Когда вышла память ddr1
Обновлено: 02.07.2024
В Конце 2015 память стандарта DDR4 уже вовсю шагает по планете, но в данном ретро-обзоре хотелось бы вспомнить о самой первой памяти стандарта DDR1 или просто DDR-SDRAM.
реклама
Немного истории. Аббревиатура «DDR» или Double data rate переводится как - удвоенная скорость передачи данных, данный стандарт оперативной памяти пришел на смену SDRAM в 2000-м году. В 2001-м году у меня как раз появился мой второй ПК на базе CPU AMD Athlon XP 1700+ (Palomino) и материнской платы Gigabyte GA-7VTXH (VIA KT266A), который как раз использовал тогда самый передовой стандарт оперативной памяти DDR. Оперативной памяти в моем ПК тогда было установлено 128Mb одним модулем стандарта PC2100, другими словами, память работала на 266Mhz, что было в 2 раза больше в сравнении с частотой SDRAM равной 133Mhz. Max Payne вместе с GeForce2 GTS 32MB DDR тогда просто «летал» на таком конфиге =))
Далее прогресс не стоял на месте и за 6 лет частота DDR выросла в разы. Самым последним официально утверждённым стандартом DDR стал PC3200 или DDR400, где память работала на частоте 400Mhz. Данную память можно и сейчас в избытке встретить на барахолках. Все что выпускалось свыше 400Mhz, это личная инициатива производителей памяти. Скоростные модули памяти выпускали именитые производители, такие как OCZ, GEIL, G.Skill, Corsair и др. для компьютерных энтузиастов. Стоимость таких наборов была в несколько раз выше чем обычный DDR400.
MSI RTX 3070 сливают дешевле любой другой, это за копейки Дешевая 3070 Gigabyte Gaming - успей пока не началосьЗолотой век DDR пришелся на Socket 939, где доминировали материнские платы на базе чипсета NVIDIA nForce4, которые позволяли выставлять различные делители для памяти, гибко управлять опорной частой при этом шина PCI и PCI-E оставались при своих стандартных значениях. Разгон на Socket 939 был очень прост, удобен, гибок и приятен =) Не побоюсь сделать заявление, что лучшими материнскими платами на nForce4, да и на всем 939-м сокете, были платы производства DFI серии LanParty. Благодаря своим практически бесконечным возможностям они позволяли выжать все соки из процессора и оперативной памяти.
Чтобы освежить память, приведу таблицу стандартов и скоростей существующей DDR памяти.
реклама
var firedYa28 = false; window.addEventListener('load', () => < if(navigator.userAgent.indexOf("Chrome-Lighthouse") < window.yaContextCb.push(()=>< Ya.Context.AdvManager.render(< renderTo: 'yandex_rtb_R-A-630193-28', blockId: 'R-A-630193-28' >) >) >, 3000); > > >);
* - отмечены стандарты принятые JEDEC
Если взглянуть в нижнюю часть таблицы, то многие могут даже усомниться в существовании такой памяти. Если вернуться в 2006-й год, то средний разгон DDR400 был на уровне 430-440Mhz, обладатели планок с чипам Hynix D-43 могли надеяться на 500Мгц и чуть выше, а тем, кому досталась память на чипах Samsung TCCD могли покорять вершины из таблицы. Так как, именно память стандартов PC4400, PC4800, PC5000 и PC5600 основана именно на чипах Samsung TCCD, порою отобранных в ручную. А ручной труд, как известно ценится дороже, цена таких двухканальных комплектов 2х512Mb варьировалась в пределах 230-300$ в зависимости скоростной формулы и производителя.
Настало время перечислить и вспомнить те легендарные комплекты памяти, которые давали оверклокерам безграничную свободу и производительность. Я решил начать отсчет от DDR600, так как все что ниже достижимо, а вот дальше 300Mhz устремить шину Hyper Transport (HT) и заставить на этой же частоте работать оперативную память и сделать готовый конечный продукт уже не так просто.
реклама
На CeBIT 2005 можно было встретить много интересных новинок, включая суперскоростнуюю DDR600, но так же на выставке присутствовали и появляющиеся комплекты памяти следующего стандарта DDRII с частотой 800Mhz и даже выше. Вопрос лишь заключался в том, сможет ли DDR1 с таймингами и частотой ниже чем у DDRII соперничать с ней? Ближе к концу статьи я постараюсь ответить на данный вопрос.
А пока список модулей памяти DDR600+:
A-DATA Vitesta PC4800 DDR600 (3-5-5-9-1T/2T 2.8V);
реклама
OCZ EL DDR PC-4800 Dual Channel Platinum DDR600 (2,5-4-4-10 1T/2T 2,85V);
OCZ EL PC4800 Platinum Elite Edition (DDR600 2.5-4-4-10 /2T; DDR400 2-2-2-5 3.0V);
OCZ EL PC4800 Platinum Limited Edition (2,5-4-4-10-1T/2T 2.85-3.0V);
Patriot Extreme Performance PEP5124800+XBL DDR600 (DDR400 2-2-2-5; DDR600 2.5-4-4-8; 2.85V-2.9V);
G.Skill F1-4800DSU2-1GBFR DDR600 (2.5-4-4-8 1/2T 2.7-2.9V);
G. SKILL Extreme Series F1-4800DSU2-1GBFF DDR600 (2.5-4-4-8 1/2T 2.7-2.9V);
PNY Verto PC 4800 D21GPC48GMR DDR600 (2.5-4-4-8 1/2T 2.7-2.9V);
GeIL ONE PC4800 GOS1GB3200DC DDR600 (DDR400 1.5-2-2-5; DDR600 2.5-4-4-7 1T/2T 2.55-2.95V);
OCZ EL Platinum DFI nF4 Special OCZ6251024ELDCPE-K PC5000 DDR625 (3-4-4-10 2.85-3.0V);
Инженеры DFI принимали активное участие в разработке данного набора памяти.
Я думаю этот список Вас впечатлил, хотя я не претендую на его полноту. Если какие-либо комплекты от DDR600 и выше я пропустил, сообщите мне о них, и я добавлю их в общий список.
Я думаю многие заметили, что некоторые комплекты памяти имеют две скоростных формулы. Возьму для примера набор Patriot Extreme Performance PEP5124800+XBL DDR600 (DDR400 2-2-2-5; DDR600 2.5-4-4-8; 2.85V-2.9V). В скобках указано два режима работы основной DDR600 с таймингами 2.5-4-4-8 и дополнительный DDR400 2-2-2-5. Не каждая обычная память могла работать с частотой 400Mhz на самых минимальных таймингах 2-2-2-5, это мог позволить себе Winbond CH/BH5, которому Samsung TCCD пришел на смену. Но мы видим, что сами чипы Samsung TCCD имеют два очень полезных свойства: низкие тайминги и высокую частоту. Упоминание же о легендарных комплектах памяти на Winbond BH5 заслуживает отдельной статьи, а пока переходим к ретро-обзору двухканального комплекта 2х512Mb A-DATA Vitesta PC4800 DDR600.
Внешний вид упаковки.
Сами модули памяти.
Модули памяти в боевом режиме.
Информация SPD модуля памяти A-DATA Vitesta PC4800 DDR600.
Для тестирования производительности был собран следующий тестовый стенд:
- Двухканальный комплект памяти A-DATA Vitesta PC4800 DDR600 2х512Mb;
- Материнская плата DFI LanParty UT NF4 Ultra-D;
- Процессор AMD Athlon FX-60 2.6Ghz.
Производительность замерялась с помощью теста Super PI, и AIDA64 v.5.50.3600
Чтобы исключить влияние любого компонента PC на память, решено было тестировать все режимы работы памяти при частоте CPU = 2800Mhz.
FSB 233Mhz CPUx12=2800Mhz=DDR466 1T
FSB 280Mhz CPUx10=2800Mhz=DDR560 1T
FSB 311Mhz CPUx9=2800Mhz=DDR622 1T
FSB 350Mhz CPUx8=2800Mhz=DDR700 2T
Результаты Super Pi 1М:
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR466 (2.5-3-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR560 (2.5-4-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR622 (3-4-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR700 (3-5-4-5-7-2Т)
Как видно из диаграммы, для расчета числа Пи до 1-го Миллиона знаков после запятой память типа DDR600+ подходит как нельзя лучше, однако с ростом частоты приходится повышать и тайминги, что негативно сказывается на общей производительности. Тайминги на частотах свыше 625Mhz сравниваются с таковыми как у памяти стандарта DDRII. Но ведь мы не забываем, что до таких частот способна разогнаться не вся память. И есть еще более удачные комплекты памяти, которые способны на еще лучший результат.
Результаты чтения памяти в AIDA64 v.5.50.3600.
Ниже приведу результаты теста Cache and Memory Benchmark AIDA64.
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR466 (2.5-3-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR560 (2.5-4-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR622 (3-4-3-5-7-1Т)
AMD Athlon FX-60@2.8Ghbz DDR700 (3-5-4-5-7-2Т)
Заключение.
Компания A-DATA была первой компанией выпустившей модули памяти стандарта PC4800 или типа DDR600, данные модули памяти продемонстрировали отличную производительности и хороший разгонный потенциал. Чипы памяти производства Samsung TCCD способны еще на большее. Максимально возможная частота памяти DDR на данный момент равна 447.8MHz или DDR895. Данный результат принадлежит оверклокеру из Японии – Kotori, который использовал материнскую плату DFI LANParty UT nF4 SLI-DR Venus, процессор AMD Athlon 64 3800+ и планку памяти TeamGroup Xtreem PC4800 DDR600 на чипах Samsung TCCD, что в конечном итоге принесло ему успех.
Оперативная память, без неё не возможно представить современный смартфон и компьютер и кажется, что чем её больше, тем лучше.
В этой статье давайте пройдёмся по видам оперативной памяти DDR1. DDR5 и рассмотрим, что они означают.
Оперативная память, она же ОЗУ ( о перативное з апоминающее у стройство) позволяет электронному устройству, такому как смартфоны, планшеты и компьютеры кратковременно сохранять различные данные о программах и действиях пользователя, чтобы во время работы быстро осуществлять к ним доступ.
DDR (Double Data Rate) - переводится как " двойная скорость передачи данных" . Далее, после этих букв следует цифра, которая обозначает поколение оперативной памяти.
Такие характеристики вы можете встретить в описании к различным умным устройствам на сайтах магазинов электроники или на коробке купленного компьютера.
Поколения оперативной памяти
DDR - самое первое поколение данного вида памяти первоначально применялась в видеоплатах, позднее стала использоваться и на чипсетах. Работала такая память на частотах от 200 до 400 Мгц.
Сейчас данный вид памяти не используется в современных компьютерах, он не способен обрабатывать нужное количество данных и уже устарел.
DDR2 - вышел в 2004 году и стал новым поколением оперативной памяти данного типа.
Этот вид памяти предназначался для работы на современных компьютерах того времени и обладал более высоким быстродействием по сравнению с предыдущим поколением. Эффективная передача данных такой памяти могла составлять частоту до 1200 МГц.
DDR3 - следующее поколение памяти стала ещё лучше, производительность удвоилась, а энергопотребление стало гораздо ниже.
Этот вид памяти до сих пор активно используется производителями и широко применяется из-за дешевизны, особенно в бюджетных и среднебюджетных моделях ПК. Работает на частотах до 2400 МГц.
DDR4 - массовое производство началось с 2014 года. Пропускная способность данного вида памяти может составлять, в перспективе до 25,6 ГБ/сек, возможна работа на частоте до 3200 МГц.
В целом довольно сильно увеличилась скорость и надежность работы. Сейчас данное поколение памяти используется на дорогих моделях компьютеров среднебюджетных и флагманских.
Конечно, если выбирать на перспективу, лучше обратить внимание на это поколение памяти выбирая ноутбук или компьютер.
DDR5 - совершенно новый вид памяти. Стоит отметить недавнее событие, а именно, что компания Samsung в 2021 году представила модуль оперативной памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ.
Память обеспечивает производительность в два раза больше по сравнению с DDR4 и скорость до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с).
Пока в этой технологии компания оказалась первой и именно она, скорее всего, постепенно начнет внедрять такую память в свои новые электронные устройства.
Тема хранения информации была актуальна во все времена — начиная с рассвета человеческой цивилизации и по сей день. Свой авторский взгляд на историю средств хранения предлагает Джереми Кук, публикующий свои статьи на сайте EETimes.
В продолжение темы об эволюции цифровой памяти я подготовил что-то вроде слайд-шоу, иллюстрирующего этот прогресс. Полный обзор истории памяти – занятие слишком утомительное, поэтому я выбрал список того, что считаю в ней основным. Приглашаю всех высказывать свое мнение о подборке в комментариях.
Письменность
Источник: Университет Чикаго
Еще не электронная и даже не механическая, письменность сама по себе была невероятным открытием. Она позволила не только общаться людям, находящимся в разных местах, но и передавать знания из поколения в поколение. Согласно исследованиям университета Чикаго, письменность появилась около 3500 до н.э. и это событие стало «началом информационной революции». По-моему, лучше и не скажешь.
Перфокарты
Иллюстрация в журнале Scientific American от 30 августа 1890 г. Источник: Wikipedia
Перфокарты громко заявили о себе при переписи населения США 1890 года; машина, изобретенная Германом Холлеритом, обработала ее результаты в течение года – людям понадобилось бы на это в 10 раз больше времени. Идею для устройства подсказали кондукторы в поездах, компостировавшие билеты пассажиров; большое влияние оказали также машины французского ткача Жозефа-Мари Жаккарда, использовавшие перфоленту для управления ткацким процессом.
Триггер
Схема триггера из патента Екклеса и Джордана, 1918 г. Источник: Wikipedia
Триггер, изобретенный в 1918 году, дает нам подсказку, как работает современная компьютерная память. Эти старомодные громоздкие устройства, способные сохранять и изменять свое состояние, зависящее от внешнего электрического сигнала, принципиально не так далеки от того, как компьютеры работают сейчас.
MT4C1024 — интегрированный DRAM модуль производства Micron Technology. Источник: Wikipedia
DRAM (Dynamic random access memory, Динамическая память с произвольным доступом), изобретенная в 1966 году (не путать с древней монетой!), использовала конденсаторы для хранения информации. Заряженный конденсатор представлял собой единицу, разряженный – ноль. Упоминавшийся в названии термин «динамический» означал не функциональную особенность, а свойство конденсаторов со временем терять свой заряд, что вызывало необходимость в перезарядке.
SDRAM
Source: Royan/Wikipedia commons
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory, Синхронная динамическая память с произвольным доступом) имела ограниченное применение еще в 70-х, однако заявила о себе широко только в 1993. Ранее RAM изменяла свое состояние так быстро, как было возможно, чтобы принять данные, синхронная же DRAM использовала тактовый генератор компьютера для настройки процесса хранения. Это позволило разделить данные на отдельные банки для синхронного исполнения нескольких операций с памятью одновременно.
EPROM
Первый EPROM Intel, 1971 г. Источник: Wikipedia
Дов Фроман разработал стираемую программируемую память только для чтения (EPROM, Erasable Programmable Read Only Memory) в 1971 году в Intel. Она энергонезависима, то есть содержимое памяти не уничтожается при потере питания. Эти чипы программируются с помощью электрического тока, информация стирается путем облучения ультрафиолетовым светом.
Дисковод
EEPROM
Источник: Amit Bhawani
Электрически стираемая программируемая память только для чтения (EPROM, Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) появилась в 1978 году. Ее преимуществом по сравнению с EPROM стала возможность программирования и стирания данных во время использования. Имелось и одно существенное ограничение – в количестве циклов перепрограммирования. Однако в современных чипах количество циклов чтения-записи было значительно увеличено.
Жесткий диск
Источник: Ian Wilson/Wikipedia
Seagate произвел свой первый 5-дюймовый жесткий диск в 1980 году. С этого времени компоненты памяти начинают напоминать те, которые мы имеем сейчас, однако есть и нюансы. Скажем, в том же году IBM выпустила первый винчестер емкостью 1 Гб – он весил 550 кг.
Аудио CD
Флеш память
Чип слева — флеш память, справа — контроллер. Источник: Wikimedia Commons
Флеш память была изобретена в 80-х и представлена публике в 1988. Технически представляя собой разновидность EEPROM, флеш память существенно превосходит предшественников по скорости. Были разработаны две разновидности, основанные на логических вентилях NAND и NOR соответственно. Технология эксплуатируется по сегодняшний день, одним из наиболее ее распространенных примеров являются карты памяти Compact Flash.
DDR SDRAM
Источник: Toshiba
JDEC опубликовала стандарт UFS (Universal Flash Storage, Универсальный флеш-накопитель) в 2012 году и обновила его в сентябре 2013. В дополнение в функциям энергосбережения, эти чипы обеспечат дуплексную пропускную способность данных 300 Мбит/с. Будет интересно посмотреть, как этот тип памяти будет развиваться в будущем.
Трехмерная память
1 ТБ USB-носитель
Источник: HardwareZone
Как я уже отмечал ранее, Kingston в 2013 году выпустил терабайтный USB-носитель. До сих пор поражаюсь плотности данных в этом устройстве размером в несколько сантиметров.
Удивительно, как далеко зашел прогресс в области памяти. Неужели и в дальнейшем мы будем наблюдать столь гигантские прорывы?
1. Конденсаторы
Создателем первого компьютера в современном понимании этого слова принято считать немецкого инженера Конрада Цузе. Ещё в 30-е годы, работая в одиночку, он сумел спроектировать и построить в гостиной родительского дома устройство, способное автоматически выполнять различные вычисления по заданной программе. Машина, получившая название Z1, была электромеханической и потому не фигурирует в списках первых ЭВМ (электронных вычислительных машин). При этом она работала в двоичной системе счисления, как и современные компьютеры, а не в двоично-десятичной, как знаменитый ENIAC, созданный почти десятью годами позже.
Оперативная память Z1 была организована на конденсаторах, причём не покупных, а разработанных самим изобретателем. Конструкция, в которой чередовались слои стекла и металлические пластины, позволяла хранить 64 вещественных числа, каждое из которых состояло из 14 бит мантиссы и 8 бит, отводившихся под знак и порядок.
Стоит отметить, что эта вычислительная машина работала ненадёжно из-за низкой точности изготовления деталей, и последующие свои конструкции (Z2–Z4) Цузе создавал на базе выпускавшихся промышленностью телефонных реле.
В 1987–1989 гг. пожилой Цузе воссоздал компьютер Z1, утраченный во время войны, и теперь его рабочая копия выставлена в Немецком техническом музее. По ссылке доступна интерактивная панорама, позволяющая рассмотреть компьютер со всех сторон.
2. Электронные лампы
Первые ЭВМ, например, вышеупомянутый ENIAC или отечественная БЭСМ, использовали электронные лампы как для вычислений, так и для промежуточной записи команд и операндов. Чтобы хранить один бит данных, нужна была одна запоминающая ячейка (триггер), собранная на двух триодах. В ЭВМ ставили двойные триоды, у которых в одном баллоне размещались, по сути, две независимые электронные лампы, поэтому можно упрощённо говорить, что для хранения N бит информации требовалось N электронных ламп (без учёта обвязки).
Неудивительно, что эти машины имели огромный размер и потребляли колоссальное количество энергии. БЭСМ содержала около 4000 электронных ламп, а ENIAC — почти
18 000. Дело в том, что, в отличие от чисто двоичной БЭСМ, ENIAC использовал весьма своеобразную двоично-десятичную систему представления чисел. Младшие 5 битов в ней кодировали число от 0 до 4 в унитарной системе счисления (когда значение определяет номер позиции, на которой в коде стоит единица, — скажем, 01000 означает 3, а 00001 — 0), а два старших бита определяли определяли, нужно ли прибавлять к этому числу пятёрку (10 — да, 01 — нет).
В итоге запоминающая ячейка ENIAC всего лишь на одну десятичную цифру (правда, объединённая со счётчиком) выглядела вот так:
Запоминающая ячейка БЭСМ на 1 бит тоже особой компактностью не отличалась:
Хотя у меня есть подозрение, что подпись к этой фотографии из музея неверна, и на ней — тоже не просто запоминающая, а суммирующая ячейка. Дело в том, что у БЭСМ были и двухламповые ячейки, которые, скорее всего, как раз представляли собой просто триггеры. Но информации по ним я в интернете не нашёл, а запрос в музей ИТМиВТ остался без ответа.
Созданный в 1948 году, он оказался первым в мире электронным компьютером, построенным по принципу совместного хранения данных и программ в памяти (фон-неймановская архитектура). Также это была первая универсальная ЭВМ в Великобритании (созданный ранее компьютер Colossus, хотя и имел ограниченные возможности программирования, всё-таки предназначался для одной узкой задачи — взлома немецкого шифра Lorenz SZ).
В 1998 году с использованием оригинальных компонентов была построена реплика компьютера SSEM, которую теперь можно увидеть в Манчестерском музее науки и промышленности.
4. Декатроны
О компьютере, в котором использовалась такая память, у меня был отдельный пост. Это Harwell Dekatron, или WITCH, единственный компьютер первого поколения, сохранившийся до наших дней в рабочем состоянии. Он использует чисто десятичную систему счисления, и для хранения информации в нём используются декатроны — газоразрядные десятичные счётчики.
Поскольку разработчики компьютеров почти сразу отказались от десятичной системы счисления, оперативная память на декатронах быстро стала достоянием истории, хотя в других областях декатроны использовались ещё много лет.
5. Ртутные линии задержки.
Это, пожалуй, самая брутальная технология из всех, что будут рассмотрены в этом посте. Такую линию задержки можно представить себе как длинную заполненную ртутью колбу, на концах которой расположены пьезоэлементы — передатчик и приёмник. Передатчик возбуждает акустические колебания в ртути, и по ней бегут волны, как от камня, брошенного в воду. Когда колебания достигают приёмника, они усиливаются, при необходимости изменяются и вновь подаются на вход той же линии. Таким образом получается, что по линии задержки постоянно циркулирует пакет данных, представленный в виде цепочки волн. Память на линиях задержки не является дискретной и может хранить как цифровую, так и аналоговую информацию, что использовалось, например, в первых радарах.
Ртуть была выбрана благодаря тому, что её удельное акустическое сопротивление почти равно акустическому сопротивлению пьезокристаллов, а скорость распространения звуковых волн в ней выше, чем в других жидкостях.
Такая память была сложна в производстве, требовала тонкой настройки, представляла опасность в случае повреждения, нуждалась в системах поддержания постоянной температуры, а главное — предполагала только последовательный доступ (то есть приходилось ждать, пока на выходе линии задержки появится нужная информация). Почему же при таком огромном наборе недостатков её использовали? Всё дело в экономичности и надёжности. Одна ртутная линия задержки могла хранить несколько сотен бит информации (скажем, 576 бит в компьютере EDSAC). Чтобы реализовать такой же объём памяти на триггерах, понадобилось бы больше тысячи электронных ламп, которые занимали бы больше места и потребляли бы больше энергии, а главное — регулярно бы перегорали. Ртутные же линии, при всей их сложности, после грамотной настройки работали очень долго.
В 1953 г. оперативная память на ртутных трубках объёмом 1024 слова (по 39 бит в каждом) появилась и у отечественной БЭСМ.
6. Селектроны
Если трубка Уильямса и ртутные линии задержки считаются прототипами динамической памяти (DRAM), то следующее устройство можно назвать одним из прототипов статической памяти (SRAM).
Это — селектрон, особая электронная лампа, разработанная компанией RCA (кстати, под руководством небезызвестного В. К. Зворыкина) в конце 40-х — начале 50-х годов. На фоне памяти на триггерах, где одна электронная лампа была способна хранить в лучшем случае один бит данных, возможности этого устройства казались фантастическими: один селектрон мог иметь внутри матрицу ёмкостью до 4096 бит! Время доступа к информации при этом было на порядок меньше, чем у ртутной памяти (называлась цифра в 16 мкс).
Впечатление о компактности памяти на селектронах всё-таки немного обманчиво. Им требовалась довольно громоздкая обвязка, и на фотографии можно увидеть, как выглядело запоминающее устройство на 256-битных селектронах.
7. Магнитные барабаны
8. Ферритовые сердечники
Появление памяти на магнитных сердечниках, или ферритовой памяти, ознаменовало наступление новой эпохи. Идею такого ОЗУ предложил Джон Преспер Экерт (один из разработчиков ENIAC) в 1945 г., а первые практические реализации появились в начале 50-х. Патент на ферритовую память получили американские инженеры китайского происхождения Ван Ань и Во Вайдун в 1955 г.
Внешне память на магнитных сердечниках представляет собой матрицу из ферритовых элементов (обычно колец), пронизанных проволочками.
Для считывания информации используется третий провод, который змейкой проходит через все сердечники.
Вытеснила её уже привычная нам память на микросхемах, но это — уже совсем другая история.
Читайте также: