Что такое флеш память в телевизоре
Обновлено: 21.08.2024
Анализ статистических данных по ремонту бытовой электронной техники показывает, что нередко причиной потери работоспособности аппаратуры и, в частности, современных телевизионных приемников, является выход из строя микросхем памяти (EEPROM). На практике наблюдается полная или частичная потеря работоспособности EEPROM, а также искажение содержащейся в них информации. В зависимости от неисправности в ряде случаев эксплуатация телевизоров становится невозможной, но во многих случаях не происходит полного отказа аппаратуры, а всего лишь теряются некоторые функциональные возможности. В телевизорах модельного ряда начала 90-х годов прошлого века микропроцессорная система управления телевизором заменяла применявшиеся ранее аналоговые механические регуляторы, а в EEPROM запоминались только значения основных аналоговых параметров (значения яркости, контрастности, насыщенности, параметров аудио-канала, настройки программ и др.). В телевизорах же более поздних разработок (подавляющее большинство моделей, выпущенных за последние 5 лет) в микросхемах памяти содержится также информация о конфигурации конкретной модели телевизора и об индивидуальных настройках различных функциональных узлов.
Если микросхема EEPROM вышла из строя, для восстановления работоспособности телевизора и его исходных параметров необходима запись во вновь устанавливаемую микросхему определенной информации. Она может быть произведена в общем случае с помощью программатора EEPROM. С его же помощью можно прочитать содержимое демонтированной микросхемы и записать в новую микросхему считанные данные, а также записать в нее базовую прошивку для данной модели телевизора из банка данных, которая не учитывает индивидуальные параметры конкретного экземпляра телевизора. Системы управления телевизоров многих производителей имеют в сервисном меню опцию записи в EEPROM базовой прошивки усредненных параметров из ПЗУ микропроцессора. Это упрощает процедуру замены микросхемы памяти. Для индивидуальной настройки параметров в любом случае необходимо проводить коррекцию содержимого памяти с использованием сервисного меню.
При отсутствии программатора для многих моделей телевизоров возможна установка требуемого содержимого EEPROM путем записи конкретных значений для каждого байта банка памяти либо регулировкой конкретных параметров в сервисном режиме. Но для осуществления этой операции необходимо, по меньшей мере, знать процедуру входа в сервисный режим. Ниже приведено краткое описание методики замены микросхем памяти и коррекции их информации в некоторых моделях телевизоров.
Замена микросхем памяти в телевизорах ORION
Необходимо отметить, что у массовых недорогих моделей телевизоров в микросхемах памяти, как правило, хранились лишь значения аналоговых параметров настройки. И при выходе из строя EEPROM, обычно сопровождающимся невозможностью запоминания вновь настроенных каналов, достаточно заменить неисправную микросхему на новую и провести настройку телевизора согласно инструкции. Очень часто такая неисправность встречается у телевизоров ORION разных моделей, например, 20 MS и 14J. Для замены можно также использовать и микросхемы с большим объемом памяти. Например, в данном случае вместо микросхемы 24С01 можно применить 24С02. 24С08. В этом случае просто весь объем памяти не будет использован.
Применим такой вариант замены и для других телевизоров. Критерием возможности такого ремонта, как правило, является наличие на панели кинескопа подстроечных резисторов (не менее 3-х) для регулировки его режимов. Это говорит о том, что основные режимы кинескопа и, возможно, всей видеосистемы, устанавливаются без использования микропроцессора и памяти.
Замена микросхем памяти в телевизорах JVC
В последнее время участились случаи выхода из строя EEPROM в телевизорах JVC моделей C-21ZE, AV-21TE, AV-G21T с наработкой 5. 8 лет. Во всех перечисленных моделях используются микросхемы памяти типа 24С04. Автор не претендует на исчерпывающее перечисление внешних проявлений ненормальной работы телевизоров, остановившись на самых распространенных ситуациях.
В подавляющем большинстве случаев в микросхемах выходит из строя канал записи данных. При этом, как правило, телевизор сохраняет работоспособность с установленными ранее параметрами настройки.
В некоторых случаях выход из строя микросхем сопровождается блокировкой шин SCL и SDA, что приводит к полной неработоспособности системы управления. Подобная неисправность может быть также вызвана и неисправностью микроконтроллера или видеопроцессора, но в подобных случаях невозможно сразу с максимальной достоверностью определить неисправную микросхему. Поиск неисправности в этой ситуации целесообразно начинать с проверки работоспособности и замены EEPROM, как наиболее дешевого компонента, способного вызвать подобную неисправность.
Но замена неисправной микросхемы на новую в телевизорах перечисленных моделей не приводит сразу к восстановлению их работоспособности, а наоборот, на первый взгляд, только осложняет ситуацию. Телевизор становится как бы неуправляемым, практически сразу после включения и разогрева кинескопа происходит его выключение схемой защиты. Причина кроется в том, что в телевизорах этих моделей в EEPROM хранится информация о всех параметрах настройки видеопроцессора, в том числе и о параметрах установки режимов кинескопа. Вследствие того, что во всех ячейках памяти новых микросхем записано значение FF в шестнадцатеричной системе счисления (или 255 в десятичной системе), то все регулировочные параметры телевизора оказываются в состоянии, вызывающем максимальный ток лучей кинескопа. Это и является причиной срабатывания системы защиты. Если есть возможность перенести дамп (содержимое) памяти демонтированной неисправной микросхемы во вновь устанавливаемую с помощью программатора, то после этой операции работоспособность телевизора восстанавливается полностью с сохранением ранее выполненных настроек. При отсутствии программатора установку параметров возможно провести по нижеописанной методике.
Все описанное ниже относится к модели телевизора "JVC C-21ZE", но вид меню и работа с ним для других моделей отличаются незначительно. Автор сознательно не приводит полное обозначение регулируемых параметров и методики проведения дополнительных регулировок телевизора. Более подробно это описано в [1], [2].
1. До проведения демонтажа микросхемы EEPROM следует переписать из пунктов сервисного меню установленные значения всех используемых параметров. o Для входа в сервисный режим одновременно нажимают на ПДУ кнопки DISPLAY и PICTURE MODE. При этом на экране должна появиться первая страница сервисного меню, из которой осуществляется переход на другие страницы нажатием цифровых кнопок 1-3;(рис. 1)
Рис. 1. Первая страница сервисного меню
- нажатием кнопки 1 отображается страница предустановок предпочтительных настроек изображения BRIGHT, STANDART и SOFT(рис. 2);
- нажатием кнопки 2 отображается страница регулировок изображения для каждой системы цветности отдельно (рис. 3);
- нажатием кнопки 3 вызывается страница установки параметров тракта ПЧ и видеопроцессора (рис. 4);
- одновременным нажатием кнопок DISPLAY и PICTURE MODE вызывается страница установки системных констант (рис. 5);
- возврат из выбранной страницы на главную страницу меню, а также выход из сервисного режима производится кнопкой MUTE.
2. Перед включением телевизора с установленной новой микросхемой необходимо уменьшить напряжение на ускоряющем электроде кинескопа до минимума для предотвращения срабатывания системы защиты.
3. Включают телевизор и проводят установку параметров телевизора согласно считанным ранее данным. Значения всех параметров выводятся на экран в десятичной системе счисления. Выбор регулируемого параметра и изменение его значения производится кнопка ми PICTURE ADJUST. Следует помнить, что при изменении многих параметров происходит скачкообразное изменение яркости изображения до минимума, поэтому иногда потребуется увеличивать величину ускоряющего напряжения, чтобы производить визуальный контроль за изменением параметров. Если производить регулировкупараметров, выбирая страницы в последовательности 4-3-2, то при этом частая регулировка ускоряющего напряжения практически не потребуется.
4. Установить номинальное значение ускоряющего напряжения, визуально контролируя изображение.
При отсутствии возможности считывания исходной прошивки EEPROM необходимо ввести в микросхему усредненные значения параметров, приведенные на рисунках для всех пунктов меню.
Для достижения нормальной работы телевизора после ввода (корректировки) указанных параметров, желательно произвести дополнительную регулировку "баланса белого" и других режимов, используя методику, описанную в [1].
Следует особо отметить, что вход в сервисный режим обеспечивается только с оригинальными ПДУ, входящими в комплект телевизоров. Практика показала, что однотипные пульты, имеющиеся в настоящее время в широкой продаже, при одновременном нажатии кнопок DISPLAY и PICTURE MODE не обеспечивают формирование кода команды перевода телевизора в сервисный режим (автор не утверждает, что это присуще всем продаваемым ПДУ).
Источники:
1. Вхождение в режим сервиса с помощью ПДУ. Сервисная регулировка и настройка зарубежных телевизоров цветного изображения. Книга 2, с. 2-15.
2. М. Рязанов. Как войти в сервисное меню телевизора. Радио, 1999, № 7, с. 12.
Очередной мой клиент приехал из г. Тюмени, то есть телевизор Samsung преодолел 210 км. Я понимаю, что именно в данную секунду в вашей голове возникло несколько вопросов: "Зачем?", "В крупном городе нет сервисных центров?".
В рамках данной статьи я вам все расскажу. Читайте до конца и вы поймете, чем отличаются сервисные центры маленьких городов от крупных.
Жидкокристаллический телевизор Samsung UE40D5520RW. Жидкокристаллический телевизор Samsung UE40D5520RW.Однажды вечером клиентка решила насладиться просмотром любимого фильма, но, увы, в планы ее телевизора это не входило. Когда она включила телевизор, то вместо телетрансляции увидела как телевизор просто на протяжении 10 минут включался и выключался. При этом индикатор включения моргал, а пульт дистанционного управления был бессилен.
Отчаянная клиентка сняла видео неисправности, сфотографировала модель телевизора и отправилась в местные сервисные центры.
Во всех сервисах клиентке пояснили, что у телевизоров Samsung UE40D5520RW данная неисправность является "болезнью", а причиной выступает вышедший из строя процессор. Цена ремонта варьировалась от 6000 до 7000 рублей. Такие суммы огорчили клиентку окончательно. И решила она поискать выход из ситуации в ближайших городах. Когда она обратилась ко мне путем переписки через группу в социальной сети "Вконтакте", то я просто посмеялся над тюменскими мастерами.
Причиной циклической перезагрузки телевизора является выход из строя микросхемы NAND памяти телевизора. Процессор работает неверно, потому что он не может загрузить прошивку. После того как я все объяснил клиентке, то она решилась мне довериться. И вот телевизор прибыл ко мне в мастерскую на ремонт.
На Авито я нашел много объявлений с предложениями продажи новых микросхем NAND памяти K9GAG08U0E. Они уже прошиты и готовы к пайке.
Просмотрев несколько страниц предложений, я выбрал подходящий для себя. Немного времени на доставку и новенькая микросхема появилась у меня на рабочем столе. Обошлась она мне вместе с доставкой в 1500 рублей.
Процесс разбора самого телевизора я сильно расписывать и показывать не буду. Просто скажу, что нам необходимо добраться до материнской платы, а точнее нужно освободить ее от корпуса.
Близлежащие микросхемы и конденсаторы я закрыл алюминиевым скотчем, чтобы при воздействии высоких температур в ходе выпаивания NAND памяти они не пострадали.
Для выпаивания микросхемы я использовал флюс "YX-B10". Почему именно он? Потому что он зарекомендовал себя за годы использования только с лучшей стороны, плюс он остывает намного медленнее остальных.
Кроме этого, для выпаивания микросхемы мне еще понадобились фен и паяльник. Работа очень ювелирная, поэтому спешка ни к чему.
Современному человеку нравится быть мобильным и иметь при себе различные высокотехнологичные гаджеты (англ. gadget — устройство), облегчающие жизнь, да что там скрывать, делающие ее более насыщенной и интересной. И появились-то они всего за 10-15 лет! Миниатюрные, легкие, удобные, цифровые… Всего этого гаджеты достигли благодаря новым микропроцессорным технологиям, но все же больший вклад был сделан одной замечательной технологией хранения данных, о которой сегодня мы и будем говорить. Итак, флэш-память.
Бытует мнение, что название FLASH применительно к типу памяти переводится как «вспышка». На самом деле это не совсем так. Одна из версий его появления говорит о том, что впервые в 1989-90 году компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Вообще, изобретателем считается Intel, представившая в 1988 году флэш-память с архитектурой NOR. Годом позже Toshiba разработала архитектуру NAND, которая и сегодня используется наряду с той же NOR в микросхемах флэш. Собственно, сейчас можно сказать, что это два различных вида памяти, имеющие в чем-то схожую технологию производства. В этой статье мы попытаемся понять их устройство, принцип работы, а также рассмотрим различные варианты практического использования.
С помощью нее осуществляется преобразование входных напряжений в выходные, соответствующие «0» и «1». Они необходимы, потому что для чтения/записи данных в ячейке памяти используются различные напряжения. Схема ячейки приведена на рисунке ниже.
Она характерна для большинства флэш-чипов и представляет из себя транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются так называемые «сток» и «исток». При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В технологиях различных производителей этот принцип работы может отличаться по способу подачи тока и чтению данных из ячейки. Хочу также обратить ваше внимание на то, что в структуре флэш-памяти для хранения 1 бита информации задействуется только один элемент (транзистор), в то время как в энергозависимых типах памяти для этого требуется несколько транзисторов и конденсатор. Это позволяет существенно уменьшить размеры выпускаемых микросхем, упростить технологический процесс, а, следовательно, и снизить себестоимость. Но и один бит далеко не предел: Intel уже выпускает память StrataFlash, каждая ячейка которой может хранить по 2 бита информации. Кроме того, существуют пробные образцы, с 4-х и даже 9-битными ячейками! В такой памяти используются технология многоуровневых ячеек. Они имеют обычную структуру, а отличие заключается в том, что заряд их делится на несколько уровней, каждому из которых в соответствие ставится определенная комбинация бит. Теоретически прочитать/записать можно и более 4-х бит, однако, на практике возникают проблемы с устранением шумов и с постепенной утечкой электронов при продолжительном хранении. Вообще, у существующих сегодня микросхем памяти для ячеек характерно время хранения информации, измеряемое годами и число циклов чтения/записи — от 100 тысяч до нескольких миллионов. Из недостатков, в частности, у флэш-памяти с архитектурой NOR стоит отметить плохую масштабируемость: нельзя уменьшать площадь чипов путем уменьшения размеров транзисторов. Эта ситуация связана со способом организации матрицы ячеек: в NOR архитектуре к каждому транзистору надо подвести индивидуальный контакт. Гораздо лучше в этом плане обстоят дела у флэш-памяти с архитектурой NAND.
Устройство и принцип работы ячеек у нее такой же, как и у NOR. Хотя, кроме логики, все-таки есть еще одно важное отличие — архитектура размещения ячеек и их контактов. В отличие от вышеописанного случая, здесь имеется контактная матрица, в пересечениях строк и столбцов которой располагаются транзисторы. Это сравнимо с пассивной матрицей в дисплеях :) (а NOR — с активной TFT). В случае с памятью такая организация несколько лучше — площадь микросхемы можно значительно уменьшить за счет размеров ячеек. Недостатки (куда уж без них) заключаются в более низкой по сравнению с NOR скорости работы в операциях побайтового произвольного доступа.
Существуют еще и такие архитектуры как: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) и пр. Принципиально нового ничего они не представляют, а лишь комбинируют лучшие свойства NAND и NOR.
И все же, как бы там ни было, NOR и NAND на сегодняшний день выпускаются на равных и практически не конкурируют между собой, потому как в силу своих качеств находят применение в разных областях хранения данных. Об этом и пойдет далее речь…
Где нужна память…
- считать в буфер блок информации, в котором он находится
- в буфере изменить нужный байт
- записать блок с измененным байтом обратно
И будет флэш…
Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объемов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, еще достаточно дороги, чтобы конкурировать с жесткими дисками для настольных систем или ноутбуков. В основном, сейчас сфера господства флэш-памяти ограничивается мобильными устройствами. Как вы понимаете, этот сегмент информационных технологий не так уж и мал. Кроме того, со слов производителей, на нем экспансия флэш не остановится. Итак, какие же основные тенденции развития имеют место в этой области.
Во-первых, как уже упоминалось выше, большое внимание уделяется интегрированным решениям. Причем проекты вроде Gumstix лишь промежуточные этапы на пути к реализации всех функций в одной микросхеме.
Собственно, выявлением бэдов занимается алгоритм ECC — он сравнивает записываемую информацию с реально записанной. Также в связи с ограниченным ресурсом ячеек (порядка нескольких миллионов циклов чтения/записи для каждой) важно наличие функции учета равномерности износа. Приведу такой редкий, но встречающийся случай: брелок с 32 Мбайт, из которых 30 Мбайт заняты, а на свободное место постоянно что-то записывается и удаляется. Получается, что одни ячейки простаивают, а другие интенсивно исчерпывают свой ресурс. Чтобы такого не было, в фирменных устройствах свободное пространство условно разбивается на участки, для каждого из которых осуществляется контроль и учет количества операций записи.
Еще более сложные конфигурации класса «все-в-одном» сейчас широко представлены такими компаниями как, например, Intel, Samsung, Hitachi и др. Их изделия представляют собой многофункциональные устройства, реализованные в одной лишь микросхеме (стандартно в ней имеется процессор, флэш-память и SDRAM). Ориентированы они на применение в мобильных устройствах, где важна высокая производительность при минимальных размерах и низком энергопотреблении. К таким относятся: PDA, смартфоны, телефоны для сетей 3G. Приведу пример подобных разработок — чип от Samsung, объединяющий в себе ARM-процессор (203 МГц), 256 Мбайт NAND памяти и 256 SDRAM. Он совместим с распространенными ОС: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux и имеет поддержку USB. Таким образом на его основе возможно создание многофункциональных мобильных устройств с низким энергопотреблением, способных работать с видео, звуком, голосом и прочими ресурсоемкими приложениями.
Другим направлением совершенствования флэш является уменьшение энергопотребления и размеров с одновременным увеличением объема и быстродействия памяти. В большей степени это касается микросхем с NOR архитектурой, поскольку с развитием мобильных компьютеров, поддерживающих работу в беспроводных сетях, именно NOR-флэш, благодаря небольшим размерам и малому энергопотреблению, станет универсальным решением для хранения и выполнения программного кода. В скором времени в серийное производство будут запущены 512 Мбит чипы NOR той же Renesas. Напряжение питания их составит 3,3 В (напомню, хранить информацию они могут и без подачи тока), а скорость в операциях записи — 4 Мбайт/сек. В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) — универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов — 0,13 нм, в планах переход на 0,09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с!
Что ж, как видите, технология развивается стремительно. Вполне возможно, что к моменту выхода статьи появится еще что-нибудь новенькое. Так что, если что — не взыщите :) Надеюсь, материал был вам интересен.
Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки
Справочная информация
Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:
- Диагностика
- Определение неисправности
- Выбор метода ремонта
- Поиск запчастей
- Устранение дефекта
- Настройка
Неисправности
Все неисправности по их проявлению можно разделить на два вида - стабильные и периодические. Наиболее часто рассматриваются следующие:
- не включается
- не корректно работает какой-то узел (блок)
- периодически (иногда) что-то происходит
О прошивках
Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.
На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.
Схемы аппаратуры
Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:
Справочники
На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).
Marking (маркировка) - обозначение на электронных компонентах
Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.
Package (корпус) - вид корпуса электронного компонента
При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:
- DIP (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
- SOT-89 - пластковый корпус для поверхностного монтажа
- SOT-23 - миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
- TO-220 - тип корпуса для монтажа (пайки) в отверстия
- SOP (SOIC, SO) - миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа (SMD)
- TSOP (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
- BGA (Ball Grid Array) - корпус для монтажа выводов на шарики из припоя
Краткие сокращения
При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:
| Сокращение | Краткое описание |
|---|---|
| LED | Light Emitting Diode - Светодиод (Светоизлучающий диод) |
| MOSFET | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - Полевой транзистор с МОП структурой затвора |
| EEPROM | Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - Электрически стираемая память |
| eMMC | embedded Multimedia Memory Card - Встроенная мультимедийная карта памяти |
| LCD | Liquid Crystal Display - Жидкокристаллический дисплей (экран) |
| SCL | Serial Clock - Шина интерфейса I2C для передачи тактового сигнала |
| SDA | Serial Data - Шина интерфейса I2C для обмена данными |
| ICSP | In-Circuit Serial Programming – Протокол для внутрисхемного последовательного программирования |
| IIC, I2C | Inter-Integrated Circuit - Двухпроводный интерфейс обмена данными между микросхемами |
| PCB | Printed Circuit Board - Печатная плата |
| PWM | Pulse Width Modulation - Широтно-импульсная модуляция |
| SPI | Serial Peripheral Interface Protocol - Протокол последовательного периферийного интерфейса |
| USB | Universal Serial Bus - Универсальная последовательная шина |
| DMA | Direct Memory Access - Модуль для считывания и записи RAM без задействования процессора |
| AC | Alternating Current - Переменный ток |
| DC | Direct Current - Постоянный ток |
| FM | Frequency Modulation - Частотная модуляция (ЧМ) |
| AFC | Automatic Frequency Control - Автоматическое управление частотой |
Частые вопросы
Как мне дополнить свой вопрос по теме NAND-ФЛЭШ?После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.
Кто отвечает в форуме на вопросы ?
Ответ в тему NAND-ФЛЭШ как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.
Как найти нужную информацию по форуму ?
Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.
По каким еще маркам можно спросить ?
По любым. Наиболее частые ответы по популярным брэндам - LG, Samsung, Philips, Toshiba, Sony, Panasonic, Xiaomi, Sharp, JVC, DEXP, TCL, Hisense, и многие другие в том числе китайские модели.
Какие еще файлы я смогу здесь скачать ?
При активном участии в форуме Вам будут доступны дополнительные файлы и разделы, которые не отображаются гостям - схемы, прошивки, справочники, методы и секреты ремонта, типовые неисправности, сервисная информация.
Полезные ссылки
Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.
фантом2, так пойдет? ссылка скрыта от публикации Lanin, спасибо.yurikel, Автопрог - там целую лекцию прочитали.
Просто както смущает то, что народ ищет прошивки на эти нанды. Или я несовсем понимаю чтото? Я позвонил на техподдержку своего программатора и ихний инженер сказал, что NAND-ФЛЭШи для хранения дампов не используют т.к. они имеют много бэд-ячеек которые ещё и образуются в процессе эксплуатации. БМК, я бы хотел всёже уточнить - в нандах хранится прошивка или же они используются для иных целей? Да. Именно она и хранится. Как правило, чаще NAND стоит не одна как память ПО в аппарате, есть еще и другие "хранилища" ПО - во FLASH. в нандах хранится прошивка или же они используются для иных целей? сложно в лоб. Причина в том что на них расположена операционная система. Нанд флеш (при этом) оформатированна как винчестер в компьютере. Бады закрыты. Файлы уложены.
При этом, в нанд, можно сказать, лежит прошивка.
Что касается бадов, это для нас лохов наливают. Берем простой пример - планшеты. Востановление ПО работает как с обычной флешкой. Форматирует (прописывает заголовок), заливает файлы, перезапускает. Ни о каких проверках речи нет. В лудшем случае, есть тестовое чтение записаного и сверка с оригиналом.
Теперь возмем обычные флешки. Утилиты виндовоза не проверяют поверхность на бады. Тупо прописывает заголовок формата и все. Умные слова что там все делает встроенный контроллер - для верующих. Ничего такого он сам не делает. И применяя опыт, могу сказать - миф о том что в нанд море дефектов с завода, является мифом. Captain, Т.е. есть смысл сохранять содержимое с нандов с целью последующего восстановления ПО на другом нерабочем аппарате или нет ввиду возможного несовпадения битых ячеек по адресам? Ведь адреса бадов тоже гдето хранятся или они в нанде и прописаны?
Captain, у меня было мало гаджетов убитых основательно и требующих программатора, но те что лечились перешивкой дампа не включились ни один (навигаторы и планшет). Загрузчики запустились во всех, дальше обычное обновление и все ок. Так шо не миф для верующих. имхо, конечно.
фантом2, сохранять смысл есть. Как лечить дамп от бэд блоков можешь погуглить на тему JTAG xbox 360.
А вообще нанда интересное устройство. Вот есть статья:
ссылка скрыта от публикации /
есть твердотельный диск и у меня, какой то он "своеобразный". Как узнать сколько "пробежала" нанда? Новая из Китая действительно будет "без пробега"?
или не хера не делает как утверждает мистер Captain LDZ, Так всётаки не получилось запустить гаджеты, требующие перешивки дампа или как?
Гаджеты после перешивки не включились. Но загрузчик восстановился и появилась возможность залить прошивку обычным способом.
Даже если девайсы и включаются, то народ рекомендует все же пролить прошивку родной обновлялкой.
После этих манипуляций девайс скорее жив. Через некоторое время таблет пришлось прошить родной обновлялкой еще раз.
Эксперимент с юсб флешкой. Изначально - мертвая, родная утилита ее не видит, светодиод на ней горит вполнакала. Сдуваю нанд - светодиод весело моргает, в системе определяется. Стираю нанд в программаторе, запаиваю, форматирую в родной утилите и получаю рабочую флешку. Понятно, что я затер всю информацию о бэд блоках, но родная утилита должна была вытащить их на свет божий снова. Непонятно. как там этот учет ведется.
Captain, Игорь, известный LG6000, когда не совсем посыпалась нанд может включаться и работать, а может не включаться. Если перешить его с флэхи, когда он включился (даже такой-же версией ПО), он начинает работать без проблем. Что это по твоему, как не появление новых бэдов и не пометка их при прошивке с флэхи?Парни, а что спорить то?
ВОВА сколько раз писал - слить нерабочий дамп - и его же залить опять - иногда помогает.
Теперь дискут (только без "крови" ) на ХХ страницах.
Добавлено 26-12-2012 17:29
Тут вопрос нужно ставить - что есть BAD? - физически или потеря (изменение) содержимого в следствии неопределенных причин.
И опять же - ГДЕ? - в служебке (загрузчике) или в хранимых данных.
В каждом конкретном случае будет по разному.
У каждого разные алгоритмы работы. Одно дело если переписывать NAND на программаторе pin-to-pin и совсем другое, если это делать аппаратно (в составе аппарата).
Даже почти у каждой USB флешки стоит свой контролер со своим алгоритмом работы записи-чтения. Блок помечается как бэд, если в него невозможно записать.
После команды "записать данные по такому то адресу" и отмашки флага контроллер читает статус регистр нанд. Если ок - работает дальше, если ошибка - блок помечается и производится запись по другому адресу. LDZ, Блок помечается как бэд, если в него невозможно записать.
Не возможно по времени обращения к блоку? Или нечитаемый/записываемый блок?
Что-то мне сдается все в алгоритме работы
Lanin, в нанд есть свой контроллер, какой то менеджмент проводится в самой нанд. Контроллер девайса работает не с площадью ячеек, а с контроллером нанд. А алгоритмы у всех производителей свои. Как и что там делается мне не ведомо и изменить что то скорее всего нельзя.
а сколько его надо? Вот, посмотри картинки. Одни диски 120Gb другие 128Gb. 8Gb в избыток. Это много? или это чуть-чуть?ссылка скрыта от публикации / алгоритмы обработки самим девайсом так сказать Конкретно - каким именно?
Просто тема начинает разрастаться в разные стороны.
Вопрос ТС ставился о сохранении и копировании NAND прошивок LCD методом pin-to-pin на программаторе и я придерживаюсь поставленного им вопроса.
в LCD телевизорах стали попадаться NAND-ФЛЭШи. Народ тут на форуме ищет прошивки для них. даже новую нанд невозможно прописать по прежним адресам т.к. они просто не совпадут - при производстве адресация бэдных ячеек непредсказуема. Кто может прояснить ситуацию с этим типом флэшек? Просто както смущает то, что народ ищет прошивки на эти нанды. Или я несовсем понимаю чтото?
Выделю суть его вопроса - зачем нужны эти прошивки, если их нельзя записать в другую NAND, даже новую.
Ответ: НУЖНЫ! Записать можно и записываем не только в новые, а и даже в старые NAND-ы. И обновляем ПО телевизоров и с этим тоже не возникает проблем (как правило не возникает), даже со сменой версии загрузчика.
Даже пользователь самостоятельно это может сделать, скачав обновление с оф. сайтов производителя.
Ты так действительно думаешь или решил тему растролить? Во всех устройствах где я совал свой пятак и джиг везде при обновлении или востановлении есть проверка на битые блоки и перезапись таблицы бадов в системную область нанда. Думаю поверишь на слово и не придется длинно аргументировать.
Если аСаня решил собрать тему в ровное русло, то думаю придется дать определение бадов. Бад блок это блок с невозможностью или нестабильным чтением и записью, определяются по спец команде с контроллера нанда перед, а не методом записи чтения с портов в процессе работы или обновления. В процессе обновления оно контролируется подсчетом контрольных сумм на несколько блоков. Возможно не очень четко дал определение, пусть это будет примерной сутью.
Количество бад блоков меняется от напряжения питания и температуры микрухи. Я специально игрался в этом направлении, лабораторно табличных результатов не фиксировал, тк полномочий на это мне не давали. Можно и повторить.
ВОВА сколько раз писал - слить нерабочий дамп - и его же залить опять - иногда помогает.
А у меня было несколько раз я сливал нанд и тут же вливал его обратно этот же телик. Несколько минут разница считал и записал его обратно. И ИНОГДА телик помер А перенес дамп в соседнее мертвое тело и оно ПОЧТИ ВСЕГДА ожило. В основном дохнут самсунговские K9 и хуниксы HY27. Самые стабильные это NAND от ST и ТС58 тошиба. Собственно правильно написанный софт обновления с перезаписью таблицы бадов решает почти все проблеммы. Всегда с улыбкой смотрю как молятся и скрещивают пальцы перед прошивкой глючного самсунга.
И как резюме этом нужно ли сливать прошивки для использования в последующих ремонта - нужно! Но не прогером а аппаратными средствами как файл сырца RAW или с файловой системой JFFS2 или UBIFS. И вторым вариантом с разбивкой файлами на модули прошивки. Далее обьединяя файлы, комбинируя с другими будет возможность собрать нужный хотя бы для востановления загрузчика через залив прогером. Но это совсем другая песня и очень жалею что не допер до этого ранее и не собрал себе "коллекцию". А обновления это только обновления и не имеют многих крайне необходимых частей.
Читайте также: