Статистика разгона памяти ddr3

Обновлено: 03.07.2024

Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.

Эффективная частота передачи данных

Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.

Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.

Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.

Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons

Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.

В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.

Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.

Тайминги

CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.

По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.

Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:

Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.

Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.

Напряжение

В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются Intel® XMP‑Ready: Extreme Memory Profiles for Intel® Core™ Processors, DDR2 DIMM / SODIMM такие значения:

DDR2 — 1,8 В;
DDR3 — 1,5 В;
DDR4 — 1,2 В.

Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:

DDR2 — 2,3 В;
DDR3 — 1,8 В;
DDR4 — 1,5 В.

При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.

Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.

Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.

Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.

Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.

Любую ли оперативную память можно разогнать

Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.

Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.

Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.

Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.

Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.

Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.

Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.

Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.

Почистите компьютер

Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.

Установите ПО

Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:

— пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год. — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом. — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии. — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel. — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память. — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.

Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.

Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.

Определите характеристики оперативной памяти

В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.

За пять лет эволюции DDR3-памяти вышло уже несколько поколений продуктов, нацеленных на энтузиастов, стремящихся добиться максимальной производительности. Перед тем как приступать к рассмотрению возможностей современных модулей, давайте вспомним, как происходила эта эволюция.

Чтобы было понятно, о чем речь, приведем базовые понятия.

• Частота работы памяти. Измеряется количеством тактов в секунду. Это основная характеристика, определяющая пропускную способность памяти.

• Тайминги. Проще говоря, это задержки, необходимые для выполнения той или иной операции. Формула основных таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate, где CL (Cas Latency) – минимальное количество тактов между подачей команды на чтение данных и непосредственно началом чтения данных. Если рассмотреть память как двумерный массив, то tRCD (RAS to CAS delay) – это минимальное количество тактов между подачей сигнала на выбор строки и сигнала на выбор столбца. tRP (Row Precharge) — минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. tRAS (Row Active Time) — минимальное время активности строки. Command Rate — минимальное время между подачей двух команд.

Чем выше частота работа памяти и чем ниже значения таймингов, тем производительнее память. Также стоит понять, что задержки измеряются в количестве необходимых для операции тактов, а частота работы есть не что иное, как количество тактов в секунду, т. е. при росте частоты временные значения таймингов уменьшаются. Именно поэтому повышение частоты сопряжено с необходимостью увеличивать значения таймингов.

А теперь о том, какие микросхемы были наиболее популярны в различные временные отрезки.

1. Изначально в продаже появилась память DDR3 на базе микросхем плотностью 512 Мбит, что давало объем 512 Мбайт для односторонних и 1 Гбайт для двусторонних модулей. Это было в 2008 г., и в основном энтузиасты ценили память на базе микросхем Micron D9GTR. Главное, что их отличало, – возможность работать с таймингами вида 6-5-5 при частотах вплоть до 1800 МГц или 7-6-6 при частотах вплоть до 2 ГГц. Кроме того, к особенностям можно отнести линейную зависимость результатов разгона от используемых напряжений, которые поднимались вплоть до значений 2,2--2,3 В. Данные микросхемы отошли на второй план с появлением платформы LGA 1156, где высокие напряжения питания памяти были критичными и могли приводить к деградации процессоров.

3. 2011 г. ознаменовался началом массового выпуска памяти на базе микросхем плотностью 2 Мбит. Наиболее популярными стали модули, имеющие объем 4 Гбайт. Здесь выбор микросхем невелик, наиболее распространенной стала продукция производства Samsung и Hynix. В способностях использовать агрессивные значения таймингов данная память уступает микросхемам плотностью 1 Мбит, но превосходит их в умении работать на высоких частотах. Кроме того, особенностью этой памяти является работоспособность при низких напряжениях. В общем, микросхемы Samsung предпочтительнее в диапазоне частот до 2400 МГц, в то время как на микросхемах Hynix уже встречается память, штатно функционирующая на частоте 2800 МГц. Один из таких комплектов даже будет участвовать в данном тестировании. А еще среди модулей объемом 4 Гбайт следует отметить микросхемы Micron D9PFJ, способные разгоняться на уровне старых D9GTR. Причем для хорошего разгона требуется напряжение питания около 2 В. Также данная память независимо от таймингов «упирается» в частоту 2150--2200 МГц. В настоящее время начинают появляться микросхемы плотностью 4 Мбит, однако они пока не отличаются высоким частотным потенциалом.

В нашем тестировании будут участвовать четыре современных комплекта высокочастотной памяти, а именно два 2-Гбайт Kingmax Hercules Nano DDR3-2400 на базе микросхем Powerchip, два 4-Гбайт G.Skill Trident X DDR3-2400, два 4-Гбайт Corsair Dominator GT DDR3-2133 на основе микросхем Samsung и два 2-Гбайт Kingston HyperX DDR3-2800, построенных на микросхемах Hynix.

Тестовый стенд и методика тестирования

Для изучения частотного потенциала были выбраны платформа AM3+, системная плата Asus M5A99X Evo и процессор AMD FX-8150. Как выяснилось в процессе тестирования, максимальная частота работы памяти, доступная связке «системная плата — процессор», оказалась на уровне 2637 МГц. Это недотягивает до максимальных способностей комплекта Kingston, но все же перекрывает весь диапазон «потребительских» частот, достижимых с процессорами, не подвергающимися селекции.

Проверка частотного потенциала производилась для трех значений напряжения питания: 1,5 В – стандартное значение напряжения питания памяти, установленное спецификациями JEDEC; 1,65 В – значение напряжения большинства «оверклокерских» комплектов памяти; и 1,8 В – значение, близкое к предельно допустимому для современной памяти типа DDR3. В качестве теста стабильности был применен Prime95 в режиме Blend, наиболее быстро выявляющий нестабильность в работе ОЗУ. Проверка на стабильность производилась в течение 5--10 мин.

Kingmax FLLE85F-B8KJ9A FEIS

Данный комплект не имеет радиаторов системы охлаждения, однако, по заверениям Kingmax, на микросхемах используется специальное напыление, существенно улучшающее отвод тепла. Верить производителю или нет, вопрос спорный. На мой взгляд, достаточно одного факта – на модулях имеются наклейки с характеристиками, которые перекрывают сразу по три микросхемы. Следовательно, тепло от них не отводится вовсе. Однако микросхемы Powerchip горячим нравом не отличаются, и если не «жарить» их напряжениями 1,8 В+, то и проблем возникать не должно.

Как видно на графике, в комплект Kingmax попали не слишком удачные микросхемы, иначе говоря, просто не повезло. Если оценивать разгон по CL, то показатели в целом неплохие, ведь в итоге с CL7 удалось достичь частоты работы памяти 2360 МГц. В то же время комплект оказался неудачным по значению TRCD и еще более неудачным по значению TRP, что показали результаты при таймингах вида 7-10-8, 7-11-8 и 7-11-9. Интересно отметить, что при таймингах вида 7-11-7 и напряжении питания 1,65 В частота стабильной работы составляет всего 1967 МГц, в то время как Windows можно загрузить и при частоте работы памяти 2400 МГц. Реакция на недостаточное значение TRP проявляется в полной мере. Также показателен режим 7-10-8, демонстрирующий, что память не любит высоких напряжений, когда разгон ограничивается значением TRCD.

Kingston KHX2800C12D3T1K2/4GX

Эта память оснащена высокими радиаторами, и хотя микросхемы расположены лишь с одной стороны модуля, они закрывают модуль с обеих сторон.

Если учитывать холодный характер современной памяти, то такие радиаторы представляют собой, скорее, декоративное решение, способное привести к проблемам совместимости с крупными процессорными охладителями. Используются микросхемы производства Hynix, которые, в отличие от Powerchip, ведут себя куда более предсказуемо и логично. Для наиболее полного раскрытия частотного потенциала памяти на микросхемах Hynix используется формула таймингов вида X (X+2) (X+1), т. е. когда TRCD завышен относительно CL на две единицы, а TRP — на одну. Кроме того, одной из особенностей памяти, основанной на микросхемах Hynix, является слабый отклик на увеличение напряжения питания свыше 1,65 В.

Результаты разгона для микросхем Hynix неплохие, комплект относительно удачный. Об этом свидетельствует возможность работать при таймингах 9-11-10 на частотах вплоть до 2312 МГц. При таймингах вида 12-14-13 и выше ограничивает разгон связка «процессор — системная плата».

G.Skill F3-2400C10D-8GTX

Как и в случае с модулями Kingston, комплект G.Skill, несмотря на низкое тепловыделение микросхем, оснащен высокими радиаторами.

Используются микросхемы Samsung, максимально предсказуемые при разгоне, как и в случае с Hynix. Они имеют оптимальные формулы таймингов. Но, в отличие от Hynix, для микросхем Samsung используется две различные формулы таймингов: X (X+1) (X+1), оптимальные при низких напряжениях, и X (X+2) (X+2), оптимальные при высоких.

Как видно из графика, в диапазоне частот 2000--2500 МГц более предпочтительна память на базе микросхем компании Samsung, нежели на микросхемах Hynix, поскольку она позволяет достигать тех же частот при меньших значениях таймингов, особенно если рассматривать режимы работы с низкими напряжениями. А вот после 2500 МГц память на микросхемах Samsung уже не слишком хороша. Дальнейшее увеличение таймингов не привело бы к значительному росту частотного потенциала, даже если бы разгон не сдерживался используемой платформой. Помимо того, следует отметить наличие запаса по частоте, превышающего 100 МГц, при использовании штатных характеристик (10-12-12, 1,65 В), что является редкостью для «оверклокерской» памяти.

Corsair CMT8GX3M2B2133C9

Если у Kingston и G.Skill все же имеются высокие радиаторы, то в Corsair пошли еще дальше, обеспечив модули памяти активным охлаждением с омощью

Понятно, что пользы от этого никакой (особенно с учетом штатного напряжения памяти в 1,5 В), зато внешний вид модулей самый грозный. К слову, о внешнем виде. На этикетке с характеристиками указана формула таймингов 9-11-9, хотя в XMP-профиле написана формула 9-11-10. Разумеется, при 2133 МГц и 9-11-9 память даже не стартует. Как и в случае с комплектом G.Skill, используются микросхемы Samsung, так что от модулей можно ожидать схожего поведения.

Тестирование производительности

Для исследования производительности мы использовали следующие тесты: wPrime 1.55 (режимы 32M и 1024М), Super Pi 1.5 (режим 1M), WinRar (встроенный тест производительности), 7-Zip (встроенный тест производительности), Cinebench R10 (тест CPU), Cinebench R11.5 (тест CPU) и тесты памяти из программного комплекса Aida64.

Базовые настройки системы:

частота работы процессора — 4503 МГц (19x237), контроллера памяти — 2607 МГц.

Тестирование производилось для частот работы памяти 2528, 2212 и 1896 МГц при минимально доступных для каждого из комплектов памяти таймингах. Показатели комплектов Corsair и G.Skill объединены, ибо результаты их разгона практически идентичны. Память Kingmax тестировалась только при частотах 2212 и 1896 МГц, поскольку работать при частоте 2528 МГц не способна.

По результатам измерений производительности прежде всего выделяется комплект Kingmax. Несмотря на свое невезение с одним конкретным модулем, он лидирует в большинстве тестов. Память на базе микросхем Samsung и Hynix показала приблизительно одинаковые результаты. Однако следует отметить провал комплекта Kingston в тесте производительности WinRar. Это, скорее всего, было обусловлено односторонней компоновкой модулей с восемью микросхемами, а не с шестнадцатью, как у всех остальных участников тестирования.

Еще несколько лет назад высокочастотная оперативная память давала слабый прирост производительности в рабочих приложениях и, тем более, компьютерных играх. Но с выходом процессоров AMD Ryzen, а также шести и восьмиядерных Intel Core, ситуация кардинально изменилась. Теперь высокая пропускная способность и низкая задержка памяти являются одними из важнейших характеристик ПК. Добиться этого можно двумя противоположными способами: попытаться вручную разогнать дешевую низкочастотную оперативку (это всегда лотерея) или же сразу приобрести отборную высокочастотную и разогнать ее еще сильнее.

Насколько важна высокая частота памяти?

Для дешевых процессоров Celeron и Pentium относительно дорогая высокочастотная память не только неуместна по цене, но и бесполезна по производительности. Встроенный в процы Intel контроллер памяти сравнительно непривередлив и обеспечивает низкую латентность (задержки). Как результат, для двухъядерных Celeron и Pentium предостаточно даже низкочастотной оперативки (ОЗУ) — если не 2133, то 2400 МГц уж точно.

Другое дело — старшие процессоры Intel (в меньшей степени Core i3, i5, в большей — i7, i9) и все AMD Ryzen. Чем больше ядер, тем большая пропускная способность памяти (ПСП) требуется. Контроллер памяти процов AMD менее совершенен, чем у Intel, поэтому сильнее зависим от высокой частоты. Самыми же чувствительными к частоте ОЗУ являются APU AMD: модели Ryzen 3 2200G, Ryzen 5 2400G и Athlon 200GE. В их случае шина памяти делится не только между процессорными ядрами, но и мощной интегрированной графикой Vega.

Установка парного количества модулей ОЗУ (два или четыре) активирует двухканальный режим работы, что дает больший прирост ПСП, чем высокая частота в одноканале. Поэтому если бюджет ограничен, то разумнее приобрести две низкочастотные планки памяти половинного объема, нежели одну высокочастотную. К тому же, готовые наборы памяти из двух или четырех модулей сделаны из одинаковых чипов памяти (производитель, техпроцесс, коэффициент утечек тока), благодаря чему как правило лучше разгоняются, чем планки, купленные по отдельности в разное время.

Высокий частотный потенциал, низкопрофильный радиатор, пять вариантов окраса, нет назойливой подсветки. Одинаковые тайминги для всех частот (можно снизить вручную).

IRDM X — старшая серия «геймерской» оперативной памяти польского бренда Goodram (компания Wilk Elektronik), включающая как отдельные модули объемом 4, 8 и 16 ГБ, так и наборы из двух планок с частотой от 2666 до 3200 МГц. Планки с базовыми частотами 2133 и 2400 МГц вынесены в младшую серию IRDM без суффикса «Х», но с тем же дизайном.

«Геймерской» нынче называют память, которую раньше называли «оверклокерской» — с высоким частотным потенциалом (и как результат, высокой производительностью, в том числе в играх) и металлическими радиаторами, выполняющими как охладительную, сколько декоративную функцию. Просто эпитет «геймерская» сейчас более узнаваемый, нежели «оверклокерская».

Радиаторы IRDM X предусмотрительно сделаны толстостенными (это вам не алюминиевая фольга, как у самых дешевых планок ОЗУ), но низкопрофильными, дабы не мешать установке массивных башенных процессорных кулеров. На выбор доступно пять вариантов окраса: черный, красный, синий, белый и «рябой» (сочетание белого, серого и красного а-ля зимний камуфляж). Именно последний вариант выглядит наиболее оригинальным. Светодиодной подсветки, о чудо, нет и это прямо-таки находка на фоне повсеместного засилья RGB.

Конфигурация тестового стенда

процессор AMD Ryzen 3 Raven Ridge 2200G BOX ;
кулер Enermax ETS-T40F-RF ;
видеокарта — встроенная Vega 8;
материнская плата Biostar B450MH Ver. 6.x Цена от 4 358 до 5 486 р. ;
оперативная память GOODRAM IRDM X DDR4 1x8Gb IR-XR3000D464L16S/8G ;
твердотельный накопитель GOODRAM PX400 SSDPR-PX400-256 256 ГБ ;
жесткий диск Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 Цена от 3 840 до 4 500 р. ;
блок питания Seasonic FOCUS PX FOCUS PX-650 Цена от 13 030 до 13 830 р. ;
корпус NZXT H500i красный .

Инструкция по разгону

В отличие от разгона процессора, где нужно всего лишь найти баланс между частотой и напряжением питания, процесс оверклокинга памяти немного сложнее, ведь предстоит найти точку эквилибриума уже между тремя параметрами: частотой, напряжением и таймингами. Этих самых таймингов, к слову, целых пять штук, и это не считая еще больше десятка субтаймингов, которые, впрочем, обычно не трогают, оставляя стандартными.

И так, чтобы приступить к разгону оперативки нужно перезагрузить ПК и нажать клавишу Delete, после чего вы попадете в меню BIOS. Оверклокерская функциональность доступна на материнках на чипсетах AMD B350, B450 и выше, а также Intel Z270, Z370 и Z390. На младших чипсетах разгонять ни память, ни процессор, ни интегрированную графику, к сожалению, нельзя.

Способов разгона ОЗУ существует три: автоматический разгон путем активации вшитого в память профиля настроек XMP; ручное повышение частоты, пусть и с вынужденным повышением задержек; и ручное снижение таймингов при неизменной частоте. Самым простым, само собой, является первый способ — авторазгон. Именно поэтому имеет смысл купить заведомо высокочастотную память, как Goodram IRDM X 3000 МГц, и сэкономить время на ручной подбор параметров. Впрочем, и здесь могут быть нюансы.

Дело в том, что некоторые материнские платы, как например наша Biostar B450MH, не умеет выставлять промежуточные частоты памяти. Так, она поддерживает 2400, 2666, 2933 и 3200 МГц, но не поддерживает 2800 и 3000 (а у нашей памяти как раз такая). По этой причине воспользоваться XMP-профилем Goodram IRDM X не удалось. Но как говорится, все что случается — к лучшему: путем ручной настройки частоту памяти удалось повысить до 3200 МГц.

Измерить прирост пропускной способности памяти до и после разгона можно с помощью приложения AIDA64 (доступна бесплатная пробная версия), выбрав пункт меню «Сервис – Тест кэша и памяти». Так, разгон с базовых 2666 МГц до 3200 МГц повысил скорость чтения, записи и копирования ОЗУ с примерно 35 до 45 ГБ/с, то есть на 28 процентов. Латентность же снизилась с 84 до 74 наносекунд, то есть на 13 процентов. В той же самой AIDA64 («Сервис – Тест стабильности системы») можно и нужно хорошенько прогреть ПК после разгона, чтобы убедится в его беспроблемности. Если тест выдает ошибку, либо компьютер зависает или перезагружается, попробуйте слегка (на 0.05 В) повысить напряжение или поднять тайминги.

Выводы

Как вы смогли убедиться, разгон оперативной памяти — не самый простой процесс (если конечно память не с изначально высокой XMP-частотой), но прирост производительности от него явно стоит потраченного времени. Бояться не стоит, ничего точно не сломается, ведь современные компьютерные компоненты хорошо защищены от «кривизны» рук пользователя и в случае чрезмерного вмешательства уходят в кратковременную защиту, после чего сбрасывают настройки на стандартные. Если у вас процессор AMD Ryzen или Intel Core и материнка с подходящим для оверклокинга чипсетом. то обязательно попробуйте. Ну а владельцам APU AMD с мощной встроенной графикой разгон памяти, как говорится, сам доктор прописал.

Разгон оперативной памяти часто не менее важен, чем оверклокинг процессора. Но для успеха этого мероприятия нужна соответствующая оперативная память. И сегодня мы расскажем, какие модули памяти больше всего подходят для разгона.

Мало кого можно удивить новостями об очередном рекордном разгоне процессора, добравшегося до некогда недостижимой тактовой частоты. Почти все знают и о том, что производительность процессора сильно зависит от его частоты. Однако многие пользователи даже не задумываются о том, что оперативную память тоже можно разогнать.

В некоторых случаях увеличение тактовой частоты оперативки сможет поднять производительность системы настолько же эффективно, как и разгон процессора. А особенно заметно это скажется как раз на играх, FPS которых вполне ощутимо подрастет.

Как разогнать оперативную память

Есть несколько способов разгона оперативной памяти — ручной и автоматический. Для работы с последним из них созданы специальные профили XMP (Extreme Memory Profile) с предварительно настроенными и протестированными параметрами разгона. От пользователей понадобится лишь выбрать нужный профиль, все остальное система сделает самостоятельно.

Если же ваша оперативка не поддерживает XMP, или вы хотите добиться лучшего результата, чем предусматривают профили, то вы вполне можете попробовать разогнать оперативную память вручную. Все манипуляции с ручным разгоном производятся в BIOS. Хотя сами параметры разгона можно попробовать подобрать с помощью всевозможных программ. Например, для системы на базе процессоров Ryzen — это DRAM Calculator for Ryzen.

Читайте также: