Как узнать jedec памяти

Обновлено: 08.07.2024

В стандартах JEDEC памяти приведены спецификации для цепей полупроводниковой памяти и других подобных устройств хранения данных , обнародованного устройство Joint Electron Engineering Council (JEDEC) Твердотельная ассоциация технологии, полупроводниковая торговли и инженерной организация по стандартизации.

Стандарт JEDEC 100B.01 определяет общие термины, единицы измерения и другие определения, используемые в полупроводниковой промышленности. JESC21-C определяет полупроводниковую память от 256-битной статической RAM до модулей DDR4 SDRAM .

СОДЕРЖАНИЕ

Цели стандартизации JEDEC

Объединенный технический совет по разработке электронных устройств характеризует свои усилия по стандартизации следующим образом:

Стандарты и публикации JEDEC призваны служить общественным интересам за счет устранения недопонимания между производителями и покупателями, облегчения взаимозаменяемости и улучшения продуктов, а также оказания помощи покупателю в выборе и получении с минимальной задержкой подходящего продукта для использования другими лицами, не являющимися членами JEDEC, независимо от того, являются ли они стандарт должен использоваться либо внутри страны, либо на международном уровне.

Стандарт JEDEC 100B.01

Стандарт JEDEC 100B.01 от декабря 2002 г. озаглавлен « Термины, определения и буквенные обозначения для микрокомпьютеров, микропроцессоров и интегральных схем памяти» . Цель стандарта - способствовать единообразному использованию символов, сокращений, терминов и определений во всей полупроводниковой промышленности .

Единицы информации

В спецификации определены две общие единицы информации:

Бит (б) является наименьшей единицей информации в двоичной системе счисления и представлена цифрами 0 и 1.
Байты (В) представляют собой двоичная строка символов , как правило , работает на как единое целое. Обычно оно короче компьютерного слова.

Префиксы единиц для емкости полупроводниковой памяти

Спецификация содержит определения обычно используемых префиксов килограмм , мега- и гига, обычно в сочетании с байтами и битами единиц для обозначения кратных единиц.

Спецификация цитирует три префикса следующим образом:

килограмм ( K ): множитель, равный 1024 (2 · 10 ).
мега ( M ): множитель, равный 1 048 576 (2 20 или K 2 , где K = 1024).
гига ( G ): множитель, равный 1 073 741 824 (2 30 или K 3 , где K = 1024).

В спецификации отмечается, что эти префиксы включены в документ только для отражения общего использования. Он ссылается на стандарт IEEE / ASTM SI 10-1997, в котором говорится, что « такая практика часто приводит к путанице и не рекомендуется ». Однако спецификация JEDEC явно не осуждает обычное использование. В документе также содержится ссылка на описание двоичных префиксов МЭК в Поправке 2 к МЭК 60027-2 «Буквенные символы, используемые в электротехнике» для альтернативной системы префиксов, а также таблица префиксов МЭК в примечании. Однако спецификация JEDEC явно не включает префиксы IEC в список общих терминов и определений.

В документе отмечается, что эти префиксы используются в десятичном смысле для скоростей передачи данных последовательной связи, измеряемых в битах .

JESD21-C

Стандарт JESD21-C: Configurations for Solid State Memories поддерживается комитетом JEDEC JC41. Этот комитет состоит из членов от производителей микропроцессоров, ИС памяти, модулей памяти и других компонентов, а также от интеграторов компонентов, таких как производители видеокарт и персональных компьютеров. Стандарт 21 публикуется в формате папки с отрывными листами для частого обновления.

Документация современных модулей памяти, такая как стандарты для микросхем памяти и эталонный дизайн модуля, требует более ста страниц. Стандарты определяют физические и электрические характеристики модулей и включают данные для компьютерного моделирования модуля памяти, работающего в системе.

Модули памяти типа DDR2-SDRAM доступны для портативных, настольных и серверных компьютеров с широким выбором емкости и скорости доступа. Стандарты определяют форматы этикеток модулей памяти для рынков конечных пользователей. Например:

Емкость хранения

Словарь терминов JEDEC включает определения префиксов киби (Ki), mebi (Mi), гиби (Gi) и tebi (Ti) как степени двойки и килограмм, мега-, гига и тера как степени 10. Например,

2 40 tebi Ti tera + двоичный: (2 10 ) 4 = 1 099 511 627 776 тера: (10 3 ) 4

Стандарт JEDEC DDR3 SDRAM JESD-79-3d использует Мб и Гб для определения емкости двоичной памяти: « Цель этого стандарта - определить минимальный набор требований для JEDEC-совместимых 512 Мб - 8 Гб для x4, x8 и x16 DDR3. Устройства SDRAM ".

Любая программа на ПК использует для работы оперативную память, RAM. Ваша RAM работает на определённой скорости, заданной производителем, но несколько минут копания в BIOS могут вывести её за пределы стандартных спецификаций.

Да, скорость работы памяти имеет значение

Каждая запускаемая вами программа загружается в память с вашего SSD или жёсткого диска, скорость работы которых гораздо ниже, чем у памяти. После загрузки программа обычно остаётся в памяти некоторое время, и CPU получает к ней доступ по необходимости.

Улучшение скорости работы памяти может напрямую улучшить эффективность работы CPU в определённых ситуациях, хотя существует и точка насыщения, после которой CPU уже не в состоянии использовать память достаточно быстро. В повседневных задачах несколько дополнительных наносекунд не принесут вам особой пользы, но если вы занимаетесь обработкой больших массивов чисел, вам может помочь любое небольшое увеличение эффективности.

В играх скорость RAM может ощущаться гораздо сильнее. У каждого кадра есть только несколько миллисекунд на обработку кучи данных, поэтому если вы играете в игру, зависящую от скорости CPU (к примеру, CSGO), ускорение памяти может увеличить частоту кадров. Посмотрите на это измерение скорости от Linus Tech Tips:

Средняя частота кадров вырастает на несколько процентов с увеличением скорости RAM, когда большую часть работы делает CPU. Сильнее всего скорость памяти проявляется на минимальном показателе частоты; когда загрузка новой области или нового объекта должна произойти за один кадр, он будет прорисовываться дольше обычного, если будет ожидать загрузки данных в память. Это называется «микрозаикание», или «фриз», и игра может производить впечатление заторможенности даже при хороших показателях средней частоты кадров.

Разгонять память не страшно

Разгонять память совсем не так страшно, как разгонять CPU или GPU. Разгоняя CPU, вы должны следить за его охлаждением, за тем, справится ли охлаждение с увеличением частоты. Работать CPU или GPU могут гораздо громче, чем обычно [видимо, имеется в виду работа кулеров / прим. перев.].

Память не особенно перегревается, поэтому разгонять её довольно безопасно. Даже на нестабильных частотах худшее, что может произойти – это выявление ошибки при тесте на стабильность. Однако если вы проводите эти эксперименты на ноутбуке, вам нужно убедиться, что вы сможете очистить CMOS (восстановив настройки в BIOS по умолчанию), если что-то пойдёт не так.

Скорость, тайминги и CAS-латентность

Скорость работы памяти обычно измеряют в мегагерцах, МГц [так в оригинале; конечно, в герцах измеряют частоту, а частота влияет на скорость работы / прим. перев.]. Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду можно получить доступ в память), совпадающая с мерой скорости CPU. Стоковая частота DDR4 (современного типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. Однако на самом деле это немного маркетинг: DDR обозначает «удвоенную скорость данных», то есть что память читает и пишет дважды за один такт. Так что на самом деле её скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегатактов в секунду.

Но большая часть DDR4 RAM работает на 3000 МГц, 3400 МГц или выше – благодаря XMP (Extreme Memory Profile). XMP, по сути, позволяет памяти сообщить системе: «Да, я знаю, что DDR4 должна поддерживать частоту до 2666 МГц, но почему бы тебе не ускорить меня?» Это ускорение из коробки, предварительно настроенное, проверенное и готовое к запуску. Оно достигается на уровне железа, при помощи чипа на памяти под названием Serial Presence Detect (SPD), поэтому на одну планку может быть только один профиль XMP:

У каждой планки памяти есть несколько встроенных вариантов тактовой частоты; стоковый вариант использует ту же самую систему SPD под названием JEDEC. Любая частота, превышающая скорость JEDEC, считается разгоном – то есть, XMP получается просто профилем JEDEC, разогнанным на заводе.

Тайминги RAM и CAS-латентность – два разных способа измерять скорость памяти. Они измеряют задержку (то, насколько быстро RAM реагирует на запросы). CAS-латентность – это мера того, сколько тактов проходит между командой READ, отправленной в память, и получением процессором ответа. Её обычно обозначают «CL» и указывают после частоты памяти, например: 3200 Mhz CL16.

Она обычно связана со скоростью работы памяти – чем больше скорость, тем больше CAS-латентность. Но CAS-латентность – лишь один из множества разных таймингов и таймеров, с которыми работает RAM; все остальные обычно просто называются таймингами памяти. Чем меньше тайминги, тем быстрее будет ваша память. Если вам захочется подробнее узнать о каждом из таймингов, прочитайте руководство от Gamers Nexus.

XMP не будет делать всё за вас

Вы можете купить планку памяти от G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят сами чипы DDR4, лежащие в основе RAM. Они покупают чипы у фабрик, изготавливающих полупроводниковые устройства, что означает, что вся память на рынке происходит из небольшого количества главных точек: Samsung, Micron и Hynix.

Кроме того, модные планки памяти, которые помечаются как 4000 МГц и выше, и у которых заявлена низкая CAS-латентность, на самом деле не отличаются от «медленной» памяти, стоящей в два раза дешевле. Оба варианта используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, просто у одного из них золотистый радиатор, цветные огоньки и украшенный стразами верх (да, это реально можно купить).

Приходя с фабрики, чипы подвергаются проверкам при помощи процесса под названием «биннинг». И не вся память показывает наилучшие результаты. Некоторые чипы хорошо ведут себя на частотах 4000 МГц и выше с низкой CAS-латентностью, а некоторые не работают выше 3000 МГц. Это называется кремниевой лотереей, и именно она повышает цену на высокоскоростные планки.

Но заявленная скорость не обязательно ограничивает реальный потенциал вашей памяти. Скорость XMP – это просто рейтинг, гарантирующий, что планка памяти будет работать на указанной скорости 100% времени. Тут играют большую роль маркетинг и сегментация продуктов, чем ограничения RAM; никто не запрещает вашей памяти работать за пределами спецификаций, просто включить XMP легче, чем разгонять память самому.

Также XMP ограничен определённым набором таймингов. Согласно представителям Kingston, в памяти «настраиваются только ’основные’ тайминги (CL,RCD,RP,RAS)», и поскольку у SPD есть ограниченное место для хранения профилей XMP, всё остальное решает материнская плата, которая не всегда делает верный выбор. В моём случае материнка Asus в режиме «авто» установила очень странные значения некоторых таймингов. Моя планка памяти отказалась работать по умолчанию, пока я не исправил эти тайминги вручную.

Кроме того, биннинг на фабрике жёстко задаёт диапазон напряжения, в котором должна работать память. К примеру, фабрика протестирует память с напряжением в 1,35 В, не будет продолжать тест, если память не покажет максимальных результатов, и даст ей метку «3200 МГц», под которую попадает большинство планок. Но что, если запустить память с напряжением в 1,375 В? А 1,39 В? Эти цифры еще очень далеки от опасных для DDR4 напряжений, но даже небольшой прирост напряжения может помочь значительно увеличить частоту памяти.

Как разгонять память

Самое сложное в разгоне памяти – определить, какие частоты и тайминги нужно использовать, поскольку в BIOS есть более 30 различных настроек. К счастью, четыре из них считаются «основными» таймингами, и их можно подсчитать при помощи программы Ryzen DRAM Calculator. Она предназначена для систем на базе AMD, но будет работать и для пользователей Intel, поскольку в основном предназначена для расчётов таймингов памяти, а не CPU.

Эти тайминги можно сравнить с прописанными спецификации при помощи кнопки Compare timings – тогда вы увидите, что на безопасных настройках всё немножечко подкручено, а основная CAS-латентность уменьшена на быстрых настройках. Будут ли у вас работать быстрые настройки – вопрос удачи, поскольку это зависит от конкретной планки, но у вас, вероятно, получится заставить память работать с ними в безопасном диапазоне напряжений.

На момент написания обзора купить DDR5 память в России практически невозможно - полки магазинов абсолютно пусты. Мне повезло - российское представительство Kingston поделилось комплектом модулей оперативной памяти Kingston FURY Beast с эффективной частотой 4800 МТ/с. Обзор на оперативку можно прочитать тут, а в этом материале я расскажу, как разогнать оперативную память DDR5 с чипами Micron.

Первое, что нужно знать - какая у вас оперативная память. Практически все экземпляры оперативки с частотами XMP 4800, 5200 и 5400 построены на базе Micron Rev A, но некоторые модули прячут под радиаторами чипы производства SK Hynix. Точно определить, кто является производителем чипов на вашей оперативке поможет гугл, QVL-листы производителей материнских плат и таблица XMP 3.0 сертификации Intel. Разгон модулей оперативной памяти различается в зависимости от производителя IC, а так как я успел разогнать и протестировать только оперативку от Micron - сегодня мы сконцентрируемся на ней.

Разные производители материнских плат по-разному обзывают напряжения и тайминги, прячут их в разные подменю. В этом гайде разгонять будем на примере материнской платы ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO, обзор которой лежит тут. Вдаваться в подробности о том, как найти тот или иной пункт или перевести тот или иной тайминг на вашей материнской плате я не буду.

Конфигурация системы:

Процессор: Intel Core i9-12900K
Оперативная память: 32Gb Kingston Fury @ 4800 MT/s CL38
Материнская плата: ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO
Системный SSD: TeamGroup MP33 1TB
SSD с играми: Kingston KC2500 1TB
Охлаждение CPU DDR5: Arctic Liquid Freezer II-420
Блок питания: Seasonic FOCUS PX-750 Platinum
Корпус: Phanteks Eclipse P500A
Операционная система: Windows 11 Pro, 21H2
Видеокарта: ASUS ROG Strix LC RX 6800 XT OC/UV

Для тестирования стабильности будем использовать программу Testmem5. Нам будут интересны два конфига - usmus v3 для легкого тестирования, которое длится

35 минут, и тяжелый absolut для финальной верификации. За температурными показателями будем следить при помощи актуальной версии HwInfo64.

Алгоритм разгона оперативной памяти безумно прост: находим рабочую частоту и выставляем напряжение с запасом, меняем один тайминг, проверяем стабильность легким тестом, меняем второй, проверяем стабильность, стабилизировали группу таймингов, чтобы они выживали легкий тест - проверяем тяжелым тестом на несколько часов.

Фиксируем результат, сохраняем профиль разгона, переходим к следующей группе таймингов. По окончании начинаем понижать напряжения, пока не найдем нестабильность, повышаем его с запасом 10-15 милливольт. Разгон оперативки занимает много времени ввиду необходимости постоянно тестировать стабильность выставленных таймингов, отчего предупреждаю сразу - за день не управитесь.

Переходим к разгону

Во-первых, нам интересны 5 пунктов напряжения:

VDD на Микронах плохо скалируется выше 1.25v, VDDQ на микронах должен быть выше примерно на 0.05v. Стабильность напряжения ищем в первую очередь при помощи VDDQ. IMC напряжение для Микронов нужно высокое - выставляем 1.34v и забываем о нем, IVR просто копируем с VDDQ - думать не нужно. SA можно повышать до 1.35v безопасно, но Микроны столько не требуют - повышение напряжения VCCSA нужно только для разгона Hynix и Samsung.

Модули оперативной памяти DDR5 ОЧЕНЬ ГОРЯЧИЕ! Переезд PMIC на сами планки создает серьезный нагрев модуля, посему перед разгоном позаботьтесь о достаточном обдуве в регионе оперативной памяти внутри корпуса - подвиньте вентиляторы, чтобы они хорошо обдували память. Микроны теряют стабильность на температурах выше 61-63 °C по информации с внутренних датчиков, рекомендую держать температуры ниже 59 градусов.

Это правило важно соблюдать изначально, чтобы быть уверенным, что ошибки в тесте = результат настройки таймингов, а не перегрева планок!

На текущий момент не совсем понятно в чем различие между PMIC разных производителей - возможно они влияют на характеристики памяти и ее потенциал разгона, возможно не влияют. Так или иначе Микронов в природе существует два типа - фиговые и очень фиговые. Фиговые разгонять просто, очень фиговые доставляют много боли. Мне повезло с очень фиговыми модулями Микрон.

Очень фиговые модули Микрон разгоняются до 5400 МТ/с
Просто фиговые модули Микрон разгоняются до 5600 МТ/с
Разница между модулями

Пункт 1 - выставляем напряжения.

На этом этапе мы просто загружаем XMP профиль оперативки и переходим регулировать напряжения, выставляем рекомендуемые значения и начинаем короткий тест при помощи testmem5, фиксируем температуры памяти. Держится ниже 60 - хорошо, повышается - придумываем более прохладные условия работы, устанавливаем доп вентиляторы, открываем форточку и т.д. Убедившись, что память не перегревается и не создает проблем, переходим к следующему пункту.

Пункт 2 - определяем тип памяти.

На этом этапе мы выясняем, насколько нам не повезло, но для начала выставим пару необходимых настроек в подменю настройки памяти. Во-первых - MRC Fast Boot = Disabled, это заставит материнскую плату тренировать тайминги лучше и повысит шанс стабилизировать настройки. Во-вторых - во вкладке Training находим пункт RTL Training или Round Trip Latency Training = Enabled.

Стабилизировав частоту на 5600 МГц переходим к третьему пункту.

Если вам не повезло - XMP профиль на 5400 МГц просто не запустится. Поздравляю, вы - неудачник, переходим к 6 пункту.

Пункт 3 - первичные тайминги

Тестируем коротким тестом каждый тайминг, после этого все вместе тяжелым тестом. Стабильно - идем дальше.

Пункт 4 - вторичные тайминги

tRRD_sg = 4 или 6 или 8
tRRD_dg = 4, в редком случае 8

Выставляем пару, тестируем стабильность

tREFI = 65535 безопасно, выше микрон нестабилен в простое
TWR = варьируется сильно, от 12 до 22 с шагом в 1
tRTP = 8 или 10
tFAW = 16 или 32

Вместе с tWR, tFAW один из самых важных таймингов для повышения производительности

tCKE = 4, 8, если нестабильно, можно поднять до 14 или оставить в авто

tCKE мало влияет на производительность, но помогает стабилизировать некоторые другие тайминги

Следующие тайминги на материнских платах ASUS не трогаем - они выставляются через другие тайминги, на всех остальных материнках выставляем значения обоих таймингов сразу

Пункт 5 - третичные тайминги

Третичные тайминги мало влияют на производительность микронов, большинство можно не трогать, но есть некоторые особенности

tRDRD_SG = 12 или 14
tRDRD_sg = 8
tRDWR_sg = 18 или 20
tRDWR_dg = 18 или 20
tWRWR_sg = 28
tWRWR_dg = 8
tWRRD_sg = от 52 до 62 с шагом 2
tWRRD_dg = от 46 до 52 с шагом 2
tRDWR_dr = 15
tRDWR_dd = 15

DR и DD тайминги можно не трогать, или уменьшить чуть-чуть - в районе 11-15. На Z690 независимо от типа памяти - DDR4 или DDR5 DR=DD! Нельзя делать DR=7 и DD=1 - система будет нестабильна или вообще не запустится!

Проверяя стабильность DR и DD таймингов не забываем проверять скорость чтения через аиду - если неправильно выставили зависимость DD от DR - пропускная способность упадет на 20-40%!

Все остальное можно не трогать, выжать из микрона больше вряд ли получится.

Хорошенько проверяем большим тестом на несколько часов и переходим к 9 пункту.

Пункт 6 - я неудачник

Поздравляю, у вас абсолютно сумасшедший кит памяти, работа которого не поддается никакой логике.

Начнем с того, что сначала нужно запуститься на первичных таймингах, что сделать будет непросто.

tCL = 36 или 38. Нечетные тайминги пока не работают на Intel.
tRCD = 39 или 40.
tRP = 35 или 36
tRAS = 52 или 54

Выставляем все 4 тайминга сразу и молимся, что система запустится и ошибок в тесте не будет. Сразу проверяем тяжелым тестом и молимся, что все будет хорошо.

Если все плохо - двигаем тайминги на +1 или +2 вниз-вверх, стараясь найти стабильность. Логики в этом нет никакой, проблема сохраняется на разных материнских платах от разных производителей.

Не получается - выставляем все тайминги, которые видите в биосе как на этих скриншотах - это XMP 5400.

Попали в BIOS - отлично, после этого сбрасываем все, что заполнили и возвращаемся к началу этого пункта - выставляем тайминги заново, тестируем.

Нашли стабильность - идем дальше, не получилось? Продайте память на Авито дороже, чем купили.

Пункт 7 - вторичные тайминги

Здесь все еще хаотичные. Авто тайминг на 20 может работать, а как только ставишь его ручками - лови нестабильность. Как оно так работает решительно непонятно и ситуация сохраняется с памятью разных производителей, будь то G.Skill, Corsair, Kingston и остальные. Поэтому идем аккуратно - не получается ужать тайминг, не трогаем

tRRD_sg = 4 или 6 или 8
tRRD_dg = 4, в редком случае 8

Эти два тайминга трогаем в паре, у меня было стабильно на 4-4

У меня стабилизировалось на 360, можно идти шагами в 10 единиц

tREFI = 65535 безопасно, выше микрон нестабилен в простое

Ставим 65535 и не паримся - 90% что будет стабильно

TWR = варьируется сильно, от 12 до 22 с шагом в 1

TWR - первое большое препятствие на пути к высокой производительности, у меня получилось стабилизировать на отметке 22 - ниже никак.

Если нестабильно - лучше оставить в покое, авто не сильно выше

tFAW - второй неадекватный тайминг, пробуем стабилизировать от 16 с шагом в 4. Чем меньше tFAW, тем меньше будут задержки.

tCKE = 4, 8, если нестабильно, можно поднять до 14 или оставить в авто
tWCL = tCL-2, если нестабильно = tCL или tCL+2

Пункт 8 - третичные тайминги

В третичных таймингах нам интересны только две группы

tWRRD_sg = от 52 до 62 с шагом 2
tWRRD_dg = от 46 до 52 с шагом 2

tRDWR_dr = 15
tRDWR_dd = 15

Никакие другие тайминги не получается стабилизировать, даже если выставляешь их на то же значение, что и авто. Проблема ли это микрокода BIOS или памяти - решительно непонятно, но ситуация сохраняется со всеми обладателями хренового бина Micron Rev A.

Пункт 9 - фиксируем результаты

Зафиксировав результаты и подтвердив стабильность, наступает время понижать напряжение, пока не потеряем стабильность.

Начинаем с VDD, опускаем вниз до 1.25-1.26v и шагами в 0.05v ищем, пока не стабилизируется. Проверяем исключительно тяжелым тестом - при недостатке напряжения система будет зависать и перезагружаться. После этого переходим к VDDQ и так же, начиная с 1.3 поднимаемся наверх. Нашли стабильность - дайте немного больше напряжение, скажем 0.05v и фиксируйте отметку. Не забываем регулировать напряжение IVR, чтобы оно соответствовало новому VDDQ.

Напоследок можно опустить напряжение IMC, т.к. оно у нас сравнительно высокое, но у меня ниже не получилось.

У меня с хреновым бином Микронов получилось следующее:

Пункт 10 - нарушаем JEDEC

На этом пункте можно флексить, делиться своими таймингами и рассказывать друзьям, какие вы оверклокеры. Главное избегать особо одаренных граждан, которые на досуге читают документы JEDEC, анализируют тайминги и пишут рефераты об их зависимости и принципах работы памяти. Попадете на такого - мигом загнобит за то, что вы какой-нибудь тайминг некорректно выставили.

Не обращайте внимания. Стабильность есть? Есть. Производительность выросла? Выросла. FPS в играх выше? Выше. Вот и славно.

На этом сегодня все, а в следующем материале мы затронем “адаптивный” разгон новых процессоров Intel Core 12-го поколения, который позволит получить до 5.7 ГГц на одно-два ядра, оставаясь в комфортном термопакете и не перегружая его излишним напряжением. То, что нужно для повседневной работы.

Могу ли я столкнуться с проблемами, если на модуле памяти чипы расположены с двух сторон?

Можете, но речь скорее всего пойдет о проблемах, для знания которых необязательно быть специалистом. Просто у некоторых материнских плат разъемы под модули памяти (особенно это касается SIMM, которые часто еще и устанавливаются под наклоном) расположены так плотно, что воткнуть рядом два "толстых" модуля невозможно физически. К счастью, бывает это довольно редко. В FAQ-3 написано о некоторых других случаях проблем с форм-фактором.

Кроме того, есть определенная вероятность, что перед вами двухбанковый (см. предыдущий вопрос) модуль, который в свою очередь с определенной вероятностью может не заработать в достаточно старой системе, если речь идет о SIMM, или в некоторых новых, если это DIMM. Опять же, мог вам достаться и композитный (см. вопрос) модуль, но это встречается крайне редко. Если же ваша система не замечена в нежелании работать с двухбанковыми модулями, вряд ли модуль с двусторонним расположением чипов вызовет какие-то проблемы совместимости.

Как определить, является ли модуль JEDEC-совместимым?

Даже и не знаю. А зачем это собственно нужно? JEDEC применительно к модулям памяти - это стандарт, который, как ему и положено, описывает некий стандартный набор параметров. Единственный честный способ определить JEDEC-совместимость модуля - это аккуратно измерить все параметры, для чего, впрочем, потребуется очень серьезная лаборатория (к параметрам относятся, например, емкости на отдельных линиях, токи утечки и т.д., и это не считая параметров, относящихся к временным диаграммам, в том числе, например, углы наклона фронта сигнала).

Имеет смысл задаться вопросом, а зачем, собственно, вам требуется знать о JEDEC-совместимости? В подавляющем большинстве случаев ответ будет: "Потому что в мануале написано, что так должно быть. ". В действительности, чаще всего полная JEDEC-совместимость - условие слишком сильное. Большинство продаваемых "безымянных" модулей памяти полностью JEDEC не удовлетворяют (чаще всего в отношении PRD), что не мешает тем из них, которые не имеют "прочих" дефектов, работать опять же в большинстве систем. Кстати, маркированные модули (производства как major, так и крупнейших generic, ссылки на списки которых есть в вопросе, посвященном маркировке) обычно являются 100% JEDEC.

Иногда можно определить, что модуль является НЕ 100% JEDEC, по отсутствию PRD (см. об этом в отдельном вопросе) или наличию логической четности (см. вопрос). Однако, как уже было упомянуто выше, это не означает, что модуль неработоспособен (даже логическая четность не помешает ему нормально работать в устройстве без контроля таковой), хотя и не прибавляет ему достоинств.

Что такое "нестандартный" модуль памяти и по какой причине они применяются? Что делать, если мой компьютер расширяется именно такими модулями?

"нестандартный" (в понимании - не стандартный) - это модуль памяти, предназначенный и специально спроектированный для применения в конкретной системе или группе систем. Как правило, такие модули не описываются никакими стандартами, кроме спецификации производителя. Как следствие, нигде кроме вышеупомянутых систем они применены быть не могут, кроме того, расширить память этих систем стандартными модулями также невозможно. Чаще всего речь идет просто о необычном форм-факторе, реже - о нетрадиционной архитектуре (в таких случаях по внешнему виду модуля или разъема иногда может сложиться впечатление, что модули стандартные, что приводит к недоразумениям).

Причин, по которым используется такая память, несколько. К уважительным я бы отнес необычно жесткие требования к дизайну (речь о большинстве ноутбуков, реже - о мощных рабочих станциях) или применение еще не стандартизованной передовой технологии (это больше подходит для рабочих станций). Однако зачастую проектировщики систем под нестандартную память преследуют и другие цели, а именно - полностью контролировать каналы, по которым пользователь производит апгрейд, с целью извлечения дополнительной прибыли.

Самый естественный (хотя и далеко не самый дешевый) способ приобрести нестандартные модули для апгрейда - это обратиться к поставщику системы или представителю данного бранда. Если речь идет о не совсем древней модели, чаще всего это сработает. Альтернативный способ - приобрести память производства специализирующихся на нестандартных апгрейдах generic-производителей (см. их список, обратите особое внимание на on-line каталоги) напрямую или у дилера. Обычно это ощутимо дешевле и быстрее без какой-либо потери качества.

В ситуации, когда ваша система (это часто бывает с ноутбуками) изготовлена "безымянным" или вышедшим из бизнеса производителем, вероятность найти апгрейд очень низка. Тем не менее у вас есть шансы, особенно если ваш компьютер имеет brand-name аналог (очень многие безымянные ноутбуки являются полным аналогом brand-name - или наоборот, если это вам больше нравится). В любом случае - вооружитесь всей имеющейся в вашем распоряжении информацией о системе и модуле и обратитесь к специалисту.

Какой набор параметров полностью описывает стандартный модуль памяти?

Тип разъема (SIMM, DIMM);
Количество контактов;
Покрытие контактов;
Особенности форм-фактора (типа low-profile, реже актуально - двусторонний ли);
Режим работы (fast page, EDO, SDRAM);
Для SDRAM дополнительно - количество банков чипа (обычно упоминается как clock);
Емкость.
Ширина шины, в том числе число основных и дополнительных бит.
Другие особенности архитектуры (например, число RAS и CAS).
Время доступа или такта;
Глубина refresh;
Рабочее напряжение;
Наличие и тип буфера (регистра);
Количество банков модуля (один, два);

Бывают ли SIMM 72-пин EDO с четностью?

Да, хотя и относительно редко встречаются. Дело в том, что однобитные чипы EDO, а именно такие чипы используются в качестве чипов четности при ее традиционной организации, никогда и никем, насколько можно судить, не выпускались. По большому счету, EDO SIMM обычно применялись в системах без контроля четности, и определенная потребность в них возникла только с появлением чипсета 430HX, поддерживающего как EDO, так и контроль четности/ЕСС. Чипсет этот в общем-то тоже уже достояние истории, к тому же чаще всего он опять же применялся в настольных системах, где четность все же была неактуальна, так что до массового выпуска SIMM EDO с четностью дело не дошло.

Можно встретить две разновидности таких SIMM, чаще всего и те, и другие - это модули 16МВ и выше. Первая разновидность - EDO ECC SIMM x36 (см. вопрос об отличии обычных и ECC х36). Иногда можно встретить и "классическую" (4-CAS) разновидность таких модулей, однако собраны такие модули из чипов организации х3, что лично у меня вызывает серьезные подозрения в их (чипов) происхождении из отбраковки.

ОГЛАВЛЕНИЕ:

Данная вкладка описывает данные SPD - механизма, служащего для определения наличия и характеристик модулей памяти. Расшифровывается как serial presence detect, последовательное определения наличия. Слово последовательное указывает на тип используемой при этом шины, I2C - она как раз последовательная. Шина I2C включена в состав SMBus, разработанной Intel, потому если отключить в CPU-Z определение устройств на шине SMBus, то данные о SPD отображаться не будут. Если посмотреть на модуль памяти, то можно увидеть маленькую микросхему, отличную от чипов памяти, которая имеет восемь ног. Вот это и есть так называемая микросхема SPD. По сути же это обычная "флешка" - чип флеш-памяти по типу тех, что хранят в себе BIOS материнской платы и видеокарт (и другой разной периферии).

Почти все материнские платы выставляют тайминги и частоты исходя из данных SPD, поэтому ошибки в этих данных могут привести к тому, что система не сможет стартовать. Особенно часто проблемы возникают с модулями, рассчитанными на энтузиастов. Иногда частоты и тайминги, зашитые в SPD предназначены для использования на повышенном напряжении, что приводит к невозможности загрузиться на стандартном напряжении и нужно найти обычный модуль, выставить в BIOS нужное напряжение и уже тогда воткнуть исходные модули. Такая проблема была, как минимум, у Corsair. Другой пример - когда производитель пишет на наклейке частоты и тайминги и напряжение, при которых память можно эксплуатировать, но для того, чтобы загрузиться, прописывает в SPD безопасные частоты, сильно завышенные, или же завышенные тайминги. И тогда у новичков появляются вопросы, мол, почему купил память DDR2-1066, а она определяется как DDR2-800?

И теперь, собственно, данные, что мы можем видеть на данной вкладке. Первая группа, Memory Slot Selection:

поле со списком для выбора модуля. Позволяет выбрать модуль памяти, для которого отображается информация SPD.
справа находится поле с названием типа памяти, в нашем случае - DDR2.
Module Size - объём модуля в мегабайтах.
Max. Bandwith - максимальная пропускная способность. В данном случае, PC2 означает память DDR2, а число после этого означает максимальную пропускную способность в мегабайтах. В скобках подписана реальная частота шины DDR. Считается пропускная способность по формуле: Freq * 64 * 2 / 8, где 64 - ширина шины памяти в битах (у всех модулей SDRAM она равна 64 битам), 2 - означает технологию DDR, которая удваивает пропускную способность, а деление на 8 переводит биты в байты (в 1 байте 8 бит). Так, для DDR2-800 с реальной частотой 400МГц мы получим: 400*64*2/8=6400МБ/с, что и показывает CPU-Z.
Manufacturer - название производителя модуля памяти. Обычно не заполняется Noname (безымянными) производителями.
Part Number - номер партии. Аналогично, не заполняется Noname.
Serial Number - серийный номер модуля. Безымянные производители шьют одну прошивку, потому понятие серийности вообще не существует.
Correction - наличие у модуля коррекции ошибок. На обычной памяти не встречается, а отличить такой модуль легко по "лишнему" чипу памяти. Если у обычного модуля на одной стороне 4 или 8 чипов, то у такого - 5 или 9. Находится посередине. На некоторых модулях можно увидеть место на плате под этот чип.
Registered - наличие регистровой памяти. Энтузиастам интереса не представляет.
Buffered - наличие буферизованной памяти.Опять же, энтузиастам интереса не представляет.
SPD Ext. - наличие расширений SPD. SPD разрабатывается организацией JEDEC, занимающейся принятием стандартов в области памяти. Но компания NVIDIA предложила неиспользуемые стандартом байты (а их немало) задействовать для скоростных профилей, где не только будут прописывать основные и дополнительные тайминги, но и напряжение. Свой стандарт она назвала EPP - enhanced performance profile (профиль улучшенной производительности). Вслед за ней Intel добавила в свои чипсеты поддержку аналогичных профилей с названием XMP - extreme memory profile (экстремальный профиль памяти). Сделаны профили для новичков, которые не могут сами разогнать и выставить нужные настройки, потому энтузиастам они не рекомендуются. Модуль памяти поддерживает либо EPP, либо XMP, но дело тут не столько в том, что оба алгоритма используют смежные байты. Основная причина - конечно, политическая. Память должна получить благословение либо одной компании, либо другой, чтобы провозгласить поддержку профиля. Сделать поддержку обоих технически возможно, но одобрено это, конечно, не будет.
Week/Year - неделя и год выпуска.

Следующая группа - Timings Table - таблица таймингов для разных частот. Подписи столбцов обозначают номер таблицы, созданной по стандарту JEDEC, либо же профиль EPP/XMP, если таковой имеется.

Читайте также: