Truddr4 что это за память
Обновлено: 04.07.2024
Оверклокерам, геймерам и создателям контента на заметку — обзор комплектов оперативной памяти. Сегодня на тесте Onlíner комплекты оперативной памяти DDR4 на 16 гигабайт. Модели из Каталога. Судя по соотношению отзывов, прямо по классике — чемпион, претендент и новичок. Тем не менее на практике составим собственное мнение. Но и теорию постараемся не забыть.
Технические характеристики и особенности, внешний вид, конструкция
На официальных сайтах производителей данные комплекты заявлены высокопроизводительными решениями для геймеров, оверклокеров и создателей контента. В поддержку этого говорит броский дизайн всех устройств, их радиаторный обвес, ну и встроенный в каждом XMP-профиль.
Технические характеристики приведены в таблице. Их немного.
Параметры со звездочкой означают тот факт, что приведенные значения проверены и официально рекомендованы производителями. Но раз уж модели позиционируются как память для оверклокинга, то с этими параметрами мы еще поэкспериментируем.
Что по внешнему виду? Субъективно — сразу выделяется G.Skill Trident Z, очевидна наибольшая «заморочка» по дизайну. Шлифованный металл, форма пластиковой вставки, четыре цвета в оформлении, «колючие» изрезы радиаторов — такая память явно запомнится.
Следующий в рейтинге Crucial Ballistix. Красный, дерзкий, эдакий вагон-контейнер из космического будущего. Призван доставлять скорость.
Ну и более скромные планки GEIL Orion. Черные радиаторы и пластиковая вставка, «хромовый» логотип, красно-белые надписи.
По конструкции. Под массивные и, кажется, намертво приклеенные радиаторы G.Skill заглянуть не удалось. А вот у Crucial и GEIL с этим проще: видны все восемь микросхем памяти.
Еще стоит отметить следующее. Все планки не низкопрофильные, да еще и с радиаторами — в нашем случае ни одна из них не встала в слот памяти DIMM_A1 рядом с системой охлаждения процессора. Это следует учитывать. В смежных же слотах память соседствует без проблем, разве что в случае с G.Skill воздушного зазора между планками нет.
Первый запуск, активация XMP-профилей
Вся оперативная память тестируемых брендов предоставлена импортером компьютерных комплектующих ООО «Надежная Техника», устанавливалась и тестировалась в кастомном компьютере MINSKKING Film Handmade.
Конфигурация стенда:
- процессор: Intel Core i5-10600KF;
- материнская плата: ASUS TUF GAMING Z490-Plus;
- видеокарта: Palit GeForce RTX 3060 Ti Dual OC 8 ГБ;
- накопитель: M.2 SSD WD Blue SN550 1 ТБ;
- блок питания: SilverStone ST65F-PT;
- ОС: Windows 10.
Итак, запуск. Кто-то знает, кто-то подзабыл, что в каждой планке памяти аппаратно зашиты несколько вариантов (профилей) параметров, с которыми в зависимости от конфигурации системы стартует и работает ОЗУ. Называются эти профили JEDEC, нумеруются цифрами. В случае с памятью G.Skill, например, имеем следующую картину.
По полученной информации уже можно попытаться дать прогноз производительности комплектов. Понятно, идеальная оперативная память — память с максимальной частотой и минимальными таймингами. Отсюда и теория, что оценить память можно, разделив скорость на первый тайминг tCL (CAS Latency). Дескать, чем больше полученное значение, тем лучше. Однако, копнув глубже, выясняется, что делить вернее на тайминг, не масштабируемый с напряжением, а это не tCL, а следующий в очереди tRCD. (Если углубиться еще и включить режим зануды, то окажется, что сравнивать так корректно лишь память с одинаковыми чипами.)
Все же проделываем в уме математические действия с полученными как стоковыми, так и XMP-значениями. Результат почти одинаков. Тем не менее поставим на Cruсial. Во-первых, все-таки максимальная частота на заводских настройках из трех подопытных, а во-вторых, вспоминаем, что Crucial Technology — торговая марка Micron Technology, производителя чипов памяти.
Для более подробного изучения комплектов запускаем утилиту Thaiphoon Burner.
Видим, что ОЗУ от G.Skill и GEIL выполнены на чипах Samsung, а память Crucial — на чипах Micron. Во всех случаях объем каждой планки набран восемью чипами по 1 ГБ, а сама память имеет одноранговую организацию. Также убеждаемся и в наличии везде заявленного XMP-профиля.
Оценим прирост производительности, который дает активация этого профиля. Воспользуемся тестом Cache & Memory Benchmark утилиты AIDA64.
Разработчики теста предупреждают, что замеры производительности в процессах чтения и записи не отражают типичные рабочие нагрузки приложений, а вот результат при копировании дает лучшее понимание влияния архитектуры ЦП и подсистемы памяти на те самые нагрузки приложений (типичные рабочие).
В целом результат все равно очевиден: прирост производительности при активации XMP-профиля в каждом комплекте составил 42—49% у G.Skill и GEIL и 19—21% у Crucial.
Попытки разгона
Из этой статьи вы узнаете, какими же преимуществами обладают «мозги» нового поколения, и как полученные изменения повлияют на производительность памяти. Однако для начала — небольшой экскурс в историю.
Начало новой эпохи, эпохи DDR4
О стандарте SDRAM и модулях памяти
Первые модули SDRAM появились еще в 1993 году. Их выпустила компания Samsung. А уже к 2000 году память SDRAM за счет производственных мощностей корейского гиганта полностью вытеснила с рынка стандарт DRAM.
Аббревиатура SDRAM расшифровывается как Synchronous Dynamic Random Access Memory. Дословно это можно перевести как «синхронная динамическая память с произвольным доступом». Поясним значение каждой характеристики. Динамической память является потому, что в силу малой емкости конденсаторов она постоянно требует обновления. К слову, кроме динамической, также существует и статическая память, которая не требует постоянного обновления данных (SRAM). SRAM, например, лежит в основе кэш-памяти. Помимо динамической, память также является синхронной, в отличие от асинхронной DRAM. Синхронность заключается в том, что память выполняет каждую операцию известное число времени (или тактов). Например, при запросе каких-либо данных контроллер памяти точно знает, сколько времени они будут до него добираться. Свойство синхронности позволяет управлять потоком данных и выстраивать их в очередь. Ну и пару слов о «памяти с произвольным доступом» (RAM). Это означает, что единовременно можно получить доступ к любой ячейке по ее адресу на чтение или запись, причем всегда за одно и то же время вне зависимости от расположения.
Модуль памяти SDRAM
Если говорить непосредственно о конструкции памяти, то ее ячейками являются конденсаторы. Если заряд в конденсаторе есть, то процессор расценивает его как логическую единицу. Если заряда нет — как логический ноль. Такие ячейки памяти имеют плоскую структуру, а адрес каждой из них определяется как номер строки и столбца таблицы.
В каждом чипе находится несколько независимых массивов памяти, которые представляют собой таблицы. Их называют банками. В единицу времени можно работать только с одной ячейкой в банке, однако существует возможность работы сразу с несколькими банками. Записываемая информация необязательно должна храниться в одном массиве. Зачастую она разбивается на несколько частей и записывается в разные банки, причем процессор продолжает считать эти данные единым целым. Такой способ записи называется interleaving. В теории, чем больше в памяти таких банков, тем лучше. На практике модули с плотностью до 64 Мбит имеют два банка. С плотностью от 64 Мбит до 1 Гбит — четыре, а с плотностью 1 Гбит и выше — уже восемь.
Что такое банк памяти
И несколько слов о строении модуля памяти. Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Как правило, в продаже можно встретить устройства, выполненные в форм-факторах DIMM (Dual In-line Memory Module) или SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module). Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Например, решение SDRAM имеет 144 пина для подключения к материнской плате, DDR — 184, DDR2 — 214 пинов, DDR3 — 240, а DDR4 — уже 288 штук. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров. Например, модуль памяти DDR4 SO-DIMM подключается к «материнке» за счет 256 пинов.
Модуль DDR (внизу) имеет больше пинов, чем SDRAM (вверху)
Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью (или, проще говоря, объемом). К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит. Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит. Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. При этом нужно отметить, что также существуют 72-битные модули памяти, в которых «лишние» 8 бит отведены для технологии коррекции ошибок ECC (Error Checking & Correction). Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти. То есть, если шина модуля памяти является 64-битной и на планке распаяно восемь чипов, то ширина шины памяти каждого чипа равна 64/8=8 бит.
Чтобы рассчитать теоретическую пропускную способность модуля памяти, можно воспользоваться следующей формулой: A * 64/8=ПС, где «А» — это скорость передачи данных, а «ПС» — искомая пропускная способность. В качестве примера можно взять модуль памяти типа DDR3 с частотой 2400 МГц. В таком случае пропускная способность будет равняться 2400 * 64/8=19200 Мбайт/с. Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200.
Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку (Row), а уже затем считывается информация из нужного столбца (Column). Информация считывается в так называемый усилитель (Sense Amplifiers) — механизм подзарядки конденсаторов. В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных (Burst) с каждого бита шины. Соответственно, при записи каждые 64 бита (8 байт) делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных (Burst Length). Если эта длина равна 8, то за один раз передается сразу 8 * 64=512 бит.
Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация (Memory Organization). Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Например, чип с плотностью 512 Мбит и разрядностью (шириной) 4 имеет глубину чипа 512/4=128М. В свою очередь, 128М=32М * 4 банка. 32М — это матрица, содержащая 16000 строк и 2000 столбцов. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность.
На маркировке без труда можно найти значения таймингов
Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги (задержки). В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше. Самыми важными являются следующие задержки:
- TRCD (RAS to CAS Delay) — время, которое необходимо для активации строки банка. Минимальное время между командой активации и командой чтения/записи;
- CL (CAS Latency) — время между подачей команды чтения и началом передачи данных;
- TRAS (Active to Precharge) — время активности строки. Минимальное время между активацией строки и командой закрытия строки;
- TRP (Row Precharge) — время, необходимое для закрытия строки;
- TRC (Row Cycle time, Activate to Activate/Refresh time) — время между активацией строк одного и того же банка;
- TRPD (Active bank A to Active bank B) — время между командами активации для разных банков;
- TWR (Write Recovery time) — время между окончанием записи и подачей команды закрытия строки банка;
- TWTR (Internal Write to Read Command Delay) — время между окончанием записи и командой чтения.
Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Например, при параметрах 11-13-13-31 тайминг CL равен 11, TRCD и TRP — 13, а TRAS — 31 такту.
Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR.1
Пришествие DDR
Разработка стандарта DDR (Double Data Rate) началась еще в 1996 году и закончилась официальной презентацией в июне 2000 года. С приходом DDR уходящую в прошлое память SDRAM стали называть попросту SDR. Чем же стандарт DDR отличается от SDR?
После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея. Поэтому в ассоциации производителей JEDEC пошли иным путем. Было решено вдвое увеличить шину внутри чипа, а передачу данных осуществлять также на вдвое повышенной частоте. Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Отсюда и берет свое начало аббревиатура DDR — Double Data Rate.
Модуль памяти DDR производства Kingston
С приходом стандарта DDR появились такие понятия, как реальная и эффективная частота памяти. К примеру, многие модули памяти DDR работали на скорости 200 МГц. Эта частота называется реальной. Но из-за того, что передача данных осуществлялась по обоим фронтам тактового сигнала, производители в маркетинговых целях умножали эту цифру на 2 и получали якобы эффективную частоту 400 МГц, которую и указывали в маркировке (в данном случае — DDR-400). При этом в спецификациях JEDEC указано, что использовать термин «мегагерц» для характеристики уровня производительности памяти и вовсе некорректно! Вместо него необходимо использовать «миллионы передач в секунду через один выход данных». Однако маркетинг — дело серьезное, указанные в стандарте JEDEC рекомендации мало кому были интересны. Поэтому новый термин так и не прижился.
Четыре модуля памяти работают в двухканальном режиме
Еще одним нововведением в DDR стало наличие сигнала QDS. Он располагается на печатной плате вместе с линиями данных. QDS был полезен при использовании двух и более модулей памяти. В таком случае данные приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до них. Это создает проблемы при выборе синхросигнала для считывания данных, которые успешно решает как раз QDS.
Как уже говорилось выше, модули памяти DDR выполнялись в форм-факторах DIMM и SO-DIMM. В случае DIMM количество пинов составляло 184 штуки. Для того чтобы модули DDR и SDRAM были физически несовместимы, у решений DDR ключ (разрез в области контактной площадки) располагался в ином месте. Кроме этого, модули памяти DDR работали с напряжением 2,5 В, тогда как устройства SDRAM использовали напряжение 3,3 В. Соответственно, DDR обладала меньшим энергопотреблением и тепловыделением в сравнении с предшественником. Максимальная частота модулей DDR составляла 350 МГц (DDR-700), хотя спецификациями JEDEC предусматривалась лишь частота 200 МГц (DDR-400).
Память DDR2 и DDR3
Первые модули типа DDR2 появились в продаже во втором квартале 2003 года. В сравнении с DDR, оперативная память второго поколения не получила существенных изменений. DDR2 использовала всю ту же архитектуру 2 n -prefetch. Если раньше внутренняя шина данных была вдвое больше, чем внешняя, то теперь она стала шире в четыре раза. При этом возросшую производительность чипа стали передавать по внешней шине с удвоенной частотой. Именно частотой, но не удвоенной скоростью передачи. В итоге мы получили, что если у DDR-400 чип работал на реальной частоте 200 МГц, то в случае DDR2-400 он функционировал со скоростью 100 МГц, но с вдвое большей внутренней шиной.
Также DDR2-модули получили большее количество контактов для присоединения к материнской плате, а ключ был перенесен в другое место для физической несовместимости с планками SDRAM и DDR. Вновь было снижено рабочее напряжение. Если модули DDR работали при напряжении 2,5 В, то решения DDR2 функционировали при разности потенциалов 1,8 В.
По большому счету, на этом все отличия DDR2 от DDR заканчиваются. Первое время модули DDR2 в отрицательную сторону отличались высокими задержками, из-за чего проигрывали в производительности планкам DDR с одинаковой частотой. Однако вскоре ситуация вернулась на круги своя: производители снижали задержки и выпускали более быстрые наборы оперативной памяти. Максимальная частота DDR2 достигала отметки эффективных 1300 МГц.
Различное положение ключа у модулей DDR, DDR2 и DDR3
Конечно, чипы DDR3 получили поддержку некоторых новых технологий: например, автоматическую калибровку сигнала и динамическое терминирование сигналов. Однако в целом все изменения носят преимущественно количественный характер.
DDR4 — очередная эволюция
Наконец, мы добрались до совершенно новой памяти типа DDR4. Ассоциация JEDEC начала разработку стандарта еще в 2005 году, однако лишь весной этого года первые устройства появились в продаже. Как говорится в пресс-релизе JEDEC, при разработке инженеры пытались достичь наибольшей производительности и надежности, увеличив при этом энергоэффективность новых модулей. Что ж, такое мы слышим каждый раз. Давайте посмотрим, какие конкретно изменения получила память DDR4 в сравнении с DDR3.
Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.
Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.
Основные характеристики оперативной памяти
Итак, давайте для начала определимся с тем, какая вообще оперативная память есть на рынке и чем планки могут отличаться друг от друга. Если отбросить в сторону бренды и цены, то обращать внимание имеет смысл на следующие нюансы: производителя самих чипов памяти, наличие или отсутствие у неё XMP и пассивного охлаждения в виде радиатора, на ранговость, на требуемое для работы напряжение и на частоту с таймингами. В этот список можно было бы включить заодно и стандарт памяти (DDR3 или DDR4), но поскольку речь идёт об актуальных на 2021 год компьютерах, то вариант всего один: DDR4. DDR3 уже отжила свой век. Ну что же, все основные характеристики перед нами — подробнее разберём каждую из них.
Производитель чипов памяти
При выборе планки можно вообще не обращать внимание на изготовителя той или иной модели оперативной памяти. На этикетке может быть указана, например, HyperX, но эта компания не имеет своих мощностей по производству памяти. Фирма просто закупает чипы, припаивает их к печатной плате, придумывает дизайн и наклеивает сверху свой лейбл.
На что реально нужно смотреть, так это на чипы памяти, которые, как правило, скрыты от любопытных глаз. Скажем, Samsung B-Die (Samsung — производитель, B-Die — компоновка кристалла) — это лучшее, что есть на сегодняшний день. А ешё есть Nania, Spectek и Elpida, которые уже не очень. Проблема вот в чём: никто из производителей вам, конечно, не скажет, что из перечисленного стоит под красивым радиатором. Чтобы это выяснить, придётся копать форумы или читать отзывы на крупных торговых площадках. Также можно воспользоваться программой Thaiphoon Burner, но это так себе решение, поскольку предполагает то, что память уже у вас на руках. Тем не менее, вариант вполне рабочий при покупке б/у модулей.
Ещё есть сайт B-Die Finder: с его помощью можно отыскать практически все существующие модули памяти на базе чипов Samsung B-Die. Опытные пользователи, конечно, и по косвенным признакам могут догадаться, что стоит «под капотом» того или иного модуля. Скажем, память с частотой 3200 МГц и CL таймингом 14 — это абсолютно точно Samsung B-Die. А вот два с виду одинаковых модуля с частотой 3600 Мгц и CL 16 могут быть сделаны как Samsung, так и Hynix (Это уже намного лучше, чем Elpida, Spectek и Nania, но все еще не Samsung B-Die или, например, Micron E-Die).
Xtreme Memory Profile, или XMP
Xtreme Memory Profile — профиль настроек, которые сохраняются в SPD-модуле оперативной памяти. Он представляет из себя определённые частоты и тайминги, на которых должен функционировать модуль после успешной активации XMP в BIOS. И это, кстати, стоит учитывать: покупка модулей с поддержкой XMP ещё не значит, что она сразу же будет работать на заявленных частотах. Без активации профиля память запустится на базовой для DDR4 частоте — 2133 МГц.
Словом, XMP — это заводской разгон памяти, не требующий от пользователя ничего, кроме пары кликов мышкой. Однако есть нюанс, которого стоит опасаться. XMP — это не всегда гарант стабильности: нередки случаи, когда после активации профиля заводского разгона компьютер попросту не запускается. В 99,9% случаев эту проблему можно решить, однако это уже требует знаний, поскольку придётся вручную устанавливать все необходимые напряжения, частоты и тайминги. Что делать, если у вас этих знаний нет или вы попросту не хотите этим заниматься? Обращаться к QVL.
QVL, или Qualified Vendors List (квалифицированный список поставщиков) — это список протестированных на конкретной материнской плате модулей оперативной памяти с указанием всех частот, напряжений и таймингов. Если выбранная вами память есть в QVL интересующей вас материнки, смело приобретайте. QVL для нужной платы находится легко: заходите на официальную страничку материнской платы, ищете разделы Support или Downloads и там находите что-то вроде Memory Support List.
Тут же ответим на весьма популярный вопрос: «Что делать, если я хочу купить память с XMP 4400 МГц CL 17, она есть в QVL моей материнской платы, но на официальном сайте Intel (или AMD) указана поддержка лишь 2133 МГц?»
Корни этой проблемы кроются в неверной трактовке спецификаций процессоров. Те 2133 МГц, что вы видите, — всего лишь на 100% гарантированная частота модулей оперативной памяти, с которыми ваш процессор запустится обязательно. Это вовсе не означает, что встроенный в ЦП контроллер памяти не в состоянии работать с более высокими частотами. У Intel все процессоры Core, начиная с 6-го и заканчивая 10-м поколением, способны работать с комплектами оперативки, частоты которых лежат далеко за пределами 4 ГГц. В 11-м поколении (из-за изменений по части контроллера) поддерживаемые частоты существенно снизились, но это всё ещё внушительные 3733-3800 МГц. Примерно тот же предел и у современных процессоров AMD Ryzen, но в крайне редких случаях он может достигать 4000 МГц.
Радиаторы. Нужны или нет?
Нужна ли модулям памяти система пассивного охлаждения? И да, и нет. Всё зависит от нескольких факторов.
Если речь идёт о низкочастотной оперативке (в пределах от DDR4-2133 МГц до DDR4-3000 МГц) с низким напряжением до 1,35 В, то никакой радиатор не потребуется. А вот если вы планируете эту память разгонять или речь идёт об изначально высокочастотных модулях, работающих на напряжениях от 1,35 В, то радиатор и его обдув холодным воздухом строго необходимы. Без этих условий работать память, конечно, будет, но нестабильно. Синие экраны (BSOD), внезапные перезагрузки и вылеты приложений на рабочий стол — вот к чему ведёт её перегрев.
Ранг оперативной памяти
Память в основном бывает одноранговой и двухранговой (крайне редко встречается память с четырьмя рангами). В Сети ходит миф о том, что двухранговая память работает якобы быстрее, чем одноранговая (на одинаковых частотах), однако это не совсем так. Всё дело во второстепенных таймингах. Но мы сейчас не будем углубляться в теорию того, что они из себя представляют. Главное, что нужно понять: если вы не планируете вручную настраивать оперативку, лучше выбирать два ранга (как правило, это модули, у которых чипы памяти распаяны с двух сторон печатной платы, но бывают и исключения). Если же вы можете вручную выставить агрессивные второстепенные тайминги, то никакой разницы между одноранговой и двухранговой памятью не будет (или же разница составит 0,5-1%).
Куда важнее обращать внимание на канальность памяти. Никогда не покупайте в пару к современному процессору один модуль оперативки: так вы вынудите ЦП работать с памятью в одноканальном режиме, и это существенно снизит общую производительность вашего ПК. Всегда берите два модуля.
Но можно ли ставить больше: например, четыре или восемь?
Да, можно. Однако следует понимать, что процессор, рассчитанный на работу с двумя каналами памяти (Dual Channel), не будет работать в четырёхканальном режиме, даже если вы установите четыре модуля. Для активации четырёхканального режима (Quad Channel) необходим ЦП, поддерживающий его. Как правило, такие процессоры принадлежат к высшей (HEDT) ценовой категории либо к серверным решениям (десктопные Intel Core X и серверные Xeon от Intel, а так же Ryzen Threadripper наряду с серверными EPYC у AMD). То, со сколькими каналами памяти может работать непосредственно ваш процессор, уточняйте в официальных спецификациях изготовителя.
Частоты и тайминги
О том, что, такое частоты и тайминги, мы в подробностях расскажем в отдельном материале, о котором упоминали в начале этой статьи. Сейчас же обойдёмся общими положениями.
Итак, за правило можно взять одно: чем выше частота оперативки и чем ниже её тайминги, тем лучше. Например, если вы видите перед собой два комплекта памяти, один на 3200 МГц с таймингами 14-14-14-14-34 и второй на 3600 МГц с такими же таймингами, выбирать всегда следует второй. Однако такие высокоскоростные решения, как правило, не слишком привлекают своими ценами, и в реальной жизни приходится идти на компромиссы. Тогда наши рекомендации таковы: выбирайте комплекты на 3000 МГц с CL таймингом 15 и комплекты на 3200 МГц с CL таймингом 16. Это не самое быстрое решение, что можно найти на рынке, но далеко и не самое медленное — некий оптимум, идеально подходящий для любого современного процессора. Да, с такой памятью вы не выжмете из своего ЦП всех соков в плане производительности (а именно он и выигрывает от роста эффективности работы памяти), но и много не потеряете. Причём последнее касается не только производительности, но и денег.
Но ни в коем случае не покупайте в пару к современным процессорам память с частотой от 2133 до 2666 МГц, если хотите получить от них достойную производительность. Сегодняшние ЦП эффективны и упираются не столько в вычислительную мощность своих ядер, сколько в подсистему памяти. Именно по этой причине следующие поколения процессоров от Intel и AMD работать будут уже с DDR5. Ну а такая низкочастотная память, как в примерах выше, просто замедлит работу вашего ЦП до неприличия — она годится только для установки в ПК, предназначенные для решения лёгких офисных задач.
5 лучших планок оперативной памяти
Итак, какую оперативную память советуем мы сами? Разумеется, любая память, какую бы вы ни купили, будет нормально работать в вашей системе. Другое дело — разгонный потенциал модулей: качественные чипы охотно реагируют на повышение напряжения и позволяют наращивать частоту, сохраняя низкие задержки (тайминги). В отдельных случаях (если память попалась отборная) вполне реален рост частот с попутным уменьшением таймингов.
Так вот: выбирать заведомо медленную память, которая практически никак не разгоняется, не стоит. Даже если вы не хотите настраивать память сразу после покупки, всё равно лучше выбрать модель с хорошим потенциалом, чтобы к моменту появления у вас такого желания результат не заставил себя ждать. В связи с этим мы не советуем выбирать модули, собранные на базе чипов от Hynix, Nania, Elpida и Spectek. Если первые (Hynix) ещё худо-бедно разгоняются, хоть и с неизбежным и чаще всего значительным повышением таймингов, то чипы от остальных производителей попросту ужасны.
Что же тогда выбрать? Память с чипами производства Samsung (выпускается как и самой Samsung, так и целым рядом сторонних производителей) и Micron (выпускается компанией Crucial и сторонними вендорами). Особенно интересен второй вариант, поскольку чипы Micron умеют 80% от того, что умеют B-Die, но при этом обходятся куда дешевле. Ну и вот краткий список того, что мы готовы рекомендовать:
- Samsung 4 ГБ DDR4, 2666 МГц CL19, M378A5244CB0-CTD (4000 рублей за комплект 2х 4 ГБ). Бюджетная память с неприглядным зелёным текстолитом без радиаторов. Дешёвая, но неплохо разгоняется. Берёт 3200 МГц CL 16 при напряжении 1,4 В.
- 8 ГБ DDR4 3200 CL16 Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4B (8000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Недорогой вариант от Crucial на базе их фирменных чипов Micron E-Die. Шикарная память, которая, повторимся, может 80% того, что умеют чипы Samsung B-Die. Разница только в том, насколько сильно можно зажать tRCDRD, tRC и tRFC. Как правило, спокойно покоряет 3600 МГц CL 14 при напряжении 1,45 В.
- 8ГБ DDR4 3000 CL15 Crucial BallistixBL2K8G30C15U4B (7500 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Абсолютно такая же память с таким же разгонным потенциалом, но чуть дешевле и с чуть более медленным XMP.
8ГБ DDR4 Patriot Memory VIPER 4 BLACKOUT 4000MHz CL19 PVB416G400C9K (10000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Память на базе чипов Samsung B-Die, но низкого биннинга (биннинг — процесс, при котором завод-изготовитель сортирует выпущенные чипы памяти по качеству: выше качество — выше потенциал). Гарантированный результат — 4000 МГц CL 17.
G.Skill Trident Z RGB 3200 МГц CL 14 (16000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)
G.Skill Ripjaws V 3200 МГц CL 14 (14000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).
G.Skill Flare X 3200 МГц CL 14 (13000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).
G.Skill Trident Z Neo 3600 МГц CL 14 (19000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)
Все эти G.Skill — комплекты, собранные на одних и тех же чипах Samsung B-Die, но уже высокого биннинга (самые отборные чипы, как правило, попадают в модули G.Skill Trident Z Neo). Все предложенные модули — рекордсмены разгона, спокойно работающие при напряжениях до 1,6 В. Гарантированно берут 3600 МГц CL14, 3733 МГц CL 14, 3800 МГц CL 15, 4000 МГц CL 16 и выше. Если повезёт с экземпляром (высочайший биннинг), можно даже рассчитывать на что-то вроде 4000 МГц CL 14. Кроме того, любой из предложенных выше комплектов позволит зажать абсолютно все второстепенные тайминги до минимума.
Постскриптум
Важный момент, на который стоит обращать внимание при активации XMP абсолютно любой оперативной памяти. Почти все материнские платы (неважно, Intel у вас или AMD) при активации профиля заводского разгона завышают требуемое напряжение на встроенный в процессор контроллер памяти. В некоторых случаях такое завышение приводит к выводу контроллера памяти из строя. Чтобы избежать этого, следует зайти в BIOS вашей материнки (обычно это осуществляется за счёт нажатия клавиш Del или F2 во время старта компьютера) и вручную выставить следующие параметры:
- Для процессоров Intel с 6-го по 10-е поколение:
- VCCIO — 1,15 – 1,25 В
- VCCSA — 1,15 – 1,35 В
- Для процессоров AMD Ryzen:
- VSOC — 1,1 – 1,2 В
***
Будьте внимательны, выбирайте хорошую и быструю память. Удачи в покорении высоких частот и новых вершин производительности — и до встречи на Игромании!
Модель x3650 M5 содержит множество примочек в своей 2U оболочке и способна решать широкий круг задач. Удалённое управление и развёртывание ОС, конечно, требуют улучшений, но Lenovo не откажется так просто от такого универсального стоечного сервера.
![]()
IBM хоть и продала серверный бизнес компании Lenovo, выпуск пятого поколения серверов System x из-за этого отменён не будет. Единственное, что на данный момент изменилось после продажи, так это название компании, указываемое на сервере. А теперь – поподробнее о новой системе x3650 M5.
Модель M5 следует традиции IBM «плати по мере увеличения потребностей», так что пользователи, покупая новый сервер, могут начать с минимальной комплектации, а затем апгрейдить его по желанию. Наряду с поддержкой процессоров Intel E5-2600 v3 Xeon, M5 существенно улучшил внутреннее хранилище, а платформа IBM Trusted Platform Assurance обеспечивает ещё большую безопасность.
Сервер будет поддерживать до 1.5 Тб оперативной памяти TruDDR4, а что касается 64 Гб LR-DIMM планок, то они станут доступны чуть позже в этом году. Эффективность энергопотребления будет повышена, что, разумеется, придётся по вкусу центрам обработки данных, т.к. теперь сервер будет стабильно работать и при 40°C.
Новый дизайн увеличивает возможности расширения за счёт поддержки 9 карт PCI-Express.
Объёмы хранимой информации увеличиваются
С новой моделью IBM предлагает просто невероятное количество опций хранения данных, так что для начала стоит уделить некоторое время их изучению. Сервер поддерживает до 26 винчестеров малого форм-фактора, что, конечно, хорошо, но бесконечное число RAID опций всё-таки слегка пугает.
Стартовая комплектация – это система со встроенным не-RAID 6 Гб/с SATA контроллером, поддерживающая 8 дисков, но с возможностью установки дополнительно 3 кейсов с винчестерами и добавления до 4 карт ServeRAID 12 Гб/с SAS RAID. Передняя панель имеет такой же дизайн «8+8+8» как и HP DL380 Gen9 c 2 дополнительными винчестерами малого форм-фактора, устанавливаемыми на заднюю панель.
Что касается дисков большого форм-фактора, то здесь расположение такое: 12 – спереди и 2 дополнительных – сзади. Для конфигураций с большей плотностью потребуется расширяющий пакет IBM SAS, а карты ServeRAID нужно будет апгрейдить для активации поддержки RAID5 и RAID6.
А что внутри?
Внутреннее устройство сервера предлагает богатые возможности по расширению – 9 PCI-Express слотов, что на три слота больше, чем в модели DL380 Gen9. Два вертикальных PCI-e слота расположены между парой 3-слотовых расширителей, а последний, девятый слот расположился на установленной горизонтально ServeRAID карте.
4 больших кулера в x3650 M5 были заменены на шесть модулей «горячего подключения» со сдвоенными роторами. Система направляемого охлаждения IBM разбивает их на две зоны, комбинируя с 750-ваттным титановым блоком питания, что позволяет серверу работать при более высоких температурах окружающей среды.
Что касается памяти IBM TruDDR4, то здесь также не обошлось без некоторых усовершенствований. Используя встроенную подпись, сервер сможет идентифицировать отдельные планки, а это, как заявляет IBM, в конфигурации «две RDIMM на канал» ускорит работу на 12% в сравнение со спецификацией Intel.
Безопасность превыше всего
Большой интерес в свете готовящихся продаж представляют вопросы безопасности. IBM решает известные в этой области проблемы с помощью Trusted Platform Assurance (TPA), использующего два модуля TPM – один для сервера, а другой для встроенного IMM контроллера.
TPA добавляет несколько дополнительных уровней безопасности поверх Intel TPA. Это позволяет блокировать коды прошивки между системой и контроллером IMM.
Что касается других мер безопасности, они разработаны для предотвращения предпроизводственного повреждения, цифровой подписи прошивки, проверки загрузочного сектора и обнаружения атаки на ядро системы. Также предусмотрен безопасный откат прошивки, предназначенный для остановки незаконных обновлений предыдущих версий прошивки.
Управление сервером и мощность
В комплектацию системы входит два 900-ваттных блока питания Platinum, 128 Гб TruDDR4 оперативной памяти и два процессора 2.6 ГГц E5-2690 v3 Xeon. Являясь членами группы Intel Advanced Haswell-EP, эти 12-ядерные модели быстрее, чем 14-ядерные E5-2695 v3 Xeon 2.3 ГГц, устанавливаемые в DL380 Gen9, но с большей тепловой мощностью в 135 Вт.
Тем не менее, в тестах сервер чувствовал себя вполне хорошо, показав 118 Вт в режиме ожидания и 367 Вт при максимальной нагрузке. В то же время DL380 Gen9 с памятью, вдвое меньшей, показал 90 Вт в «спящем режиме» и 352 Вт – при полной нагрузке.
Для установки ОС Windows Server 2012 R2 всё ещё требуется загружать сервер с использованием DVD IBM ServerGuide. К слову, Dell решила эту проблему 4 года назад использованием Unified Server Configurator, а HP представила опцию Intelligent Provisioning на своих серверах Gen8 в 2012 году.
Встроенный IMM2 контроллер не столь богат опциями, как, например, Dell iDRAC8 и HP iLO4, а вот System Director от IBM не уступает Dell OpenManage Essentials и HP Systems Insight Manager в количестве опций и простоте развёртывания. Используя встроенную консоль, можно запускать поиск сетей, развёртывать программное обеспечение, осуществлять обзор производителей, а также использовать плагин Active Energy Manager для отслеживания энергопотребления и температуры основных узлов.
Итого
В сравнение с моделями IBM Express новинка x3650 M5 стоит вполне прилично. Рекомендуемая розничная цена составляет почти $16,000, но это вкупе со 128 гигабайтами памяти TruDDR4, парой 12-ядерных процессоров Xeon и двойной M5210 RAID картой.
Рассмотренная модель будет последней системой из серии System x от IBM, именно поэтому x3650 M5 представляется как наиболее всеобъемлющая стоечная серверная система, с невероятным количеством опций и настроек. Конечно, удалённое управление и развёртывание операционной системы должно быть улучшено, хотя бы до уровня Dell и HP, но что касается различных опций системы как хранилища, платформы защиты TPA и качества сборки – тут новинка показала себя в лучшем свете.
NStor | ООО "Нстор" | Комплексные поставки и интеграция интеллектуального оборудования для бизнеса, предприятий, образования, торговли: по обработке, хранению, передаче и презентации данных, автоматизации торговли и производства.
Данная информация не является публичной офертой, определяемой положениями статей 435,437 Гражданского Кодекса РФ
Читайте также:
