Перспективы развития флеш памяти
Обновлено: 06.07.2024
В прошедшем 1999 г. был отмечен рекордный рост рынка полупроводниковых устройств. По оценкам специалистов Промышленной ассоциации по полупроводникам SIA (Semiconductor Industrial Association), продажи выросли на 18,9%, достигнув цифры 149 млрд. долл. В этом году SIA предполагает рост еще на 21% и результирующий объем продаж 174 млрд. долл. Если ее ожидания оправдаются, то в 2001-м индустрия переживет новый 20%-ный подъем, а продажи достигнут рекордного уровня в 209 млрд. долл.
Флэш-память типа Intel Dual Plane
Эти же данные показывают, что объемы продаж микросхем флэш-памяти за прошлый год выросли на 83% - до 4,6 млрд. долл. А ведь еще в 1987 г. эта цифра составляла всего 50 млн. долл. Сегодня кристаллы флэш-памяти используются в 90% выпускаемых ПК, в 50% модемов и почти во всех моделях сотовых телефонов.
Подобные результаты объясняются бумом на рынке мобильных устройств и усиливающейся тенденцией интеграции статической памяти непосредственно в заказные кристаллы и микропроцессоры.
Аналитики из компании In-Stat Group считают, что средняя цена (ASP, Average Selling Price) на кристаллы флэш-памяти в течение ближайшего времени будет повышаться. В этом году она составит 3,65 долл., а еще в прошлом была на 50 центов меньше. Количество микросхем, проданных в этом году, по сравнению с 1999-м должно увеличиться с 1,2 млн. до 1,4 млн. штук. Таким образом, общая емкость флэш-памяти превысит 34 млрд. Мбит. Потребность в более высокой емкости памяти ведет не только к увеличению ASP, но и к нехватке микросхем. По некоторым позициям дефицит может достигнуть 30-40%, а по отдельным дойти даже до 60-70%.
Конечно, прогнозы остаются прогнозами, но тенденция прослеживается отчетливо.
Все эксперты сходятся в едином мнении, что причиной небывалого спроса на флэш-память стало в первую очередь развитие рынка мобильных телекоммуникаций. По образному выражению одного из них, в настоящее время “хлебом с маслом” для Интернета пока являются “толстые” клиенты (дающие или имеющие свыше 90% прибыли). Однако к 2004 г. ситуация значительно изменится. Более 42% прибыли принесут мобильные Web-телефоны, а по показателю “количество единиц оборудования” подобные устройства займут не менеее 79% рынка.
Во-первых, широкое распространение получат аудиозаписи в формате MP3. Ожидается, что к 2003 г. их количество возрастет в 72 раза. Если в прошлом году было продано около 1 млн. МР3-плейеров, то через четыре года этот рынок вырастет до 10 млн. шт. Каждое подобное устройство требует примерно 1 Мб флэш-памяти для хранения 1 мин музыки. Если сегодня обычным размером памяти МР3-плейера является 64 Мб, то к 2003 г. он будет составлять до 512 Мб.
Во-вторых, стремительно увеличится рынок сотовой связи (по некоторым оценкам, чуть ли не в 100 раз). В то время, как в 1998 г. во всем мире было продано 160 млн. мобильных телефонов, к 2002-му их продажи должны возрасти до 1 млрд. шт., а промышленность будет ежегодно выпускать до 600 млн. подобных устройств.
Если два года назад в одном аппарате устанавливалось 4 Мб флэш-памяти, то теперь этот объем ежегодно удваивается. Существует прогноз, что в 2002 г. каждый мобильный телефон будет снабжен запоминающим устройством объемом 64 Мб.
В-третьих, использование флэш-памяти в цифровых фотокамерах к 2003 г. возрастет в 130 раз. Брайан прогнозирует появление цифровых аппаратов стоимостью 200-300 долл. с качеством изображения 2 млн. пикселов уже к концу нынешнего года.
В-четвертых, рост выпуска Интернет-приставок будет практически экспоненциальным. Потребность в кристаллах флэш-памяти для этих устройств к 2003 г. увеличится в шесть раз.
Напомним, что флэш-память была разработана еще в 1988 г. Наряду с такими типами запоминающих устройств, как EEPROM, PROM и ROM, флэш-память является одной из разновидностей энергонезависимой памяти (nonvolatile memory). В основе работы запоминающей ячейки этого типа лежит физический эффект Фаули - Нордхайма (Fowler - Nordheim), связанный с лавинной инжекцией зарядов в полевых транзисторах. Как и у EEPROM, содержимое флэш-памяти программируется электрическим способом, однако основное ее преимущество по сравнению с той же EEPROM состоит в высокой скорости доступа и довольно быстром стирании информации.
В настоящее время выпускаются две основные разновидности микросхем флэш-памяти, различающиеся по внутренней логической организации. К преимуществам кристаллов с организацией NOR (логическая функция ИЛИ - НЕ) можно отнести быстрый произвольный доступ к ячейке, высокую скорость перезаписи и побайтное программирование с произвольным изменением адреса. К недостаткам - большой размер базового элемента и, как следствие, низкую емкость устройств. Обычно NOR-микросхемы имеют емкость от 512 Кбит до 64 Мбит. Подобные устройства чаще всего используют для хранения управляющих кодов (команд).
Среди основных достоинств кристаллов флэш-памяти с организацией NAND (логическая функция И - НЕ) назовем высокую скорость программирования и небольшой размер базового элемента. К сожалению, они не позволяют выполнять программирование с произвольным изменением адреса, а произвольный доступ к ячейкам выполняется довольно медленно. Емкость подобных микросхем составляет в настоящее время от 4 до 512 Мб. Их можно считать идеальным средством хранения больших файлов и неплохим выбором при конструировании устройств, эмулирующих дисковые накопители.
Обычно основой запоминающей ячейки флэш-памяти является один транзистор. Напомним, что в статической памяти SRAM для этой цели можно использовать два, четыре и даже шесть транзисторов, в динамической памяти DRAM - транзистор и конденсатор, а в EEPROM - два транзистора. Благодаря минимальному количеству транзисторов удается достичь небольших размеров базовой ячейки. Стоит отметить, что ее размеры за прошедшие 10 лет уменьшились почти в 18 раз. Например, проектные нормы при производстве микросхем флэш-памяти Fujitsu ужесточились с 0,33 мкм в 1997 г. до 0,23 мкм в 1999-м.
В 1992 г. команда инженеров корпорации Intel начала разработку устройства флэш-памяти, одна ячейка которого хранила бы более одного бита информации. Уже в сентябре 1997-го была анонсирована микросхема памяти Intel StrataFlash емкостью 64 Мб, одна ячейка которой могла хранить 2 бита данных.
А вот специалисты корпорации AMD оказались первыми в разработке микросхем флэш-памяти, допускающих одновременную запись и чтение информации. Это стало возможным благодаря делению кристалла на два независимых банка памяти, что позволяет управляющие коды хранить в одном банке, а данные - в другом. В таком случае не требуется прерывать программу, если необходимо выполнить операцию стирания или записи в банке данных.
По уровню питания обычно различают микросхемы, работающие от напряжения 5; 3; 2,7 и 1,8 В. Чем ниже напряжение питания, тем меньше, в общем случае, потребляемая мощность, что особенно важно для мобильных устройств. Кроме того, в микросхемах можно использовать схемотехнические решения, реализующие пакетные (burst) и страничные (page) режимы обмена данными.
В сентябре прошлого года корпорация Intel сообщила о выпуске новых микросхем флэш-памяти (Dual Plane), основными преимуществами которых были двухбанковая организация, пакетный и страничный режим обмена и напряжение питания 1,8 В.
О штурме гигабайтного барьера емкости микросхем флэш-памяти официально объявили уже несколько компаний. Отметим, что подобный кристалл может хранить до 560 фотографических снимков с разрешением SXGA (1280х1024 пиксела) или 32 мелодии CD-качества.
Корпорация Intel пока основную ставку делает на переход к проектным нормам 0,18 мкм. Поскольку технологические процессы производства микропроцессоров и микросхем флэш-памяти на 90% идентичны, ее специалисты в успехе не сомневаются. Благодаря такому переходу они даже надеются на некоторое снижение цен на данную продукцию.
За первые два месяца нынешнего года сложились два интересных альянса. В январе корпорация AMD объявила о трехлетнем соглашении на поставку флэш-памяти собственного производства на сумму 400 млн. долл. подразделению сотовых телефонов Samsung Electronics.
Исследователи из Ланкастерского Университета (Великобритания) изобрели универсальную память нового типа, которая может использоваться как в качестве постоянного хранилища, так и оперативного запоминающего устройства. Технология получила название UltraRAM. Посвященная ей статья опубликована в январском выпуске ежемесячного научного журнала IEEE Transactions on Electron Devices.
UltraRAM сочетает в себе преимущества флеш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM), которые используются в производстве широчайшего спектра электронных устройств – от смартфонов до автомобилей. С ее помощью можно добиться сопоставимой с DRAM пропускной способности при полной энергонезависимости. То есть UltraRAM работает примерно так же быстро, как и DRAM, а данные в ней сохраняются даже после отключения питания. Кроме того, если верить британским ученым, новый тип памяти в 100 раз энергоэффективнее DRAM и не отягощен какими-либо серьезными недостатками.
Однако как минимум один серьезный недостаток у UltraRAM все же имеется, отмечает издание Tomshardware, – высокая цена, во всяком случае на ранних этапах производства микросхем памяти по данной технологии, как это всегда бывает с новинками. Однако делать какие-либо выводы на этот счет было бы преждевременно, поскольку на данный момент даже не построен прототип устройства на базе UltraRAM.
Как работает UltraRAM
UltraRAM представляет собой полупроводниковую память, в которой для сохранения информации используется квантовомеханический эффект резонансного туннелирования, благодаря которому менять состояние ячейки памяти (пропуская электрон через барьер) можно очень быстро и с крайне малыми затратами энергии.
Энергонезависимость UltraRAM обеспечивается применением в качестве полупроводниковых материалов арсенида индия и антимонида алюминия, позволяющих создать мощный энергетический барьер (около 2,1 эВ), который препятствует потере ячейкой электронов.
Другие перспективные технологии памяти
В ноябре 2018 г. CNews рассказывал о наработках исследовательского подразделения IBM в области управления магнитными свойствами меди. В перспективе они могут оказаться полезными при создании микросхем энергонезависимой памяти, в которых ячейка памяти «умещается» в одном атоме металла и способна хранить в несколько раз большее количество информации по сравнению с существующими аналогами.
В своей статье ученые описали методику контроля магнитных свойств ядра одиночного атома меди при помощи ядерного магнитного резонанса (ЯМР) – явления, технологии на основе которого широко используются химиками для изучения структуры вещества, а также в медицине – для проведения неинвазивного исследования внутренних органов пациентов (ЯМР-спектроскопия, МРТ – Магнитно-резонансная томография).
В августе 2019 г. Toshiba Memory анонсировала начало производства новой памяти для систем хранения (SCM – Storage Class Memory) под брендом XL-Flash. В ее основе лежит фирменная флеш-память компании – BiCS Flash 3D (3D NAND), отличающаяся одноуровневой организацией хранения бита в ячейке (SLC – Single Level Cell).
Toshiba Memory позиционирует XL-Flash как золотую середину между флеш-памятью 3D NAND и DRAM. Как утверждали в компании, новинка превосходит обычную 3D NAND по производительности, но уступает DRAM. Цена на XL-Flash также должна была стать компромиссной.
В мире цифровых технологий существует несколько видов памяти, используемых в системах хранения данных (компьютерах, серверах и других устройства). Самые распространенные среди них: SSD-память (NAND и NOR), оперативная память DRAM и SRAM. Реже используется HDD-память, которая постепенно отходит от использования в компьютерных устройствах, но все еще остается актуальной для некоторых систем хранения данных.
Ученые уверены, что распространенные виды памяти приближаются к пределам своего технологического развития. И вскоре их функциональность и запас емкости станут ограниченными. Уже постепенно на смену им приходят перспективные типы памяти, о которых многие и вовсе ничего не слышали.
Голографическая память
Голографическая память вскоре может стать альтернативой флэш-накопителям. Фотохромные пленки из двуокиси титана и серебряных наночастиц могут содержать в себе кратно больше информации, нежели какой-либо из текущих распространенных носителей. Запись на специальные пленки осуществляется при помощи лазерного луча с разной длиной волны, что позволяет параллельно записывать несколько голограмм с данными. Однако пока что подобная технология не рациональна из-за того, что информация повреждается с голограмм под воздействием ультрафиолета.
Молекулярная память
Молекулярная память основана на принципе сохранения данных с применением молекул протеина. Для записи данных требуется специальные оптический прибор - световой модулятор, который генерирует лазерные лучи, проникающие в молекулу через специальный полиакридный гель. Подобный элемент способен хранить 4096х4096 ячеек данных, но пока что такой новый тип памяти слишком сложный в массовом производстве. Он пока что проходит многочисленные исследования.
Память на графеновых квантовых точках
Еще в 2014 году был создан первый прототип флэш-накопителя на графеновых квантовых точках. Тогда исследователи использовали несколько наночастиц квантовых точек, которые поместили между двуокиси кремния. Полученная энергонезависимая память на графеновых квантовых точках имеет хорошие перспективы дальнейшего массового производства и коммерческого применения.
Магниторезистивная память начала разрабатываться еще в 90-х годах. Ранее предполагалось, что она заменит привычную оперативную память и войдет в стандарт для всех типов устройств. Конструкция MRAM представляет собой два магнитных элемента памяти с прослойкой в виде изолята. За счет изменения состояния магнитного поля и осуществляется хранение, записывание и чтение данных. Однако пока что подобный тип памяти слишком дорогой в производстве, а также недостаточно эффективный.
STT-MRAM
Магниторезистивная память с переносом момента спина является более современным вариантом исполнения памяти MRAM, которая описана выше. Формально, технология записи и считывания у этой более инновационной технологии не отличается от MRAM. Однако за счет использования наведенных спинами токов удается достичь большей экономии энергии и приблизить технологию к показателям DRAM и SRAM.
Память с изменяемым фазовым состоянием PCM
Данная технология известна еще с 60-х годов, когда были исследованы возможности халькогенидной пленки. Этот материал активно применяется при покрытии оптических дисков. Однако в производстве дисков используются электрические свойства материала, а в памяти с изменяемым фазовым состоянием PCM - оптические. Это позволило создать элемент с изменяемым фазовым состоянием, большей вместимостью и производительностью. Но пока что данная технология считается слишком сложной в производстве.
Ферроэлектрическая память FRAM
Данный тип памяти подразумевает применение ферроэлектрической ячейки. По быстродействию она напоминает стандартную и привычную нам оперативную DRAM. Каждая ячейка памяти во FRAM состоит из n-p-n транзистора и конденсатора. А непосредственным хранителем битов информации являются свойства поляризации ферроэлектрической субстанции.
Эта технология сегодня применяется более широко, чем ее аналоги. Разработчиком такого типа RAM является компания Ramtron International.
Халькогенидная память PCRAM
Этот тип памяти подразумевает возможность нахождения хранителя информации в двух состояниях: аморфном и кристаллическом. Так называемая “совершенная” память имеет низкую себестоимость. А за счет трехмерной структуры удается достичь ее высокой плотности, разместив больше ячеек на чипе.
Рабочие прототипы PCRAM были разработаны еще в 2008 году, и по сей день продолжаются исследования компаниями IBM, Infineon, Samsung, Macronix. Вероятно, вскоре будет запущен массовый процесс производства чипов данного типа для хранения данных.
Резистивная память ReRAM
Возможно, в скором времени резистивная память сможет заменить нынешнее поколение HDD или SSD-накопителей. Основой такой памяти является элемент под названием мемристор, у которого не изменяется величина электрического сопротивления даже после приложения тока. Внутри элемента образуется мостик из ионов металла, который и выступает передатчиком. Подобной технологией сегодня занимается несколько компаний, включая Panasonic, Fujitsu, известный западный стартап Crossbar, а также HP, Western Digital и 4DS.
Оперативная память на нанотрубках
Есть еще одна технология, которая применяется в сфере производства элементов хранения данных. Речь идет о карбоновых нанотрубках. На данный момент подобное решение больше подходит для использования в качестве оперативной памяти. За основу системы взят не принцип изменения физических и химических свойств металлов, а наномеханические принципы. Однако других подробностей об этой технологии нет и пока что она не перешла из стадии исследований к массовому производству.
SCM-память
Энергонезависимая память типа Storage Class Memory сегодня применяется достаточно широко, пройдя этап тестов и исследований к массовому производству. Хранилища этого типа подключаются к материнской плате компьютерных или серверных устройств при помощи PCIe-шины. Это значительно снижает скорость передачи данных и ускоряет обмен данными.
Основными разработчиками этой технологии стали инженеры компаний Intel и Micron. И специалистам действительно удалось добиться увеличения производительности, сократив время отклика практически в два раза.
Уже сейчас хранилища типа SCM применяются в сферах, где требуется моментальная обработка данных: биржевой трейдинг, облачные сервисы совместной работы, системы бронирования, приложения с Big Data и подобное.
QLC-память
Название QLC означает “четыре ячейки”. Это один из типов оптимизированной флэш-памяти NAND, которая имеет повышенную производительность за счет хранения четырех битов в каждой ячейке. Однако за счет повышения количества битов возрастает и сложность работы системы. Из-за этого надежность накопителей этого типа пока что недостаточно высота. И накопители имеют запас прочности всего около 1000 циклов записи и стирания против 100 000 таких циклов у флэш-накопителей.
Цифровые технологии с каждым годом развиваются и сложно предсказать, в каком направлении произойдет скорый прорыв. Однако можно быть уверенным, что революция в типах памяти действительно скоро произойдет.
Кандидат физико-математических наук А. ПЕРОВ, доцент кафедры теоретической физики Нижегородского государственного университета им. Н. И. ЛОБАЧЕВСКОГО.
При чтении, в отсутствие заряда на «плавающем» затворе, под воздействием положительного потенциала на управляющем затворе, в подложке между истоком и стоком образуется проводящий канал и возникает ток (логическая единица). Заряд на «плавающем» затворе меняет вольт-амперную характеристику транзистора так, что при обычном для чтения напряжении проводящий канал не появляется и тока между истоком и стоком не возникает (логический ноль). При программировании на сток и управляющий затвор подаётся высокое напряжение (на управляющий затвор приблизительно в два раза больше). При стирании высокое напряжение подаётся на исток. На управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны туннелируют на исток.За последние три-четыре года флэш-память стала одним из самых популярных в общем ряду устройств хранения данных. Доминирование флэш-памяти на рынке связано с тем, что она находит широкое применение в относительно недорогих устройствах массового потребления: цифровых фото- и видеокамерах, компьютерах, мобильных телефонах, коммуникаторах, плеерах и т. д. Флэш-память — это электрически перепрограммируемое запоминающее устройство, которое, подобно магнитным носителям, сохраняет информацию при отключённом питании.
ЧТО ПРОИСХОДИТ В ЯЧЕЙКЕ ФЛЭШ-ПАМЯТИ
Первые серийные образцы флэш-накопителей работали довольно медленно, однако сегодня скорость считывания и записи данных на флэш-память позволяет смотреть хранящийся в миниатюрной микросхеме полноформатный фильм или запускать операционную систему Windows XP. Некоторые крупные производители уже продемонстрировали компьютеры, в которых вместо жёсткого диска стоят чипы флэш-памяти, а чересчур оптимистичные наблюдатели и вовсе торопятся полностью похоронить винчестеры, как совсем недавно — флоппи-диски.
Однако у флэш-памяти есть один очень неприятный недостаток, препятствующий тому, чтобы этот тип носителя заменил все существующие оптические и магнитные накопители, и связан он с надёжностью и долговечностью. Дело в том, что флэш-память имеет конечное число циклов стирания и записи. По оценкам самих производителей, современная флэш-память способна выдержать в среднем порядка 100 тыс. циклов стирания-записи. С этим уже столкнулись владельцы цифровых фотоаппаратов и флэш-драйверов, интенсивно их эксплуатирующие. Физическая природа подобного ограничения изначально заложена в конструкции прибора.
Каждая ячейка флэш-памяти содержит один или два транзистора. В простейшем случае ячейка хранит один бит информации и собрана на полевом транзисторе с электрически изолированной областью («плавающим» затвором), способной хранить заряд многие годы. Присутствие или отсутствие заряда в транзисторе рассматривается как логический ноль или логическая единица в двоичной системе счисления. «Плавающий» затвор хранит запрограммированное значение. Заряд на «плавающий» затвор в такой ячейке помещается методом инжекции «горячих» электронов, а снимается методом квантовомеханического туннелирования. В приборах с «плавающим» затвором запоминающей средой служит поликремний, изолированный от канала и затвора транзистора диэлектриком.
Туннелирование, по своей природе чисто квантовомеханический эффект, заключается в преодолении электроном потенциального барьера малой «высоты». Представим себе твёрдотельную структуру типа проводящая среда — изолятор — проводящая среда. Преодолеть потенциальный
барьер слоя диэлектрика, чтобы перейти из одного металлического контакта в другой, обычным способом (без внешних воздействий со стороны силовых полей) электрон не может — ему не хватает энергии. Но когда к металлическим контактам приложено достаточное напряжение, электрон, используя свою волновую природу, «просачивается» сквозь слой диэлектрика (туннелирует) и тем самым создаёт электрический ток.
БУДУЩЕЕ ФЛЭШ-ТЕХНОЛОГИЙ
Одно из направлений совершенствования флэш-накопителей — уменьшение их энергопотребле-ния и геометрических размеров с одновременным увеличением объёма памяти и быстродействия. Следует отметить, что совсем недавно свой полувековой юбилей отметил один из важнейших элементов любого персонального компьютера — жёсткий диск. Созданное пятьдесят лет назад устройство изменилось до неузнаваемости, в сотни раз уменьшилось в размерах и в тысячи раз увеличило ёмкость, проникло в совершенно неожиданные сферы, сохранив при этом основные принципы работы. Современное состояние рынка магнитных накопителей можно назвать тера-байтной эрой. Уже сейчас никого не удивишь ёмкостью жёстких дисков в сотни гигабайт. Первые терабайтные носители также со дня на день появятся в пользовательских компьютерах. И хотя в XXI веке активно развиваются другие технологии хранения данных, жёсткий диск не спешит сдавать свои позиции.
Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объёмов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, ещё слишком дороги, чтобы конкурировать с жёсткими дисками для настольных систем или ноутбуков. Сегодня сфера господства флэш-памяти в основном ограничивается мобильными устройствами.
В настоящее время американские исследователи разработали принципиально новую память, которая в теории позволит создавать крошечные накопители, вмещающие до терабайта данных. В отличие от флэш-памяти, где данные хранятся в виде заряда, в них используются металлизированные ячейки с функцией программирования, состоящие из разрозненных атомов меди. Под воздействием отрицательного заряда эти атомы выстраиваются в линию и формируют между двумя электродами «мост», проводящую нанопроволоку — получается логическая единица. Атомы в разгруппированном состоянии дают логический ноль. По утверждению авторов изобретения, процесс во многом похож на кристаллизацию воды и тоже полностью обратим — положительный заряд возвращает атомы в первоначальное положение, «мост» между электродами разрушается.
С новым устройством все ограничения на память в портативной электронике могут быть сняты. Можно записывать на видео и сохранять каждый момент всей своей жизни. Эта атомная память в тысячу раз экономичней флэш-памяти в плане потребления электрической энергии и в десять раз дешевле в пересчёте на один бит данных в основном благодаря тому, что для её изготовления нужны недорогие материалы. Крупнейшие производители уже проявили интерес к разработке, и первый чип на базе металлизированных ячеек планируется выпустить в течение следующих полутора лет.
Разработан также и прототип одного из ключевых элементов компьютерной памяти — нанопровод из полупроводникового материала GeSbTe, обратимо меняющего фазовое состояние с переходом из аморфной структуры в кристаллическую. Нанопровод был изготовлен в процессе кристаллизации исходных реагентов при низких температурах в присутствии металлических катализаторов размером в нанометры. В итоге на поверхности кремниевого субстрата самопроизвольно образовался линейный фрагмент полупроводникового материала длиной в несколько микрон и диаметром 30—50 нанометров, что примерно соответствует размеру ста атомов. В ходе изучения свойств полученного наноматериала оказалось, что он обладает уникальными качествами для записи и хранения информации. У него низкое потребление энергии на запись одного бита информации, а время считывания, записи и удаления информации составляет всего 50 нс, что в 1000 раз меньше, чем у современных образцов флэш-накопителей. Продолжительность хранения данных без потребления энергии может достигать 100 тыс. лет, а плотность хранения данных позволит вместить в габариты стандартных флэш-карт или других модулей памяти терабайты данных. Концепция компьютерной памяти на фазовых переходах известна давно, но лишь сейчас впервые удалось продемонстрировать её на реальных прототипах в наномасштабе.
Gritsenko V. A., Nasyrov K. A., Novikov Yu. N. Aseev A. L.. High-Permittivity-Insulator EEPROM Cell Using Al2O3 and ZrO2 // Russian Mic-roelectronics, 2003, 32, № 2, p. 90
Gritsenko V. A., Nasyrov K. A., Novikov Yu. N., Aseev A. L., Yoon S. Y., Lee J.-W., Lee E.-H., Kim C. W. A new low voltage fast SONOS memory with high-k dielectric//Solid-State Electronics, 2003, 47, № 10, p. 1651.
Читайте также: