dg = от 46 до 52 с шагом 2
tRDWR_dr = 15
tRDWR_dd = 15

DR и DD тайминги можно не трогать, или уменьшить чуть-чуть - в районе 11-15. На Z690 независимо от типа памяти - DDR4 или DDR5 DR=DD! Нельзя делать DR=7 и DD=1 - система будет нестабильна или вообще не запустится!

Проверяя стабильность DR и DD таймингов не забываем проверять скорость чтения через аиду - если неправильно выставили зависимость DD от DR - пропускная способность упадет на 20-40%!

Все остальное можно не трогать, выжать из микрона больше вряд ли получится.

Хорошенько проверяем большим тестом на несколько часов и переходим к 9 пункту.

Пункт 6 - я неудачник

Поздравляю, у вас абсолютно сумасшедший кит памяти, работа которого не поддается никакой логике.

Начнем с того, что сначала нужно запуститься на первичных таймингах, что сделать будет непросто.

tCL = 36 или 38. Нечетные тайминги пока не работают на Intel.
tRCD = 39 или 40.
tRP = 35 или 36
tRAS = 52 или 54

Выставляем все 4 тайминга сразу и молимся, что система запустится и ошибок в тесте не будет. Сразу проверяем тяжелым тестом и молимся, что все будет хорошо.

Если все плохо - двигаем тайминги на +1 или +2 вниз-вверх, стараясь найти стабильность. Логики в этом нет никакой, проблема сохраняется на разных материнских платах от разных производителей.

Не получается - выставляем все тайминги, которые видите в биосе как на этих скриншотах - это XMP 5400.

Попали в BIOS - отлично, после этого сбрасываем все, что заполнили и возвращаемся к началу этого пункта - выставляем тайминги заново, тестируем.

Нашли стабильность - идем дальше, не получилось? Продайте память на Авито дороже, чем купили.

Пункт 7 - вторичные тайминги

Здесь все еще хаотичные. Авто тайминг на 20 может работать, а как только ставишь его ручками - лови нестабильность. Как оно так работает решительно непонятно и ситуация сохраняется с памятью разных производителей, будь то G.Skill, Corsair, Kingston и остальные. Поэтому идем аккуратно - не получается ужать тайминг, не трогаем

tRRD_sg = 4 или 6 или 8
tRRD_dg = 4, в редком случае 8

Эти два тайминга трогаем в паре, у меня было стабильно на 4-4

У меня стабилизировалось на 360, можно идти шагами в 10 единиц

tREFI = 65535 безопасно, выше микрон нестабилен в простое

Ставим 65535 и не паримся - 90% что будет стабильно

TWR = варьируется сильно, от 12 до 22 с шагом в 1

TWR - первое большое препятствие на пути к высокой производительности, у меня получилось стабилизировать на отметке 22 - ниже никак.

Если нестабильно - лучше оставить в покое, авто не сильно выше

tFAW - второй неадекватный тайминг, пробуем стабилизировать от 16 с шагом в 4. Чем меньше tFAW, тем меньше будут задержки.

tCKE = 4, 8, если нестабильно, можно поднять до 14 или оставить в авто
tWCL = tCL-2, если нестабильно = tCL или tCL+2

Пункт 8 - третичные тайминги

В третичных таймингах нам интересны только две группы

tWRRD_sg = от 52 до 62 с шагом 2
tWRRD_dg = от 46 до 52 с шагом 2

tRDWR_dr = 15
tRDWR_dd = 15

Никакие другие тайминги не получается стабилизировать, даже если выставляешь их на то же значение, что и авто. Проблема ли это микрокода BIOS или памяти - решительно непонятно, но ситуация сохраняется со всеми обладателями хренового бина Micron Rev A.

Пункт 9 - фиксируем результаты

Зафиксировав результаты и подтвердив стабильность, наступает время понижать напряжение, пока не потеряем стабильность.

Начинаем с VDD, опускаем вниз до 1.25-1.26v и шагами в 0.05v ищем, пока не стабилизируется. Проверяем исключительно тяжелым тестом - при недостатке напряжения система будет зависать и перезагружаться. После этого переходим к VDDQ и так же, начиная с 1.3 поднимаемся наверх. Нашли стабильность - дайте немного больше напряжение, скажем 0.05v и фиксируйте отметку. Не забываем регулировать напряжение IVR, чтобы оно соответствовало новому VDDQ.

Напоследок можно опустить напряжение IMC, т.к. оно у нас сравнительно высокое, но у меня ниже не получилось.

У меня с хреновым бином Микронов получилось следующее:

Пункт 10 - нарушаем JEDEC

На этом пункте можно флексить, делиться своими таймингами и рассказывать друзьям, какие вы оверклокеры. Главное избегать особо одаренных граждан, которые на досуге читают документы JEDEC, анализируют тайминги и пишут рефераты об их зависимости и принципах работы памяти. Попадете на такого - мигом загнобит за то, что вы какой-нибудь тайминг некорректно выставили.

Не обращайте внимания. Стабильность есть? Есть. Производительность выросла? Выросла. FPS в играх выше? Выше. Вот и славно.

На этом сегодня все, а в следующем материале мы затронем “адаптивный” разгон новых процессоров Intel Core 12-го поколения, который позволит получить до 5.7 ГГц на одно-два ядра, оставаясь в комфортном термопакете и не перегружая его излишним напряжением. То, что нужно для повседневной работы.

Ассоциация JEDEC утвердила новый стандарт памяти DDR3L. Новая память потребляет на 20% меньше электроэнергии благодаря сниженному с 1.5 В до 1.35 В питающему напряжению. При этом память полностью совместима со всеми системами, поддерживающими обычную DDR3. Модули для персональных компьютеров будут маркироваться PC3L, для встраиваемых систем - EP3L.

Память стандарта DDR3 имеет 240 контактов и рассчитана на напряжение питания 1.5 В.

Совместимы ли физически модули памяти DDR и DDR2? Нет. DDR2 выполнен в новом форм-факторе - 240-контактный модуль DIMM, который электрически не совместим со слотами для модулей памяти типа DDR, то есть стандарт DDR2 не предусматривает обратной совместимости с DDR.

Основные отличия FB-DIMM от остальных регистровых модулей памяти DIMM

FB-DIMM (Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules) - модуль памяти с полной буферизацией. Наиболее важным отличием является двойное увеличение пропускной способности памяти до 6.4 Гб/с. Также в FB-DIMM все сигналы (тактирующие или команды, например) - проходят операцию буферизации в специальной микросхеме, расположенной на самом модуле памяти - Advanced Memory Buffer (Расширенный Буфер Памяти - AMB). Плюс ко всему, в данном виде памяти, на шине, реализованы соединения Point-to-Point - Точка-Точка, которые соединяют контроллер и модуль памяти, что, естественно, увеличивает скорость обмена информацией. (журнал Железо).

Что означает VLP в названии оперативной памяти?

VLP (Very Low Profile Memory Modules) - модули оперативной памяти, имеющие очень низкий профиль (высоту). Существует также ULP (Ultra Low Profile Memory Modules) с ультранизкой конструкцией. Высота зависит от конкретного производителя, но в среднем предел по высоте модуля начинается с 18 мм. (источник: журнал Железо)

Память DDR3

Суффикс LLK в конце модельного номера памяти Patriot Memory указывает на низкие задержки. Для получения задержек 7-7-7-20 на частоте 667 МГц (1 333 МГц DDR), PDP Systems требует нестандартного напряжения 1,70 В. Чтобы память загружалась на штатном напряжении 1,50 В, компания использовала меньшую частоту в SPD на уровне 1 066 МГц DDR. Поскольку заявленные задержки используются на меньшей частоте, для получения полной скорости лучше зайти в BIOS, "запереть" задержки, после чего изменить частоту и напряжение на DDR3-1333 и 1,70 В, соответственно.

"Официальное" название памяти DDR базируется на её пропускной способности, а не на тактовой частоте. Простой способ преобразовать её эффективную частоту в пропускную способность - умножить на восемь. Так, DDR-400 называется PC-3200, DDR2-800 - PC2-6400, а DDR3-1600 - PC2-12800.

Объяснить подобную математику очень просто: модули ПК на основе технологии SDRAM подключаются по 64-битной шине; в байте восемь бит, а 64 бита эквивалентны восьми байтам. Например, DDR2-800 передаёт 800 мегабит в секунду по одной линии; 64 линии обеспечивают одновременную передачу восьми бит, и 800 умножить на восемь как раз и даст 6400.

Но есть проблема округления, которая впервые появилась с DDR-266 (PC-2100). Эффективная частота передачи 266 МГц на самом деле составляет 266,(6) (шесть в периоде) МГц, поэтому на самом деле пропускная способность составляет 2133 Мбайт/с.

Пусть многим сборщикам уже некоторое время ничего не нужно, кроме недорогих модулей DDR2, но память DDR3 обеспечивает два ключевых преимущества. Во-первых, максимальная плотность памяти у чипов была расширена до 8 Гбит, что даёт для 16-чипового модуля ёмкость 16 Гбайт. Во-вторых, напряжение питания по умолчанию было снижено до 1,50 В по сравнению с 1,80 В у DDR2, что даёт 30% снижение энергопотребления при равных тактовых частотах.

Одним из важных факторов в пользу памяти DDR3 является постепенный перевод чипсетов Intel в этом направлении. Компания впервые добавила поддержку DDR3 в качестве опции у северного моста чипсета P35 Express, да и рынок DDR3 затем был и далее расширен с появлением новых чипсетов DDR3.

Каждое поколение DDR отличается более высокими задержками памяти, что обусловлено ростом ёмкости с переходом на следующий техпроцесс. Массовая память DDR1 отличалась ёмкостью 512 Мбайт на модуль (общая ёмкость 1 Гбайт). У DDR2 оптимальной оказалась ёмкость 1 Гбайт на модуль (общая ёмкость 2 Гбайт). Как можно предположить, память DDR3 даст 2 Гбайт на модуль (4 Гбайт в сумме) к середине 2008 года. По спецификациям JEDEC память DDR3 должна работать с напряжением по умолчанию 1,5 В. Напомним, что напряжение памяти DDR2 составляет 1,8 В, а DDR1 - 2,5 в. Впрочем, многие производители памяти повышают напряжение, чтобы снизить задержки и обеспечить более высокую производительность. История с памятью DDR3 повторяется.

Из-за снижения напряжения память DDR3 потребляет меньше энергии. Но в наших тестах мы это не смогли подтвердить, поскольку тестовые системы с памятью DDR3 потребляли больше энергии, чем с памятью DDR2. Intel утверждает, что энергопотребление памяти DDR3-1333 должно сравняться с DDR2-800, а при равных тактовых частотах экономия должна составить 25%. Что ж посмотрим, насколько эти обещания исполняться в будущем.

Частоты DDR3

В следующей таблице приведены все частоты DDR3, которые будут доступны до 2008 года.

Хотя число контактов не изменилась, вырез был перенесён. Поэтому модули DDR2 и DDR3 несовместимы." Число контактов модулей памяти DDR2 и DDR3 идентичное, но вырез у модулей DDR3 был смещён, поскольку новая память несовместима с DDR2 и работает от другого напряжения. DDR3 будет поддерживаться на частотах 800, 1066 и 1333, в то время как DDR2 остановится на DDR2-800. Конечно, модули DDR2 с более высокой частотой могут работать с некоторыми чипсетами (всё часто зависит от комбинации модулей и материнской платы), но спецификации вряд ли будут когда-нибудь утверждены. В принципе, ситуация вполне нормальная, если вспомнить, что память DDR для энтузиастов выходила вплоть до частот DDR600, хотя JEDEC сертифицировала максимум DDR400.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на "старших" версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

__________________
Опытный шаман вылечит вашего электронного друга: танцы с бубном, снятие порчи и сглаза, заговор микросхем. Последний раз редактировалось Keper; 19.02.2011 в 00:38 .

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Ссылка загрузки ISO образа для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, в случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

__________________
Опытный шаман вылечит вашего электронного друга: танцы с бубном, снятие порчи и сглаза, заговор микросхем. Последний раз редактировалось Keper; 22.11.2010 в 19:49 .

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 - число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 - реальную частоту шины памяти).
400MHz - эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 - здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 - число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 - число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V - указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U - обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в "десктопные" системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC - модуль без ECC.
240-pin - показывает число выводов(контактов) модуля.
Original - означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM - память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 - указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 - организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 - указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China - модуль собран в Китае (assy - сокращение от assembly).
BOX - модуль(и) поставляются в "коробочке"(упаковке).
KIT - набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch- набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader - на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) - память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers - модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL - Low Latency - память с низкими таймингами.
EL - может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS - память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP - память с поддержкой профилей EPP.
XMP - память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC - модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM - регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL - модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank - одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank - двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM - относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

__________________
Опытный шаман вылечит вашего электронного друга: танцы с бубном, снятие порчи и сглаза, заговор микросхем. Последний раз редактировалось Keper; 09.12.2007 в 22:17 .

Q: Что необходимо изменить в BIOS Setup при установке памяти?
A: Как правило, ничего. Подавляющее большинство компьютеров распознает и конфигурирует установленную память автоматически.
Иногда может потребоваться сменить параметры на значения, которые заявлены производителем модулей памяти: напряжение, тайминги, частота, и которые отличаются от стандартных, автоматически выставляемых материнской платой.

Часто встречаются случаи, когда люди покупают оверклокерскую и т.п. память с нестандартными параметрами, совершенно не подозревая о том, что купленную память требуется ещё и конфигурировать. В этих случаях можно зайти на сайт производителя, найти спецификации купленной памяти и выставить все параметры согласно этим спецификациям. Если же самостоятельная настройка невозможна в силу недостаточной технической грамотности покупателя или ограничений Bios, настройку придётся поручить специалистам либо же купленную память придётся вернуть.

В случае смены или установки дополнительной памяти может потребоваться перевести параметры в изначальное(default) состояние: by SPD, Auto, или просто "сбросить" BIOS. Это связано с тем, что для предыдущей или уже установленной памяти могли быть выставлены параметры, не подходящие для новой, что способно привести к сбоям в работе.

__________________
Опытный шаман вылечит вашего электронного друга: танцы с бубном, снятие порчи и сглаза, заговор микросхем. Последний раз редактировалось Keper; 10.06.2008 в 22:12 .

Q: Что такое тайминги?
A: Тайминги - это задержки, возникающие при операциях доступа к содержимому памяти. Подобные задержки также ещё называют латентностью.

Ниже приводятся наиболее часто упоминаемые тайминги:

Диаграмму таймингов можно увидеть на следующем рисунке.

Вышеприведённые тайминги часто указывают вместе в виде CL-tRCD-tRP-tRAS. Например, 3-3-3-8.
Иногда можно встретить иную запись, например 3-3-3-8 1T. Здесь последним указан Command Rate.

Command Rate ( CR, CMD Rate, 1T/2T) – время, необходимое на распознавание команд и адресов. При значении 1T потребуется 1 цикл(clock cycle), при 2T – 2 цикла.
Использование значения 2T позволяет использовать различные комбинации модулей на более высоких частотах. Значение 1T повышает производительность подсистемы памяти, но снижается стабильность системы, а также её разгонный потенциал.
Контроллер процессоров A64 позволяет выставлять 1T начиная с ревизии CG. Но при использовании нескольких модулей в большинстве случаев частота их работы будет снижена.
В частности, при использовании процессоров A64 ревизии E (socket 939) и четырёх односторонних модулей DDR400 при использовании 1T, частота их будет снижена до 333МГц, при использовании хотя бы одного двухстороннего модуля среди четырёх, частота их будет снижена до 200МГц. В рассматриваемом примере при 2T добиться работы модулей на полной частоте можно лишь при использовании двухсторонних модулей в разных каналах или использовании только односторонних модулей.
Для последних процессоров Intel возможность выставить 1T существует лишь при использовании чипсетов nForce или AMD RD600, в чипсетах Intel такая возможность появилась лишь с выходом чипсетов Intel 3 Series.

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передача данных в секунду (MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400	3200 МБ/с
PC2-4200	DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533	4200 МБ/с
PC2-5300	DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667	5300 МБ/с
PC2-5400	DDR2-675	168 МГц	337 МГц	675	5400 МБ/с
PC2-5600	DDR2-700	175 МГц	350 МГц	700	5600 МБ/с
PC2-5700	DDR2-711	177 МГц	355 МГц	711	5700 МБ/с
PC2-6000	DDR2-750	187 МГц	375 МГц	750	6000 МБ/с
PC2-6400	DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC2-7100	DDR2-888	222 МГц	444 МГц	888	7100 МБ/с
PC2-7200	DDR2-900	225 МГц	450 МГц	900	7200 МБ/с
PC2-8000	DDR2-1000	250 МГц	500 МГц	1000	8000 МБ/с
PC2-8500	DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066	8500 МБ/с
PC2-9200	DDR2-1150	287 МГц	575 МГц	1150	9200 МБ/с
PC2-9600	DDR2-1200	300 МГц	600 МГц	1200	9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передач данных в секунду(MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400	DDR3-800	100 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC3-8500	DDR3-1066	133 МГц	533 МГц	1066	8533 МБ/с
PC3-10600	DDR3-1333	166 МГц	667 МГц	1333	10667 МБ/с
PC3-12800	DDR3-1600	200 МГц	800 МГц	1600	12800 МБ/с
PC3-14400	DDR3-1800	225 МГц	900 МГц	1800	14400 МБ/с
PC3-16000	DDR3-2000	250 МГц	1000 МГц	2000	16000 МБ/с
PC3-17000	DDR3-2133	266 МГц	1066 МГц	2133	17066 МБ/с
PC3-19200	DDR3-2400	300 МГц	1200 МГц	2400	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Читайте также: