Как называется модуль памяти с односторонним расположением выводов

Обновлено: 05.07.2024

В самые первые персональные компьютеры память устанавливали непосредственно чипами. Разумеется, такой подход имеет ряд недостатков. Во-первых, установка множества чипов памяти на материнскую плату неэффективна с точки зрения использования свободного места; во-вторых, каждый устанавливаемый чип содержит много гибких контактов, таким образом уменьшается надежность, так как неконтакт хотя бы одного чипа приводит к неработоспособности всей системы.

Чипы памяти стали размещать на так называемых модулях памяти: маленьких платках с контактными площадками, которые устанавливались в материнскую плату в специальные разъемы. Модули помогают решить обе описанные выше проблемы: обычно они устанавливаются в материнскую плату вертикально, что позволяет решить проблему свободного места, во вторых, между модулем памяти и разъемом обычно надежный электрический контакт.

Обращаю Ваше внимание на то, что нужно очень четко различать и не смешивать типы памяти (DRAM, FPM, EDO, SDRAM, RD RAM etc) и модули памяти (SIMM30, SIMM72, DIMM168, DIMM184, RIMM).

Модуль SIMM 30 pin

Самым первым модулем, который использовался в PC, был так называемы модуль SIMM 30pin (Single Inline Memory Module, Модуль Памяти с Односторонним Расположением контактов, имевший 30 контактных площадок). Рассмотрев такой модуль, можно заметить, что контактные площадки расположены у модуля в обеих сторон, но с обратной стороны модуля за счет внутренней металлизации контактных площадок происходит их дублирование, т.е. все же у модуля одностороннее расположение контактов.

Каковы характеристики модуля? А чем вообще можно характеризовать модуль, если все его параметры, такие как тип и объем памяти, быстродействие, зависят в первую очередь от припаянных на модуль чипов? Но есть по крайней мере один параметр, который характеризует именно модуль. Этот параметр - разрядность модуля, т.е. ширина той шины, по которой происходит доступ к конкретному модулю, или количество контактов, по которым передаются биты данных. (Например, модуль с 30 ножками, естественно, не может обеспечить 32-битный обмен данными - для этого нужно только 32 ножки для передачи данных, а ведь еще питание, адресация и т.д.). Т.е., модули друг от друга в первую очередь отличаются разрядностью. Разрядность модуля SIMM 30 pin составляет 8 бит (на самом деле 9 бит, но последний, девятый бит используется для передачи так называемых данных четности, об этом мы поговорим позднее). Модуль SIMM 30 pin (иногда еще называют: короткий SIMM) использовался в 286, 386 и 486 системах.

Совокупность разъемов, полностью закрывающих шину память - процессор называется банк памяти. То, о чем мы говорили только что, можно сказать следующим образом: в системе память всегда должна устанавливаться только банками, и хотя бы один банк должен быть установлен.

Модуль SIMM 72 pin

Неудобства использования 30 pin SIMM в системах 386 и 486 вполне очевидны: банк памяти состоит из четырех модулей. Поэтому был разработан новый тип модуля: SIMM 72 pin. Такой модуль, как ясно из названия, так же имел контакты, расположенные с одной стороны модуля (Single Inline) и при этом увеличившееся количество контактных площадок позволило сделать ширину шины модуля 32 бит (на самом деле 36 бит, остальные снова для данных четности).

Такие модули применялись в 486-ых и Pentium-системах. Стало быть, в 486 системах, у которых ширина шины обмена процессор - память составляла 32 бита, банком памяти являлся единственный модуль памяти SIMM 72 pin, а в Pentium-системах - 2 модуля SIMM 72 pin. Таким образом, в 486 системы можно было устанавливать либо по 4 30pin SIMMa, либо по одному 72 pin SIMM (который иногда называли длинный SIMM).

Модуль DIMM 168 pin

С выходом процессора Pentium, у которого ширина шины память - процессор увеличивается до 64 бит, снова возникает ситуация, когда банк не равен модулю. В Pentium-системы память при использовании 72pin SIMM снова необходимо устанавливать парами.

Для решения этой проблемы, а точнее для применения уже упоминавшейся нами SDRAM, был разработан новый тип модуля: DIMM 168 pin (Dual Inline Memory Module). Как ясно из названия, у этого модуля 168 контактных площадок, расположенных по обеим сторонам модуля, по 84 с каждой стороны. Модуль DIMM 168 pin является 64-битным, и использование единственного модуля DIMM позволяет закрыть шину память - процессор для процессора Pentium, как, впрочем, и для любого современного процессора. Таким образом, в компьютеры на базе Pentium, Pentium II и Pentium III (а именно в них применялась память SDR SDRAM) можно вставлять модули DIMM 168 pin по одному или 72pin SIMM парами. 30 pin и 72 pin SIMM уже весьма давно полностью вышли из употребления, DIMM 168 pin доживают свой век в старых системах, хотя в продаже до сих пор есть.

Наиболее часто используемый тип модуля сегодня - модуль DIMM 184 pin на микросхемах DDR SDRAM. Разрядность его - 64 бита, т.е. один модуль DIMM 184 pin полностью перекрывает шину обмена память-процессор.

Модуль RIMM

Память типа DR DRAM устанавливается на специальные модули, называемые RIMM (Rambus Inline Memory Module), а в пустые разъемы для RIMM иногда необходимо устанавливать специальные заглушки.

Теперь давайте поговорим о маркировке модулей памяти. Действительно, ведь Вы устанавливаете в компьютер не чипы, а модули, и умение читать маркировку чипа совсем не необходимо для сборки (или подбора комплектующих).

Как же маркируются современные модули памяти? А очень просто.

Маркируются следующим образом: PCxxx, где ххх - частота, на которой сертифицирован работать модуль (возможно что чипы, модуль составляющие, могут работать и на более высоких частотах). Соответственно, существует всего 3 спецификации DIMM SDRAM:

PC66 - DIMM SDRAM, предназначенный для работы на частоте, не превышающей 66 МГц;

PC100 - DIMM SDRAM, предназначенный для работы на частоте, не превышающей 100 МГц;

PC133 - DIMM SDRAM, предназначенный для работы на частоте, не превышающей 133 МГц.

Естественно, модули, предназначенные для более высоких частот, могут без проблем применяться и на низших частотах.

Маркируются следующим образом: PCxxxx, где хxхх - пропускная способность памяти, которая может быть обеспечена при применении данного модуля (вспомните, как рассчитывается пропускная способность). Соответственно на сегодняшний день есть следующие типы модулей DDR SDRAM (для удобства приведем их все в таблице):

Стандарт памяти Частота работы, МГц Разрядность модуля, бит Пропускная способность, Мбайт/с
PC 1600 100 64 1600
PC 2100 133 2100
PC 2700 166 2700
PC 3200 200 3200
PC 4200 266 4200

И, наконец, модули RIMM, несущие на себе память типа RD DRAM, маркируются PCxxxx, где хххх - рабочая частота или (с недавних пор) пропускная способность (что не может не добавить путаницы в ранее гармоничную картину мира, хотя, с другой стороны, память RIMM лишь "подстроилась" под фаворита - DDR). Кроме того, память RIMM работает еще и в режиме DDR, т.е. частота ее работы в таблице приведена без умножения на 2.

Стандарт памяти Частота работы, МГц Разрядность модуля, бит Пропускная способность, Мбайт/с
PC600 300 16 1200
PC 700 350 1400
PC 800 400 1600
PC 1066 533 2100
PC 3200 400 32 3200
PC 4200 533 4200

Теперь мы подробнее остановимся на такой особенности рассмотренных нами модулей памяти, как ключи. Под ключом на модуле памяти обычно понимают выступ или вырез в модуле, который в сочетании с соответствующим вырезом (выступом) в разъеме, в который модуль устанавливается, выполняет одну из двух (или обе) функций:

* не позволяет установить симметричный модуль памяти "наоборот";

* предотвращает использование в системе модуля, не подходящего по параметрам (скажем, по рабочему напряжению).

Рассмотрим поподробнее типы ключей, применяющихся в SIMM и DIMM:

* SIMM 30-пин - вырез сбоку со стороны 1-го пина, служит для правильной ориентации модуля.

Ключ модуля SIMM 30 pin

* SIMM 72-пин - аналогичный вырез со стороны 1-го пина, а также вырез посередине между 36-м и 37-м пинами.

Ключи модуля SIMM 72 pin

Ключи модуля DIMM 168 pin

* DIMM 184-пин - 1 вырез "внутри гребенки", положение выреза явно асимметрично и, соответственно, определяет 1-й пин.

* RIMM - 2 выреза "внутри гребенки", положение вырезов явно асимметрично и, соответственно, определяет 1-й пин.

Ключи модуля RIMM

Надо отметить, что контроль каких-либо параметров с помощью высоты выреза является "односторонним" - модуль с низким вырезом нельзя установить в разъем с высоким выступом, но не наоборот. Смещение ключа вдоль модуля - метод более надежный, так как гарантирует невозможность установки неправильного модуля, но создает серьезную проблему для производителей модулей (и материнских плат), вынужденных иметь дело с множеством разных дизайнов печатных плат и разъемов.

Итак, мы разобрались с основными принципами функционирования оперативной памяти современного компьютера, с различными архитектурами, которые были представлены на рынке или используются сейчас. Разобрались с основными технологиями, применяемыми на рынке памяти, с маркировкой модулей памяти. Нам придется применить все эти знания в полном объеме уже на следующем занятии, когда мы с Вами начнем изучать чипсеты, применяемые в современных системах.

Вопрос по совместимости оперативной памяти.
Есть материнка: Jetway M25GT4 Series: nVIDIA nForce 570 SLI, AMD Hammer (4x DDRII 800, 4 PCI-E + 3.


Вопрос по поводу частоты оперативной памяти.
Решил сделать апгрейд купил 3 планки по 2 гб (скрин 1) подскажите почему они работают на 333.3 МHz.

Вопрос прорисовки из оперативной памяти DIB
В результате работы некоторой функции, я получаю pDIB - указатель на 1й байт в оперативной памяти.

Вопрос про многоканальный режим работы оперативной памяти
Из статьи Википедии я понял что многоканальный режим работы оперативной памяти можно.

Односторонняя память - память у которой упаковки чипов распаяны с одной стороны планки. Двухсторонняя память - память у которой упаковки чипов распаяны с двух сторон планки.
как то так

Skam46,
за всех производителей памяти не отвечу, но на примере кингстон, трансценд скажу что они в партномерах не отображают одно или двух сторонний модуль памяти или нет.

А в чем загвоздка? По какой причине это так критично?

Вот собирал компьютер, встретился с предупреждением на матери что она использует 2 двухсторонние планки, а если задействовать 4 то надо ставить односторонние, зашёл в прайс лист и начал годать какими атрибутами они отличаются, так как компьютер собирал не в магазине а с прайса и не мог видить картинку как нашиты плата с одной стороны или с двух.

Добавлено через 4 минуты
купите 2 модуля по 4 гига

Skam46,
какая модель материнской платы?

Добавлено через 2 минуты

MartinS, все таки я вас так и не понял, что вы хотели сказать. вроде по вопросу я ответил. Наверное вы об этой фразе "dual rank memory" она шла по тексту, я нашёл этот ответ в инте и просто скопировал его, я никогда не сталкивался с такой проблемой Суть вот в чём: некоторые материнские платы, не будут запускаться, если все слоты DIMM, забиты двухсторонними модулями памяти (dual rank memory). выделенное жирным не является верным, так же как и односторонняя память это односторонние модули.

например, контроллер памяти может держать суммарный объем памяти с количеством ранков не более 8 (это число варируется в завизимости от типа материнской платы и установленного в ней контроллера, можно найти в описании к маме), таким образом в мать можно воткнтуть определенное число планок памяти 4шт*1 ранковые + 2шт*2 ранковые модули - итого 8. Ранки никоим образом не показывают одно или двухсторонность планок.

""Ранк" памяти это блок или область памяти, созданная одним или всеми чипами памяти на модуле. "Ранк" должен быть 64-битный. На модулях с коррекцией (ECC) в дополнении к 64 битам памяти требуется еще 8 бит из области ECC, что занимает в итоге 72 бита. В зависимости от конструкции модуля памяти, он может содержать 1 (single), 2 (dual) или 4 (Quad) области по 64 бита (или по 72 бита при наличии ECC). Если общее число установленных рангов выше, чем указано в спецификации системной памяти, система может не загружаться, могут возникать ошибки памяти, либо часть памяти не распознается."

Будем рассматривать память стандарта DIMM, про SIMM забудем, она уже совсем старая.

SIMM (англ. Single In-line Memory Module , односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы.

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

Оперативная память

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR (она же DDR1), DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

DDR SDRAM (англ. double-data-rate synchronous dynamic random access memory) — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных).

Оперативная память

Вот этот чип:

Смотрим в описании материнской платы свой тип памяти (и максимальный поддерживаемый размер), покупаем, устанавливаем. Так? Не совсем, здесь тоже есть подводные камни.

Как подобрать оперативную память к материнской плате?

Этап 3.
Если есть на руках (или хочется купить) планку памяти, которой нет в 1-м и в 2-м этапе -> идем на этап 3. Заходим на сайт производителя оперативной памяти и смотрим, с какими материнскими платами тестировалась данная память.


Этап 4.
Для DDR3 / DDR4 выбранная память должна еще поддерживаться процессором, т.к. контроллер памяти теперь там. Грубо говоря, Вы купили DDR3 1600 Мгц, материнская плата ее поддерживает, а процессоре заявлена поддержка только 1333 Мгу = память заработает на частоте 1333 Мгц.

Все нужно проверять.

1. ВАЖНО: оперативная память для AMD и остальных платформ не совпадает, несмотря на одинаковые названия и размеры!

В чем же различие? Интегрированный контроллер памяти процессоров AMD поддерживает адресацию с использованием 11-разрядных столбцов и размером страницы 16 Кбит. Стандартные контроллеры памяти, встречающиеся в составе других платформ, используют 10-разрядные столбцы и размер страницы 8 Кбит. При такой организации доступа к памяти каждая страница размером 16 Кбит может содержать 2048 точек входа. Это позволяет контроллеру памяти процессоров в исполнении Socket AM2/AM2+/AM3 оставаться на одной странице в два раза дольше по сравнению со «стандартным» контроллером памяти.

2. Китайская контрафактная память (т.е. непонятный производитель и этикетка от официального производителя)

Оперативная память

Теперь смотрим на то, что продается

Оперативная память

3. Китайский производитель NONAME

Виды памяти

Тип памятиЧисло контактовНапряжение питания, ВЧастоты работы памяти, Мгц
DDR1184 pin2,5 В (старые мат.платы)200 266 333 400
DDR1184 pin2,6 В
DDR2240 pin1,8 В400 533 667 800 1066
DDR3240 pin (не совместимы с DDR2)1,5 В800 1066 1333 1600 1866 2133 2400
на одинаковых частотах с DDR2 память DDR3 медленнее
DDR3L240 pin (не совместимы с DDR2)1,35 В (low voltage)
DDR4288 pin1,2 В1600 1866 2133 2400 3200 3400

В настоящее время память DDR4 поддерживается только на материнских платах с socket 1151 / 2011-3 при использовании процессоров Intel шестого поколения. Контроллер памяти (управление памятью) также встроено в процессор. Для socket 1151 поддерживается двухканальный режим, для socket 2011-3 поддерживается четырехканальный режим работы памяти.

Частота шины памяти, МгцЧастота памяти, МгцСтандартНазвание модуляМбит/сек (теоретическая)
100200 DDR1 PC 1600
133 266 DDR1JEDECPC 2100
150300 DDR1 PC 2400
166333 DDR1JEDECPC 2700
200400 DDR1 JEDECPC 3200
217433 DDR1O.C.
233466 DDR1O.C.
250500 DDR1O.C.
275550 DDR1O.C.
300600 DDR1O.C.
200400 DDR2JEDEC
266533 DDR2JEDECPC 4200
333667 DDR2JEDECPC 5300
400800 DDR2JEDECPC 64006400
5001000 DDR2O.C.
5331066 DDR2O.C.PC 85008533
5561111 DDR2O.C.
5711142 DDR2O.C.
6251250 DDR2O.C.
400800 DDR3
5331066 DDR3JEDEC
6671333 DDR3JEDECPC 1066710667
8001600 DDR3JEDECPC 1280012800
9001800 DDR3JEDEC
9331866 DDR3O.C.PC 1490014933
10002000 DDR3JEDEC
10662133 DDR3O.C.PC 1700017066
12002400 DDR3O.C.PC 1920019200
8001600 DDR4JEDECPC 1280012800
9331866 DDR4JEDECPC 1490014933
10662133 DDR4JEDECPC 1700017066
12002400 DDR4O.C.PC 1920019200
16003200 DDR4O.C.PC4 2560025600
17003400 DDR4O.C.PC4 2720027200

JEDEC (англ. Solid State Technology Association, известная как Joint Electron Device Engineering Council, или Сообщество (Комитет) Инженеров, специализирующихся в области электронных устройств) — комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (EIA), промышленной ассоциации, представляющей все отрасли электронной индустрии.

xtreme Memory Profiles (сокр. англ. XMP, рус. экстремальные профили памяти) — расширение стандарта SPD для хранения и передачи расширенной информации о модулях памяти DDR3 SDRAM, разработанное фирмой Intel в качестве альтернативы представленного ранее аналогичного расширения Nvidia — Enhanced Performance Profiles (сокр. англ. EPP).

Технология XMP служит упрощению разгона памяти с использованием заранее заготовленных настроек (профилей SPD, расширенных относительно стандартных профилей JEDEC) с понижением задержек (англ. low latency) или повышением частоты (англ. high frequency). При считывании расширенных данных SPD из модуля памяти, может производиться автоматическая настройка на указанные в расширенном профиле параметры, избавляя конечного пользователя от ручной настройки (для опытных пользователей оставлена возможность изменять параметры принудительно). В случае нестабильности работы памяти, являющейся следствием работы в режиме, близком к предельному, XMP предоставляет возможность безопасной загрузки (англ. fail-safe default boot), при этом все параметры устанавливаются по стандарту JEDEC.

В socket 1151 только двух-канальная память.

Оперативная память

Ниже фото типичного слота для 4-х планок оперативной памяти для двухканального режима работы.

Хорошо видно, что слоты 1-3 и 2-4 разного цвета.

Оперативная память

Если всё установлено правильно, включится режим dual-channel, проверить результат можно в программе CPU-Z.

Видно тип памяти, ее параметры (латентность / тайминги), общий объем и режим работы.

Латентность (англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией. Мера таймингов — такт шины памяти. Таким образом, каждая цифра означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти.

Cycle Time (tRAS) = 18 тактов = Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

Оперативная память

Для каждой планки памяти обычно указывается в виде последовательности четырех цифр: 5-6-6-18. Естественно, для разных частот работы эти цифры будут разные, можно посмотреть через программу Everest, что именно поддерживает данная планка памяти (раздел SPD).

Как раз видно, что память на частоте шины 400 Мгц (800 Мгц для самой памяти) будет работать с таймингами 5-6-6-18 и эти цифры совпадают с данными из программы CPU-Z.

И снова про беспощадный маркетинг.

Окончательный перевод на язык здравого смысла:

Серверная память.

Сервер отличается от бытового ПК прежде всего отказоустойчивостью. Большая ценность хранимой информации и критические ошибки BSOD недопустимы.

При сбое обычной памяти получаем BSOD (приятный синий экран) и необходимость перезагрузки системы. Использование памяти ECC (англ. error-correcting code , код коррекции ошибок) позволяет продолжить работу системы, исключив сбойный участок памяти.

Память ECC-память в свою очередь бывает регистровая и не регистровая (иначе буферизированная и не буферизированная).
Регистровая память (англ. Registered Memory, RDIMM, иногда buffered memory) — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Регистровая память является более дорогой из-за меньшего объема производства и наличия дополнительных микросхем.

Конечно. данный вид памяти должен поддерживаться материнской платой (контроллером памяти) и BIOS. Физические размеры слотов и параметры электропитания одинаковые.

Хотя большая часть модулей памяти для серверов является регистровой и использует ECC, существуют и модули с ECC но без регистров (UDIMM ECC), они так же в большинстве случаев работоспособны и в десктопных системах. Можно обратить внимание, что в спецификации бытовой материнской платы написано non ECC, а в списке поддерживаемой памяти есть модули с ECC.
Регистровых модулей без ECC не существует.

Из-за использования регистров возникает дополнительная задержка при работе с памятью. Каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память считается на один такт более медленной, чем нерегистровая (UDIMM, unregistered DRAM)

Вы можете сохранить ссылку на эту страницу себе на компьютер в виде htm файла

Тесты оперативной памяти — сравнение однорангового и двухрангового модулей

Многие знают, что оперативная память имеет двухканальный и одноканальный режимы работы, которые значительно влияют на производительность системы. Но что такое двух- и одноранговые модули памяти? Давайте разберемся.

Ранг памяти — это блок или область данных, которая создается с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. В зависимости от того, как спроектирован модуль памяти — c использованием чипов х4, х8 или х16 бит, — он может иметь один, два или даже четыре блока областей данных шириной 64 бита

Если модуль спроектирован с использованием микросхем только с одной стороны памяти, это одноранговая память?

Важно не количество чипов и их расположение, а разрядность использованных микросхем, но чаще всего именно так. Модуль памяти в десктопном компьютере имеет шину 64 бита, набран может быть как восемью чипами х8, так и 16 чипами х4, которые будут распаяны по обе стороны модуля. При этом модуль будет считаться одноранговым.


В настоящее время самыми распространенными модулями памяти на рынке являются одноранговые с объемом 8 ГБ. С одной стороны модуля памяти распаяно восемь х8 чипов памяти объемом 1 ГБ каждый. Модуль объемом 16 ГБ из этих же чипов объемом 1 ГБ получится уже из 16 чипов по восемь с каждой стороны. В данном случае будет уже двухранговый модуль.

Прогресс не стоит на месте, и в настоящее время в продаже стали появляться одноранговые модули в объеме 16 ГБ. В них используются чипы памяти повышенной емкости на 2 ГБ.

Одноранговая память имеет ширину 64 бита, тогда как двухранговая память имеет ширину 128 бит. Но, поскольку один канал памяти имеет ширину всего 64 бита, как и одноранговая память, контроллер памяти может одновременно обращаться только к одному рангу. Это не вызывает проблем при работе с двухранговыми модулями. Просто пока один ранг занимается ответом на переданную ему команду, другой ранг уже можно подготавливать информацию для следующей команды.

Как узнать, сколько рангов у оперативной памяти?

Производители оперативной памяти не указывают в технических характеристиках количество рангов. Поэтому, чтобы узнать, сколько рангов у памяти, необходимо воспользоваться специальными программами: CPU-Z, Thaiphoon Burner или AIDA64. Или же можно просто внимательно осмотреть сам модуль.


Тест и разгон одноранговых и двухраговых модулей

В теории одноранговые модули обладают куда большим разгонным потенциалом. На практике все зависит от производителя и качества самих чипов, материнской платы и контроллера памяти в самом процессоре.

Тестируемые в этом материале комплекты памяти на отборных чипах Samsung B-Die имеют совершенно одинаковый разгонный потенциал. Можно сказать, что попался не очень удачный комплект KFA2 Hall Of Fame DDR4-3600, а может, просто удачный комплект G, Skill F4-3000C14-16GVR 2x16GB, который может стабильно работать на частоте 4333 МГц с таймингами CL16. В любом случае разгон — это всегда лотерея.

С теорией более-менее разобрались, теперь практически проверим, как отразится на производительности использования одно и двухранговых модулей.

В тестирование принимает участие оперативная память на абсолютно идентичных чипах K4A8G085WB-BCPB Samsung B-Die.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор № 1 — AMD Ryzen 5 4650G
  • Процессор № 2 — AMD Ryzen 5 3600X
  • Материнская плата ASUS ROG STRIX B550-I Gaming версия биос 1801
  • Оперативная память №1 — KFA2 Hall Of Fame 3600 МГц 2x8GB Single Rank
  • Оперативная память №2 — G.SKILL F4-3000C14-16GVR 2x16GB Dual Rank
  • Видеокарта — интегрированная
  • Видеокарта — GTX 1080 Ti Curved 1900 MHz 0.950 mV
  • Блок питания — Cooler Master V1200 Platinum 1200 Вт

Для тестирования был выбран процессор AMD Ryzen 5 4650G неслучайно. Именно оперативная память, а вернее ее производительность, оказывает наибольшее влияние на производительность встроенного видеоядра.

Чтобы тестирование не было однобоким, к нему в пару был выбран самый популярный процессор на рынке — Ryzen 5 3600X. Во время тестирования память фиксировалась на частоте 3600 МГц со следующими таймингами.

AMD Ryzen 5 4650G

AMD Ryzen 5 3600X

Результаты тестирования

По традиции начинаем тестирование с бенчмарков.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark



Одноранговые модули имеют небольшое отставание в операции копирования, в тоже время наблюдаются чуть большие задержки памяти у двухранговых модулей.

3DMark


Разница в производительности незначительна и больше похожа на погрешность измерений, но из раза в раз результат повторяется.

World of Tanks enCore RT



Shadow of the Tomb Raider




Выводы

Какой-либо существенной разницы в производительности между одно- и двухранговой памятью при использовании процессора Ryzen 5 3600X нет как в синтетических бенчмарках, так и в играх. Разница в производительности в лучшем случае составляет 3 %.

При использовании же двухранговой памяти с гибридными процессорами производительность встроенной графики увеличивается примерно на 6-7 %.

В тестировании использовались идентичные чипы памяти и фиксировались все возможные тайминги.

Целенаправленно рассматривать к покупке именно двухраноговые модули нет никакого смысла, если только нет необходимости в большем объеме памяти — это единственное преимущество при выборе именно двухранговой памяти.

Сейчас в продаже имеются комплекты кит памяти из двух модулей объемом 64 ГБ, что просто невозможно организовать, используя одноранговую память.

Читайте также: